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中心儀器
類 別列表
儀 器列表
微影 Lithography
電子束微影系統 (Electron Beam Lithography System)
儀器中文全名 |
1101 電子束微影系統 |
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儀器中文簡稱 |
電子束微影系統 |
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儀器英文全名 |
1101 Electron Beam Lithography |
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儀器英文簡稱 |
EBL |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
陳子欣 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#208 |
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|
tzuhsin@mail.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
█ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
電子束微影系統(E-beam Lithography)主要用於高精度微結構製作,透過聚焦電子束在光阻材料上曝光,實現奈米級別的圖形轉移。此技術廣泛應用於半導體製程、微機電系統(MEMS)、奈米光電元件等領域。其高解析度和靈活性使其適合於小批量製造與原型開發,能實現精細圖形的定制加工。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
電子槍型態: ZrO/W thermal field emitter 繪圖方法:Vector scan
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
旋轉塗佈儀(Spin Coater )
儀器中文全名 |
1106旋轉塗佈儀I |
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儀器中文簡稱 |
旋塗儀I |
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儀器英文全名 |
1106 Spin Coater I |
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儀器英文簡稱 |
SP I |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
楊士弘 |
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TEL |
(06) 2757575#31380#233 |
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z11110045@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
■ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
利用離心力將光阻均勻塗佈到試片。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
旋轉塗佈儀 II (Spin Coater II )
儀器中文全名 |
1107 旋轉塗佈儀II |
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儀器中文簡稱 |
旋塗儀II |
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儀器英文全名 |
1107 Spin Coater II |
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儀器英文簡稱 |
SP II |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
楊士弘 |
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TEL |
(06) 2757575#31380#233 |
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z11110045@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
■ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
利用離心力將光阻均勻塗佈到試片。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
SUSS 雙面光罩對準機 (SUSS Double-Side Mask Aligner)
儀器中文全名 |
1109雙面光罩對準機SUSS |
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儀器中文簡稱 |
光罩對準機SUSS |
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儀器英文全名 |
1109 Double-Side Mask Aligner SUSS |
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儀器英文簡稱 |
Mask Aligner SUSS |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
楊士弘 |
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TEL |
(06) 2757575#31380#233 |
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|
z11110045@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
■ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
MA/BA6 是設計用於 150 mm 大小以下的晶圓。是新一代半自動光罩對準機。此系列具備人體工學設計、友好的使用者介面,並適用於學術研究和小批量生產。它為微機電系統、奈米機電系統及3D集成等領域樹立新標準。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
蝕刻 Etching
反應式離子蝕刻機 (Reactive Ion Etching)
儀器中文全名 |
1201 反應式離子蝕刻機 |
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儀器中文簡稱 |
反應式離子蝕刻機 |
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儀器英文全名 |
1201 Reactive Ion Etching |
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儀器英文簡稱 |
RIE |
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儀器位置 |
B1F/無塵室 |
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儀器管理人 |
李佩珊 |
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TEL |
06-2757575 ext. 31380#243 |
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|
z11111034@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
■ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
本機台為乾式蝕刻又稱為電漿蝕刻,為非等向性蝕刻,以氣體為主要的蝕刻媒介,藉由電漿能量來驅動反應,包含物理性(Physical)與化學性(Chemical)蝕刻優點,使製程擁有極佳的非等向性優點,且藉由蝕刻氣體和材料的化學反應選擇來決定蝕刻的大小、範圍。 |
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廠牌/型號 |
廠牌:慶康科技 型號:OMNI-RIE |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿) (Inductive Coupled Plasma Etching System)
儀器中文全名 |
1202奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿) |
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儀器中文簡稱 |
奈米深蝕刻系統 |
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儀器英文全名 |
1202 Inductive Coupled Plasma Etching System, ICP |
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儀器英文簡稱 |
ICP |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
陳子欣 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#208 |
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tzuhsin@mail.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
█ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
奈米深蝕刻系統主要用於高深寬比乾式蝕刻(Aspect Ratio ≧ 15:1)。該系統採用Bosch蝕刻技術,通過交替進行氟化物蝕刻和氧化物沉積來實現深度奈米蝕刻。首先,使用SF₆等氣體進行化學蝕刻,移除材料表層;然後,使用O₂或C₄F₈沉積保護層,防止側壁損傷。此過程交替進行,有效實現高深度蝕刻並保持垂直側壁結構,適用於精密微製程。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
感應耦合離子電漿離子蝕刻機(ICP RIE System, Fluorine Base)
儀器中文全名 |
1205 感應耦合電漿離子蝕刻機 |
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儀器中文簡稱 |
感應耦合電漿離子蝕刻機 |
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儀器英文全名 |
1205 ICP RIE System (Fluorine base) |
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儀器英文簡稱 |
ICP RIE System (Fluorine base) |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
陳子欣 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#208 |
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|
tzuhsin@mail.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
█ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
感應耦合電漿離子蝕刻機採用氟氣基蝕刻製程,通過CHF₃、Ar、O₂等氣體在低壓環境下產生高密度電漿,實現高效且均勻的材料移除。該系統具備奈米尺度結構製作的高精度,廣泛應用於材料科學、電子電機及光電元件製程,為微奈米技術與高精密製造提供關鍵支持。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
感應耦合式高密度離子電漿蝕刻機(ICP RIE System, Chlorine Base)
儀器中文全名 |
1208 感應耦合式高密度電漿蝕刻機 |
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儀器中文簡稱 |
感應耦合式高密度電漿蝕刻機 |
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儀器英文全名 |
1208 ICP RIE System (Chlorine base) |
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儀器英文簡稱 |
ICP RIE System (Chlorine base) |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
陳子欣 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#208 |
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|
tzuhsin@mail.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
█ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
感應耦合式高密度電漿蝕刻系統是以氯氣電漿(chlorine-based)為基礎的蝕刻系統,主要使用的氣體為Cl2、BCl3、SiCl4、Ar、O2和CHF3,適合III-V及金屬材料蝕刻,III-V材料及金屬材料的蝕刻具有相當的難度,主因是常用的F離子與III-V材料及金屬材料反應後的生成物,其汽化溫度大於攝氏1000度,造成無法蝕刻的問題,而氯氣離子的加入則可以大大降低反應生成物的氣化溫度至攝氏300度以下,因此能達成III-V材料及金屬材的蝕刻。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
待提供 |
薄膜成長 Deposition Furnace
電子束蒸鍍機-I (E-Beam Evaporator-I)
儀器中文全名 |
2102 電子束蒸鍍薄膜沉積系統-I |
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儀器中文簡稱 |
2102 電子束蒸鍍薄膜沉積系統-I |
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儀器英文全名 |
Electron Beam Evaporation Deposition System-I |
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儀器英文簡稱 |
2102 Electron Beam Evaporation Deposition System-I |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
王亭鈞 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#257 |
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z10711023@email.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
█ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
電子束蒸鍍薄膜沉積系統(E-Beam Evaporation System)利用高能電子束轟擊靶材,使其升華成氣相並沉積於基板上,形成均勻且高純度的薄膜。該技術適用於半導體、光學鍍膜及先進材料研究,具有高沉積速率、低污染及精確厚度控制等優勢,適合製備金屬、氧化物及多層膜結構,廣泛應用於微電子與奈米技術領域。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
電子束蒸鍍機-II (E-Beam Evaporator-II)
儀器中文全名 |
2103 電子束蒸鍍薄膜沉積系統 II |
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儀器中文簡稱 |
電子束蒸鍍薄膜沉積系統 II |
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儀器英文全名 |
2103 Electron Beam Evaporation Deposition System-II |
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儀器英文簡稱 |
Electron Beam Evaporation Deposition System-II |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
王亭鈞 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#257 |
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|
z10711023@email.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
█ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
電子束蒸鍍薄膜沉積系統(E-Beam Evaporation System)利用高能電子束轟擊靶材,使其升華成氣相並沉積於基板上,形成均勻且高純度的薄膜。該技術適用於半導體、光學鍍膜及先進材料研究,具有高沉積速率、低污染及精確厚度控制等優勢,適合製備金屬、氧化物及多層膜結構,廣泛應用於微電子與奈米技術領域。 |
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廠牌/型號 |
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||||
條列說明 重要規格 |
|
||||
條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
共濺鍍機 (Co-Sputter Deposition System)
儀器中文全名 |
2105 共濺鍍機 |
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儀器中文簡稱 |
共濺鍍機 |
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儀器英文全名 |
2105 Co-Sputter Deposition System |
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儀器英文簡稱 |
Co-Sputter |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
||||
儀器管理人 |
王亭鈞 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#257 |
||||
|
z10711023@email.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
█ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
若需利用傳統濺鍍系統沉積多元化合物或合金材料,往往必須重新調配材料壓製成多元靶材,不僅製備麻煩且對於欲使用之多元材料成份比例較不易掌控。共濺鍍系統之優點在於能同時利用多個靶材進行濺鍍製程,可針對個別材料進行參數調整,搭配旋轉載台裝置可獲得相當均勻之薄膜沉積,且其薄膜品質再現性佳,可加熱到500℃,目前可配合共濺鍍控制的電極為兩個DC電源(導電膜沉積) |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
原子層沉積系統(Atomic Layer Deposition System, Picosun)
儀器中文全名 |
2110 原子層沉積系統 |
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儀器中文簡稱 |
原子層沉積系統 |
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儀器英文全名 |
2110 Atomic Layer Deposition System, Picosun |
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儀器英文簡稱 |
ALD |
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儀器位置 |
B1F/無塵室 |
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儀器管理人 |
李佩珊 |
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TEL |
06-2757575 ext. 31380#243 |
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z11111034@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
■ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
ALD利用前驅物與基板表面產生的自我侷限交互反應,當反應氣體與基板表面形成單層化學吸附後,反應氣體不再與表面反應,成長厚度精確性可控制在Å原子等級,且均勻性極佳。本系統為芬蘭Picosun公司之最新研發技術,可鍍製的材料有Al2O3、HfO2、SiO2及TiO2,亦包含電漿及Ozone系統,為全台灣最先進的原子層鍍膜設備之一。 |
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廠牌/型號 |
廠牌:Picosun 型號:R-200 Advanced |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
導電膜原子層沉積系統(Conductive Film Atomic Layer Deposition)
試片製備 Sample Preparation
雙束型聚焦離子束I (Dual Beam-Focused Ion Beam, FEI Nova-200)
儀器中文全名 |
3101 雙束型聚焦離子束I |
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儀器中文簡稱 |
雙束型聚焦離子束I |
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儀器英文全名 |
3101 Dual Beam-Focused Ion Beam I |
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儀器英文簡稱 |
FIB1 |
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儀器位置 |
儀器設備大樓B1檢測實驗室/ R214 |
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儀器管理人 |
沈欣燕/賴修偉 |
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TEL |
06-2757575 ext. 31380#245(辦公室) 06-2757575 ext. 31380#215(辦公室) |
||||
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|||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
1.定點縱剖面切割:利用粒子的物理碰撞來達到切割之目的,可切割之最小線寬約40nm。 2.選擇性的材料表面蒸鍍處理:以Ga離子束的能量分解有機金屬蒸氣,並在局部區域做金屬導體的沉積,除可提供沉積應用外,同時可保護被切割處附近結構之完整。目前可提供有鉑(Pt)和碳(C)兩種沉積層。 3.試片準備:可協助特殊材料TEM用試片之製作。 4.元素成份分析 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
解析度 ≦ 1.5 nm @ 30 KV SE ≦ 2.5 nm @ 1 KV SE 加速電壓:0.2 ~ 30 KV 電子槍型態:熱場發射式電子槍
解析度:7 nm 加速電壓:0.2~30 KV 離電子槍型態:液態金屬鎵
a.In-situ lift-out system by W probe b.Ex-situ lift-out system by optical microscope
Detector: ≧50 mm2 Silicon Drift Detector MnKα Resolution: ≦ 129 eV |
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條列說明 使用規定 |
(1)真空中具揮發性或在電子束照射下易分解、釋出氣體分子之樣品。 (2)有機物、高分子、粉末材料、磁性物質。 (3)有礙真空維持或可能污染腔體之樣品。 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
雙束型聚焦離子束II (Dual Beam-Focused Ion Beam, Helios G3 CX)
儀器中文全名 |
3105 雙束型聚焦離子束 II |
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儀器中文簡稱 |
雙束型聚焦離子束 II |
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儀器英文全名 |
3105 Dual Beam-Focused Ion Beam II |
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儀器英文簡稱 |
FIB II |
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儀器位置 |
B1/檢測分析實驗室(或實驗室名稱) |
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儀器管理人 |
王彥茹 |
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TEL |
06-2757575 ext. 31380#226(辦公室) |
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|
yenjuwang@mail.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
■ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
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廠牌/型號 |
廠牌:Thermo Fisher Scientific 型號:Helios G3CX
廠牌:Oxford Instruments 型號:X’max 150mm2 |
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條列說明 重要規格 |
解析度: 0.8 nm @ 15 kV; 1.4 nm @ 1 kV 加速電壓: 200V~30kV 電子槍型態: Elstar’s immersion mode
*解析度: 4 nm @ 30Kv *加速電壓: 500V~30kV *離子槍型態: Gallium Liquid Metal
*偵測器: ≧150 mm2, Silicon Drift Detector *MnKα 解析度: ≦129 eV |
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條列說明 使用規定 |
|
||||
預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application 國科會(前瞻聚焦離子束系統,每月20日12:00開放學界下個月預約序號): https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
精密離子拋光機(PIPS)
鍍金機(Sputter Coater)
儀器中文全名 |
鍍金機 |
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儀器中文簡稱 |
鍍金機 |
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儀器英文全名 |
Sputter Coater |
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儀器英文簡稱 |
Sputter Coater |
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儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
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儀器管理人 |
賴修偉 |
||||
TEL |
06-2757575*31389*2 |
||||
|
hiwett@mail.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
¢ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
主要用於電子顯微鏡樣品前處理,可針對不導電與乾燥生物性之樣品表面鍍上白金(Pt),增加樣品之導電性。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
工作電流:10、20、30、40 mA;工作時間:0~300 s |
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條列說明 使用規定 |
25.0 mm (f) × 10 mm (H) specimen
|
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
||||
技術手冊 |
|
奈米壓痕 Indentation
奈米壓痕試驗機 (Nano-Indentation System, MTS G200)
儀器中文全名 |
3301穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機 |
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|||
儀器中文簡稱 |
穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機 |
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儀器英文全名 |
3301 In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010 |
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儀器英文簡稱 |
In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010 |
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儀器位置 |
B1 檢測室 |
||||
儀器管理人 |
林家宇 |
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TEL |
06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室) |
||||
|
chiayu@gs.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
■ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
TEM PicoIndenter則可在TEM下直接觀察負載─位移間資料與影像相互關係,例如相變化、差排滑移變化及破壞行為的發生等;且藉由設定負載大小、壓痕深度、受力─卸載之時間設定,可觀察奈米材料尺度之性質,如壓痕、壓縮、彎曲等特性,並擁有多種操作模式可以選擇,包含:閉迴路力量平衡控制系統、閉迴路位移控制系統及開迴路力量控制系統等。 |
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廠牌/型號 |
|
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
奈微拉伸試驗機 (Micro/Nano Tensile Tester)
儀器中文全名 |
2303 奈微拉伸試驗機 |
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儀器中文簡稱 |
奈微拉伸試驗機 |
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儀器英文全名 |
2303 Micro/Nano Tensile Tester |
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儀器英文簡稱 |
Micro/Nano Tensile Tester |
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儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
||||
儀器管理人 |
簡秀真 |
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TEL |
(06)2757575#31389#9 |
||||
|
shioujen@mail.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
■ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
奈微拉伸試驗機可以測量出位移與荷重圖、位移與荷重疲勞測試之材料特性功能。奈微拉伸試驗乃藉由力量設定,針對受測材料之特性以了解其抵抗能力和斷裂前材料之伸張情形。而彈性係數可由已知材料斷面積及單位長度值,再藉由位移與荷重圖以求得材料本身的剛性。對於不同材料通常比較其拉伸強度、彈性係數和伸長量等數據,其中位移與荷重圖、位移與荷重疲勞測試是材料特性極其重要的性質,因其不僅能得知材料本身的強度,也是材料性質最具代表性的項目。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
掃描探針 SPM/Electronic Property
表面粗度儀 (Alpha-Step Profilometer)
儀器中文全名 |
2201 表面粗度儀 |
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儀器中文簡稱 |
表面粗度儀 |
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儀器英文全名 |
2201 Alpha-Step Profilometer |
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儀器英文簡稱 |
Alpha-Step |
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儀器位置 |
B1F/無塵室 |
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儀器管理人 |
李佩珊 |
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TEL |
06-2757575 ext. 31380#243 |
||||
|
z11111034@ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
■ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
表面粗度儀是用來量測物體的表面輪廓,藉由表面輪廓可知所製作的樣品之粗糙度。此機台利用鑽石所製作的尖頭探針,以探針掃描的運動軌跡橫過物體表面,以一導體感測器記錄了針尖的垂直運動變化訊號,來顯示待測物體的二維表面輪廓。 |
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廠牌/型號 |
廠牌:辛耘企業/KLA-Tencor 型號:D300 |
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條列說明 重要規格 |
探針: 5μm 60deg. 探針掃描速度:0.01mm/s~0.1mm/s 載台大小:15cm diameter 最大掃描高度:100μm 最大掃描長度:30mm |
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條列說明 使用規定 |
|
||||
預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
||||
技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
原子力顯微鏡 (Atonic Force Microscope, NTMDT-AFM)
儀器中文全名 |
2202 原子力顯微鏡 |
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儀器中文簡稱 |
原子力顯微鏡 |
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儀器英文全名 |
2202 Atomic Force Microscopes |
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儀器英文簡稱 |
AFMs |
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儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
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儀器管理人 |
簡秀真 |
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TEL |
(06)2757575#31389#9 |
||||
|
shioujen@mail.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
■ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
AFM 探針對樣品表面的狀況,針對不同操作模式下進行掃描,操作模式可分為:接觸式(contact mode)、非接觸式(non-contact mode)以及半接觸式(semi-contact mode)。通常會使用半接觸模式亦稱作輕敲模式(tapping mode),由於輕敲模式比非接觸模式的掃描距離更接近表面,掃描樣品距離約 2~10 nm,利用探針輕敲樣品表面所造成的凡得瓦力來進行回饋,同時會透過共振頻率的影響造成振幅的變化,來掃描出樣品起伏的高低。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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||||
條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
多功能掃描探針顯微鏡 (Scanning Probe Microscope)
儀器中文全名 |
2204 多功能掃描探針顯微鏡 |
|
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儀器中文簡稱 |
多功能掃描探針顯微鏡 |
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儀器英文全名 |
2204 Scanning Probe Microscopes |
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儀器英文簡稱 |
SPMs |
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儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
||||
儀器管理人 |
簡秀真 |
||||
TEL |
(06)2757575#31389#9 |
||||
|
shioujen@mail.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
■ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
根據其成像原理和操作模式的差異,主要分為原子力顯微鏡(atomic force microscopes ,AFMs)、導電性原子力顯微鏡(Conductive AFM, C-AFM)、靜電力顯微鏡(Electrostatic Force Microscopy, EFM)、 磁力顯微鏡(Magnetic Force Microscopy, MFM)、壓電力顯微鏡 (Piezoresponse Force Microscopy, PFM)、表面電位顯微鏡( Surface Potential Force Microscopy, KPFM)等,提供奈米材料表面形貌、表面粗糙度、尺度、電性、硬度、黏滯力等分析。 |
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廠牌/型號 |
|
||||
條列說明 重要規格 |
|
||||
條列說明 使用規定 |
|
||||
預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
||||
技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
半導體元件測量平台 (Measurement Station for Electrical Characterization)
掃描式電子顯微鏡 SEM
高解析熱場發射掃描式電子顯微鏡I (Scanning Electron Microscope II, JEOL JSM-7001F)
儀器中文全名 |
3202 高解析熱場發射掃描式電子顯微鏡 |
|
|||
儀器中文簡稱 |
高解析熱場發射掃描式電子顯微鏡 |
||||
儀器英文全名 |
3202 Scanning Electron Microscope, JEOL JSM-7001F |
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儀器英文簡稱 |
SEM_7001 |
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儀器位置 |
B1/奈米檢測實驗室 |
||||
儀器管理人 |
賴修偉 |
||||
TEL |
06-2757575*31389*2 |
||||
|
hiwett@mail.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
¢ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
本電腦化操作之高解析場發射掃描式電子顯微鏡 ,其特點為以熱場發射電子槍產生能量均 ㄧ之電子束。能提供金屬材料及電子材料等,於高倍率下之二次電子影像 (SEI)與背反電子影像(BEI)之表面型態觀察。本機台同時配置有能量分散光譜儀(EDS),可作元素成分之定性及半定量分析之工作。並附有背向散射電子繞射儀(EBSD),可以藉由背向散射電子所產生的菊池圖形,計算出電子束所照射位置之晶體的方位,藉由自動化軟體的幫助,可以對試片進行 mapping的動作,進而得到掃描區域完整的方位資訊,並利用 OIM Analysis軟體對方位資訊進行處理,進而得到定量晶體取向分析結果 ,如:ODF(orientation distribution function)、PoleFigure、Inverse Pole Figure等。 |
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廠牌/型號 |
|
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條列說明 重要規格 |
X axis:70nm |
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條列說明 使用規定 |
|
||||
預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
||||
技術手冊 |
|
桌上型掃描式電子顯微鏡(Tabletop SEM)
儀器中文全名 |
3204桌上型掃描式電子顯微鏡 |
|
|||
儀器中文簡稱 |
桌上型電顯 |
||||
儀器英文全名 |
3204 Tabletop Scanning Electron Microscope |
||||
儀器英文簡稱 |
Tabletop SEM |
||||
儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
||||
儀器管理人 |
賴修偉 |
||||
TEL |
06-2757575*31389*2 |
||||
|
hiwett@mail.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
¢ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
二次電子影像觀察_利用電子束在試片上掃描進行影像觀察,能夠觀察材料表面微米級影像、成份對比影像等資訊,分別對於表面輪廓與原子序差異可得到良好的影像品質,可以取代光學顯微鏡,讓您更近距離弄清楚樣品由何組成。
|
||||
廠牌/型號 |
|
||||
條列說明 重要規格 |
|
||||
條列說明 使用規定 |
|
||||
預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
|
分析型場發掃描式電子顯微鏡(Analyiacl Field Emission SEM)
儀器中文全名 |
分析型場發掃描式電子顯微鏡 |
|
||||
儀器中文簡稱 |
|
|||||
儀器英文全名 |
Analytical field emission scanning electron microscope |
|||||
儀器英文簡稱 |
AFE-SEM |
|||||
儀器位置 |
2樓 / 0206 |
|||||
儀器管理人 |
劉彩芸 |
|||||
TEL |
06-2757575#31373 |
|||||
|
z10508127@email.ncku.edu.tw |
|||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
||
▓ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
▓ 掃描式電顯 |
|||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
|||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
|||
▓ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
|||
應用/功能簡介 (100字內) |
本儀器由掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)與能量散射光譜分析儀(EDS)所組成,能提供樣品在高/低加速電壓之掃描觀察,可獲得超高解析影像之能力,加速電壓15kV解析度為1nm。同時加裝EDS元素分析,以擷取高解析數位影像及成份定性、半定量等分析。 |
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廠牌/型號 |
SEM
|
EDS
|
||||
條列說明 重要規格 |
|
|||||
條列說明 使用規定 |
|
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/Home/Index |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
多功能環境場發掃描式電子顯微鏡(Multi-Function Environmental Field Emission SEM with EDS/EBSD)
儀器中文全名 |
多功能環境場發掃描式電子顯微鏡 |
|
|||||
儀器中文簡稱 |
|
||||||
儀器英文全名 |
Multi-function environmental field emission scanning electron microscope with EDS and EBSD |
||||||
儀器英文簡稱 |
EFE-SEM |
||||||
儀器位置 |
2樓 / 0206 |
||||||
儀器管理人 |
劉彩芸 |
||||||
TEL |
06-2757575#31373 |
||||||
|
z10508127@email.ncku.edu.tw |
||||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|||
▓ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
▓ 掃描式電顯 |
||||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||||
▓ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||||
▓ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
本儀器為結合HITACHI SU-5000熱場效型高解析場發射掃描式電子顯微鏡、EDAX能量散射光譜儀(EDS)及電子背向繞射儀(EBSD),可做各式材料表面形貌觀察、快速元素定性、半定量及晶體結構分析等,是目前最先進之複合型電子顯微鏡之一,在應用上極為廣泛。 |
||||||
廠牌/型號 |
SEM
|
EDS
|
EBSD
|
||||
條列說明 重要規格 |
Better than 1.2 nm at 30kV Better than 2.0 nm at 1KV
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條列說明 使用規定 |
SEM:
EBSD:
每月28日下午2:00開放下個月份使用時段(由國科會貴儀資訊管理系統預約) 若欲取消預約,請於使用日的三天前上網取消,否則需計基本使用費 |
||||||
預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/Home/Index |
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技術手冊 |
高解析射掃描電子顯微鏡 (High Resolution SEM)
儀器中文全名 |
高解析掃描電子顯微鏡 |
|
|||
儀器中文簡稱 |
場發掃描電鏡 |
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儀器英文全名 |
High Resolution Scanning Electron Microscope |
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儀器英文簡稱 |
HR-SEM |
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儀器位置 |
自強校區 儀器設備大樓二樓 0208室 |
||||
儀器管理人 |
施慧蓉 |
||||
TEL |
31376分機 |
||||
|
z7306007@email.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
■ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
顯微電鏡具有高解析的特點。本儀器為Hitachi SU8000,在高真空中操作(~10-10 torr)可得到高解析的影像(15KV;1nm解析度)。 |
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廠牌/型號 |
|
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條列說明 重要規格 |
1.奈米樣品表面觀察。 2.微區異物分析及組成分析。 3.奈米樣品大小與各層寬度或厚度距離量測 4.二次電子解析度:15 Kv: 1.0nm。 5.有斜插式及高感度平插式EDS提供材料分析。根據樣品及需求來設定儀器分析,包括薄膜、奈米材料、敏感性材料都可以提供分析。 |
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條列說明 使用規定 |
1.磁性樣品不收,弱磁性樣品須經評估是否可以服務。 2.毒性、揮發性、具腐蝕性的樣品不接受服務。 3.第一次預約本儀器,請事先跟技術員聯絡,討論樣品的前處理,及樣品大小規定。及是否要提前鍍金,或不鍍金,以把握上機的時間。 4.非經本儀器管理員認證通過,不得預約自行操作。 |
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預約系統 |
[請附網頁連結] |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
穿透式電子顯微鏡 TEM
穿透式電子顯微鏡(TEM, JEOL JEM-2010)
儀器中文全名 |
3301 穿透式電子顯微鏡 |
|
|||
儀器中文簡稱 |
穿透式電子顯微鏡 |
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儀器英文全名 |
3301 Transmission Electron Microscope |
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儀器英文簡稱 |
TEM 2010 |
||||
儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
||||
儀器管理人 |
林家宇 |
||||
TEL |
06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室) |
||||
|
chiayu@gs.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
■ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
此台電子顯微鏡電子發射源是熱激發之 LaB6 ,具有較高電子束的優點。除一般放大成像,觀察一般試片形貌外,在操作明、暗場像及繞射圖譜相互之切換時,影像方位不變。明、暗場像可以分析材料結構及缺陷,例如結晶相分布、晶粒分布、多層鍍膜厚度、缺陷型態、缺陷位置、缺陷定量等;繞射圖譜可以判定材料成相,例如單晶、多晶及非晶質。若是在解析度內,也可做高解析原子影像。 |
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廠牌/型號 |
|
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
|
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
高解析場發射穿透式電子顯微鏡(TEM, JEOL JEM-2100F)
儀器中文全名 |
3302 高解析場發射掃描穿透式電子顯微鏡 |
|
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儀器中文簡稱 |
高解析場發射掃描穿透式電子顯微鏡 |
||||
儀器英文全名 |
3302 High Resolution Transmission Electron Microscope |
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儀器英文簡稱 |
TEM 2100 |
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儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
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儀器管理人 |
林家宇、羅啟仁 |
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TEL |
06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室) |
||||
|
chiayu@gs.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
■ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
此台電子顯微鏡電子發射源是場發射之燈絲,因此具有極高空間及能量解析度。除了一般成像及繞射功能外,可以做對比極佳之高解析原子影像。因為其附加許多設備,成為材料解晰最佳利器。如掃描裝置可以加電子束縮小至1nm以下,進行高解析之掃描明暗場像,可以做原子成分影像及原子級介面分析。X光能量分散儀 (EDX)可以進行化學成分分析。Gatan影像過濾器 (GIF) 可以進行電子能量損失圖譜,得到成分定量分析,並可以得到試片化學鍵結及電子結構等資訊;除此之外藉由GIF上可以進行電子能量過濾成像,得到精確之成分分布圖。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
(1) 試片在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之樣品。 (2) 試片含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。 (3)具強磁性、磁性 (如鐵、鈷、鎳等)或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。 (4) 放電 (charging) 情形嚴重者。
|
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
In-Situ奈米壓痕試驗機(In-Situ Nano-Indentation System, TEM 2010)
儀器中文全名 |
3301穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機 |
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儀器中文簡稱 |
穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機 |
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儀器英文全名 |
3301 In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010 |
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儀器英文簡稱 |
In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010 |
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儀器位置 |
B1 檢測室 |
||||
儀器管理人 |
林家宇 |
||||
TEL |
06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室) |
||||
|
chiayu@gs.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
■ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
TEM PicoIndenter則可在TEM下直接觀察負載─位移間資料與影像相互關係,例如相變化、差排滑移變化及破壞行為的發生等;且藉由設定負載大小、壓痕深度、受力─卸載之時間設定,可觀察奈米材料尺度之性質,如壓痕、壓縮、彎曲等特性,並擁有多種操作模式可以選擇,包含:閉迴路力量平衡控制系統、閉迴路位移控制系統及開迴路力量控制系統等。 |
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廠牌/型號 |
|
||||
條列說明 重要規格 |
|
||||
條列說明 使用規定 |
|
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
||||
技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
多功能低電壓穿透式電子顯微鏡(Multifunctional Low-Voltage TEM)
儀器中文全名 |
多功能低電壓穿透式電子顯微鏡 |
|
|||
儀器中文簡稱 |
低電壓穿透式電子顯微鏡 |
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儀器英文全名 |
Multifunctional Low-Voltage Transmission Electron Microscope |
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儀器英文簡稱 |
LV-TEM |
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儀器位置 |
B1/B110 |
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儀器管理人 |
鄭宇軒 |
||||
TEL |
06-2757575 #31357 |
||||
|
z10809028@ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
¢ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
多功能低電壓穿透式電子顯微鏡,為可操作於低加速電壓(40-120kV)之穿透式電子顯微鏡,除TEM影像外亦包含電子繞射拍攝、掃描穿透模式(STEM)影像拍攝與EDS化學分析之功能,適合易受電子損傷材料之形貌拍攝、結構與成份分析。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
1.熱游離式六硼化鑭(LaB6)燈絲。 2.120kV加速電壓,降低對材料影響(若有更低電壓需求可與管理員討論)。 3.可拍攝TEM明視野與暗視野影像。 4.可拍攝電子繞射圖(選區光圈範圍最小~250nm,電子束最小~30nm)。 5.可拍攝掃描穿透模式-環形明場與環型暗場影像(STEM-ABF/ADF)。 6.配有EDS偵測器,可執行點、線與面元素分析。 |
||||
條列說明 使用規定 |
1.本儀器採序號預約,預約成功後技術人員會與您協調實驗日期與時間。 2.樣本若含磁性物質(Fe, Co, Ni.. 等等)務必先與技術人員討論。 3.樣本若具揮發性、毒性或放射性等潛在危害性,務必先與技術人員討論。 4.本儀器常規操作電壓為120kV,若有更低電壓之需求可與技術人員討論。 5.本儀器解析能力弱於200kV機種,若需進行高解析影像、晶格影像、微區繞射或微區成份分析,建議事先與技術人員討論是否符合需求。 |
||||
預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/home/Index |
||||
技術手冊 |
軟物質穿透式電子顯微鏡(Soft Matter TEM)
高解析穿透式電子顯微鏡-搭載球面像差修正器的掃描穿透式電鏡(High Resolution Transmission Electron Microscope- Cs Corrector STEM)
儀器中文全名 |
高解析穿透式電子顯微鏡-搭載球面像差修正器的掃描穿透式電鏡 |
|
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儀器中文簡稱 |
高解析穿透式電子顯微鏡 |
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儀器英文全名 |
High Resolution Transmission Electron Microscope- Cs Corrector STEM |
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儀器英文簡稱 |
JEM-2100F Cs STEM |
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儀器位置 |
B109室 |
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儀器管理人 |
曾湜雯 |
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TEL |
+886-6-2757575 ext. 31366 |
||||
|
|||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
■ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
|
||||
廠牌/型號 |
|
||||
條列說明 重要規格 |
|
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條列說明 使用規定 |
|
||||
預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/home/Index | ||||
技術手冊 |
光學顯微鏡 Optical Microscopy
多光子激發掃描顯微鏡(Multiphoton Excitation Microscopy)
金相光學顯微鏡(Metallographic Microscopy)
光學顯微鏡(Optical Microscopy)
白光干涉儀(White Light Interferometer)
光學檢測 Property Analysis/Detection
微拉曼及微光激發光譜儀(Micro-Ramam & Micro-PL Sperctrometer)
拉曼光譜儀/顯微鏡(Ramam Sperctrometer/Microscopy)
儀器中文全名 |
4201 拉曼光譜儀/顯微鏡 |
|
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儀器中文簡稱 |
顯微拉曼 |
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儀器英文全名 |
4201 Microscopes Raman Spectrometer |
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儀器英文簡稱 |
Raman/OM |
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儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
||||
儀器管理人 |
李芃葶 |
||||
TEL |
06-2757575 #31389 |
||||
|
ptli@ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
■ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
利用拉曼散射現象將樣品進行分析,從而獲取樣品分子結構和振動特性的資訊。 拉曼光譜應用雷射光進行測量,雷射入射光子與物質相互作用時,會產生頻率產生變化的散射光子,此變化稱拉曼位移,藉由量測此位移可以取得樣品的分子結構和振動特性。 透過拉曼光譜技術,可以了解生物分子、材料和化學物質等的結構與性質。 |
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廠牌/型號 |
|
||||
條列說明 重要規格 |
|
||||
條列說明 使用規定 |
不得量測具揮發性、有毒有機溶劑。 |
||||
預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
||||
技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
傅立葉轉換紅外光光譜儀(Fourier Transform Infrared Sperctrometer)
儀器中文全名 |
4203 傅立葉轉換紅外光光譜儀 |
|
|||
儀器中文簡稱 |
傅立葉轉換紅外光光譜儀 |
||||
儀器英文全名 |
4203 Fourier Transform Infrared Spectrometer |
||||
儀器英文簡稱 |
FTIR |
||||
儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
||||
儀器管理人 |
莊雅雯 |
||||
TEL |
06-2757575 #31383 #9 |
||||
|
10708150@gs.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
■ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
紅外線光譜學是研究某一化學分子或化學物種因吸收 (或發射)紅外線輻射而在某些振動模式下產生振動或振動—轉動能量的變化。藉助於紅外線光譜的分析,化合物的鑑定與含量得以決定。 |
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廠牌/型號 |
|
||||
條列說明 重要規格 |
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||||
條列說明 使用規定 |
|
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
紫外光-可見光-近紅外光光譜儀(UV/Visual/NIR Sperctrophotometer)
儀器中文全名 |
4204 紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀 |
|
|||
儀器中文簡稱 |
紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀 |
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儀器英文全名 |
4204 UV/Visible/NIR Spectrophotometer |
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儀器英文簡稱 |
UV/Visible/NIR Spectrophotometer |
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儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
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儀器管理人 |
莊雅雯 |
||||
TEL |
06-2757575 #31383 #9 |
||||
|
10708150@gs.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
■ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
此儀器測量涵蓋了廣泛的波長範圍和樣本大小,能夠滿足各種分析需求,結合各種特殊的附件,如利用積分球測量物件的穿透率和反射率,並且可以測量低噪音水平的紫外區。大型玻璃、液晶電路板等光學電子材料亦可檢测。 |
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廠牌/型號 |
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||||
條列說明 重要規格 |
|
||||
條列說明 使用規定 |
|
||||
預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
橢圓偏光儀(Ellipsometer)
儀器中文全名 |
4205 橢圓偏光儀 |
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儀器中文簡稱 |
橢偏儀 |
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儀器英文全名 |
4205 Ellipsometer |
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儀器英文簡稱 |
SE |
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儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
||||
儀器管理人 |
李芃葶 |
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TEL |
06-2757575 ext.31389 |
||||
|
ptli@ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
■ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
橢圓偏光儀為一種非破壞性且快速的光學檢測儀器,量測到的偏振光狀態變化,藉由後端模型建立及分析,可得知薄膜材料之厚度、折射率、消光係數、介電常數以及色度等相關資訊。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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||||
條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
晶體分析 Lattice Microanalysis
X光繞射儀(X-Ray Diffractometer)
儀器中文全名 |
4301 X光繞射儀 |
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儀器中文簡稱 |
X光繞射儀 |
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儀器英文全名 |
4301 X-Ray Diffractometer |
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儀器英文簡稱 |
XRD |
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儀器位置 |
照坤精密儀器大樓B1/奈米檢測暨分析實驗室 |
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儀器管理人 |
莊雅雯 |
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TEL |
06-2757575 #31383 #9 |
||||
|
10708150@gs.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
■ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
當入射X光打在樣品上會被原子平面反射,其入射光與反射光程差為波長的整數倍時,相鄰的結晶面散射波就會產生建設性干涉使X光波振幅倍增,意即當入射X光滿足上述之布拉格定律(2dsinθ=nλ)時,便會產生繞射現象,其中原子的平面之間距離為d、θ為X光入射角。由量測圖譜得θ和λ,可由布拉格定律公式2dsinθ=nλ,計算得到原子平面間距d。 |
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廠牌/型號 |
|
||||
條列說明 重要規格 |
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||||
條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
||||
技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
高強度多功能X光薄膜微區繞射儀(Multipurpose High Intensity X-Ray Diffractometer)
儀器中文全名 |
高強度多功能X光薄膜微區繞射儀 |
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儀器中文簡稱 |
高強度多功能X光薄膜微區繞射儀 |
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儀器英文全名 |
Multipurpose High intensity X-Ray Thin-Film Micro Area Diffractometer |
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儀器英文簡稱 |
Multipurpose High intensity X-Ray Diffractometer (Thin-Film XRD) |
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儀器位置 |
2樓 / 0213室 |
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儀器管理人 |
蘇柏榕 |
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TEL |
06-2757575分機31362 |
||||
|
z10704004@ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
■ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
取樣尺寸建議事項:
樣品準備:薄膜樣品,1cm*1cm (膜厚:20~200 nm)(若是鉻錳鐵鈷材料,請標示)
樣品準備:2cm*2cm,並需繞射角度(2Theta),大於85°處有繞射尖峰 (薄膜樣品之膜厚至少須200 nm)
樣品準備:2cm*2cm
樣品準備:磊晶薄膜樣品,大於1cm*1cm 本儀器以序號預約,於網路上取得預約序號者,請下載使用申請表,預約分析內容請於備註欄中註明(或採用此表),並將試片及申請表送交技術員接洽實驗事宜,始完成預約程序。每一序號樣品數量限制如下: 低掠角繞射、一般繞射分析: 一般測試條件為12個樣品,若是慢速掃瞄則為5個樣品。殘留應力(Residual stress)、極圖組織(Pole Figure)、高溫繞射分析: 5個樣品。微區繞射分析: 12個樣品。Rocking Curve、Reflectivity: 8個樣品。
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/VI_SearchResult?insName=XRD001900 |
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技術手冊 |
高溫二維X光廣角繞射儀(High Temperature 2D X-Ray Diffractometer)
儀器中文全名 |
高溫二維X-ray 廣角繞射儀(粉末X光二維繞射儀) |
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儀器中文簡稱 |
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儀器英文全名 |
High Temperature 2D X-ray Diffractometer |
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儀器英文簡稱 |
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儀器位置 |
照坤精密儀器大樓地下B105室 |
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儀器管理人 |
李坤樹 |
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TEL |
(06)2757575#31363#214 |
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z9806042@email.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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▓ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
二維繞射XRD相較於傳統的一維數據技術,可同時收集多角度範圍內的繞射訊號,生成二維繞射圖譜。透過面積偵測器擴大探測範圍,提升數據收集效率與品質,同樣適用於粉末、固體及薄膜等各種樣品晶體結構研究。二維繞射圖譜能同時觀察各方向的繞射環或點,有助於分析晶體取向、織構及結構特性,為材料研究提供更多維度的結構資訊。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
主要儀器:高溫二維X-ray 廣角繞射儀(國科會儀器代碼:XRD005101)
附件儀器:低掠角薄膜X光繞射儀(國科會儀器代碼:XRD005102) 應用包括晶體結構分析、相組成鑑定、晶粒大小測定、應力分析、薄膜織構及薄膜介面研究等。
1. Goniometer:Theta / 2Theta |
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條列說明 使用規定 |
依照國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統規定預約。 適用於粉末、固體及薄膜等各種樣品。 |
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
單晶X光繞射儀(Single-Crystal X-Ray Diffractometer)
儀器中文全名 |
單晶X光繞射儀 |
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儀器中文簡稱 |
單晶繞射儀 |
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儀器英文全名 |
Single Crystal X-ray diffraction |
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儀器英文簡稱 |
SCXRD |
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儀器位置 |
B1F/B112 |
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儀器管理人 |
洪慈蓮 |
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TEL |
31359 |
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z11205048@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
單晶X光繞射儀用於未知結構解析,常用於有機分子、金屬錯合物、有機金屬框架、無機材料、固態材料等各式晶體。獲得的結構資訊有最小晶胞尺寸、晶格型態、原子在空間中排列分布、原子間的鍵長、鍵角及熱擾動位移參數。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
有機化合物與有機金屬化合物:> 0.04×0.04×0.04 mm3 無機化合物:> 0.02×0.02×0.02 mm3
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預約系統 |
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技術手冊 |
小角度X光散射儀(Small Angle X-Ray Scattering)
儀器中文全名 |
小角度X光散射儀 |
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儀器中文簡稱 |
小角 |
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儀器英文全名 |
Small Angle X-ray Scattering |
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儀器英文簡稱 |
SAXS, WAXS |
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儀器位置 |
B1F/B107 |
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儀器管理人 |
洪慈蓮 |
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TEL |
31359 |
||||
|
z11205048@ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
小角度X光散射儀是利用X光與電子的散射現象,可測量高分子材料、膠體系統、生化材料結構、陶瓷材料的結構分析,可提供材料的大小、形狀和內部結構的訊息。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
1. SAXS with VANTEC-2000 for 1070 mm 2. SAXS with VANTEC-2000 for 670 mm 3. SAXS with VANTEC-2000 for 270 mm 4. WAXS with IP for 98 mm 5. WAXS with IP for 50 mm |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
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技術手冊 |
粒徑分析 Particle Size Analysis
動態光散射儀(Dynamic Light Scattering)
動態光散射儀(Zeta電位)(Dynamic Light Scattering-Zeta Potential)
奈米粒子追蹤分析儀(Nanoparticle Tracking Analysis)
物理性質 Physical Properties
氦液化系統(Helium Liquefier System)
儀器中文全名 |
氦液化系統 |
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儀器中文簡稱 |
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儀器英文全名 |
Helium Liquefier System |
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儀器英文簡稱 |
HLS |
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儀器位置 |
國立成功大學成功校區物理系一館1樓3112室 |
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儀器管理人 |
李民楷 |
|||
TEL |
31414 |
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anion3143@hotmail.com | |||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
|
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
|
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
|
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
■ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
氦液化系統是將氦氣液化成液態氦氦液化過程是將氦氣壓縮,經雜質吸附器進入液化機,首先經由液氮預冷,再由五個熱交換器及二個膨脹引擎壓縮工作逐漸降溫到達 6k~18k溫度,經由J-T閥門轉變成液態氦,此降溫過程須費3~4小時才能達到工作溫度。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
氦液化機(Linde Model 1610 Helium Liquefier) 氦氣壓縮機(Linde Model RS Helium Compressor) 氦氣回收系統(Helium Recovery System) 氦氣測漏儀(Portable Helium Leak Detector) 氦氣純度測定儀(Portable Helium gas Analyzer) |
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條列說明 使用規定 |
1.氦氣液化,供應液態氦。(需於三天前預約) 2.回收氦氣純度測定。 3.液氦桶提供交換運輸。(如自備桶須於前兩天灌1/5桶液氮預冷。) |
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預約系統 |
[https://vir.nstc.gov.tw/] |
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技術手冊 |
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物理性質量測系統儀(PPMS)
儀器中文全名 |
物理性質量測系統儀 |
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儀器中文簡稱 |
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儀器英文全名 |
Physical Property Measurement System 16T |
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儀器英文簡稱 |
PPMS |
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儀器位置 |
B1/B101(或實驗室名稱) |
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儀器管理人 |
李民楷 |
||||
TEL |
31414 |
||||
|
anion3143@hotmail.com |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
■ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
成大核心設施中心所購置的物理性質量測系統儀配有一顆磁場可達16T的超導磁鐵,樣本空間的直徑為2.54公分,於104年12月安裝測試完成,並於105年1月正式上線服務,成大核心設施中心除購買主體之外,尚購置了稀釋製冷系統,直流與交流磁化率量測套件,比熱套件,及熱傳輸套件。電性量測使用Keithly 6221及2182A並搭配我們自行開發的程式及探頭,並與物理性質量測系統儀連結做量測。我們可提供用戶在低溫高磁場環境下不同種類的物理性質量測。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
一、溫控參數 1.溫度變化範圍:1.8K~400K 2.變溫速率:0.1 ~ 6 K/min 3.溫度穩定性:±0.5% 4.溫度正確性:±1%或0.5K
二、磁場參數 1.最大磁場範圍:-160 kOe ~ 160 xkOe 2.磁場均勻性:1cm內的變化量為0.1% 3.充磁速率:10 Oe/sec ~ 220 Oe/sec 4.磁場解析度:0.33Oe 5.殘餘磁場:< 150 Oe 6.磁鐵形式:NbTi/NbSn3 Hybrid
三、稀釋製冷系統 1.溫度變化範圍:50 mK ~ 4K 2. 100mK時的製冷能力:0.25 uW (樣本端) 3.溫度穩定性:±0.2% 4.降溫時間(300K-100mK):8小時以內 5.樣本空間:直徑22mm高35mm的圓柱空間
四、直流磁強量測參數(VSM mode) 1.最大量測磁強:200 emu 2.靈敏度:1×10-6emu (量測時間小於10秒)、 3.可變震幅範圍:0.1 mm ~ 2 mm
五、交流磁化率量測參數 1.靈敏度:1×10-8emu 2.交流場震幅範圍:0.005 Oe ~ 15 Oe 3.交流場頻率範圍:10 Hz ~ 10 kHz
六、比熱量測參數 1.溫度變化範圍:1.8 K ~ 400 K;50 mK ~ 4K 2.樣本大小:0.3 mg ~ 500mg (視量測溫度範圍與樣本性質) 3.比熱解析度:10nJ/K@2K
七、熱傳輸套件量測參數 1.熱傳導誤差:<5% 2.席貝克係數誤差:<5% 3.量測溫度範圍:1.8 K ~ 400 K
八、Keithly 6221 &2182A 1.直流電流輸出:100 fA ~ 100 mA 2.交流電流輸出:4 pA ~ 210 mA 3.最大頻率:100 kHz 4.最短脈衝寬度:5 μs 5.最大量測電阻:1 MOhm (另有二線式量測可量200 GOhm)
九、超低溫交流磁化率量測參數 1.溫度變化範圍:50 mK ~ 4K 2.可承受之最大靜態磁場:120 kOe 3.交流場震幅範圍:0.002 Oe ~ 4 Oe 4.交流場頻率範圍:10 Hz ~ 10 kHz 5.靈敏度:5×10-8emu
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條列說明 使用規定 |
預約前:
量測後:
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
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超導量子干涉磁化儀(SQUID VSM)
儀器中文全名 |
超導量子干涉磁化儀 |
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儀器中文簡稱 |
|
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儀器英文全名 |
Superconducting Quantum Interference Device Vibrating Sample Magnetometer |
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儀器英文簡稱 |
SQUID VSM |
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儀器位置 |
B1/B101 |
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儀器管理人 |
楊章君 |
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TEL |
06-2757575 # 31358 |
||||
|
yaona1225@gmail.com |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
■ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
||
應用/功能簡介 (100字內) |
SQUID MPMS3 是美國 Quantum Design 公司所生產的的磁性測量儀器,利用超導量子干涉技術,其具備極高的靈敏度,可精確測量微弱的磁性信號。成大核設中心之SQUID MPMS3備有高溫套件及氦三製冷機,能量測溫度範圍為0.42 K 至 1000 K,並能產生高達 ±7 Tesla 的磁場,用於研究材料在不同環境下的磁性行為。這款設備應用靈活,適合測量各種樣品,並廣泛用於物理、材料科學及化學等領域,為磁性材料和超導體的研究提供了重要支持。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
一、溫控參數 1.溫度變化範圍:1.8K~400K 2.最大降溫速率:30K/min(300K降至10K溫度平衡約需15min)、 10K/min(10K降至1.8K溫度平衡約需10min) 3.溫度穩定性:±0.5% 4.溫度正確性:±1%或0.5K
二、磁場參數 1.最大磁場範圍:-70kOe~70kOe 2.磁場均勻性:4cm內的變化量為0.01% 3.充磁速率:4Oe/sec~700Oe/sec 4.磁場解析度:0.33Oe 5.殘餘磁場:<5Oe
三、直流磁強量測參數(VSM mode、DC mode) 1.最大量測磁強:10emu 2.靈敏度:<2500Oe: 1×10-8emu (量測時間小於10秒)、 >2500Oe: 8×10-8 emu (量測時間小於10秒) 3.可變震幅範圍:0.1mm~8mm
四、交流磁化率量測參數 1.靈敏度:5×10-8emu 2.交流場震幅範圍:0.005Oe~15Oe 3.交流場頻率範圍:0.1Hz~1kHz
五、高溫套件 1.溫度變化範圍:300K~1000K 2.溫度穩定性:2% 3.溫度正確性:±0.5K 4.靈敏度:<2500Oe: 1×10-6emu (量測時間小於10秒)、 >2500Oe: 8×10-6emu (量測時間小於10秒)
六、氦三製冷機 1.溫度變化範圍:0.42K~1.8K 2.量測期間的溫度穩定性 ±1% 3.溫度校準精度:2% 4.支援量測模式:DC量測 |
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條列說明 使用規定 |
預約前:
量測後:
|
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/ |
||||
技術手冊 |
|
瞬態吸收光譜儀(Transient Absorption Sperctrometer)
儀器中文全名 |
瞬態吸收光譜儀 |
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儀器中文簡稱 |
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儀器英文全名 |
Transient Absorption Spectrometer |
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儀器英文簡稱 |
TAS |
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儀器位置 |
B1/檢測實驗室 |
||||
儀器管理人 |
李民楷 |
||||
TEL |
06-2757575 # 31414 |
||||
|
anion3143@hotmail.com |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
■ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
瞬態吸收(Transient Absorption)光譜技術利用Pump-probe技術量測材料內部的載子時間動力學。利用高頻率的脈衝雷射激發(Pump)樣品產生瞬態,例如電子激發態、電荷轉移反應中間體或是自由基活化等,藉由探測(Probe)光源在不同波長的吸收與延遲時間(Delay time),記錄其能量弛豫回到基態的過程。 |
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廠牌/型號 |
|
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條列說明 重要規格 |
利用單一的偵測器來量測特定單一波長下的瞬態吸收動力學,進一步掃描不同的波長,在不同的時間點取出特定的光譜變化。
利用感光耦合元件(Charge-coupled Device,CCD)偵測器去量測單一雷射脈衝下的全波長吸收光譜。
電荷轉移與能量弛豫現象為許多物理與化學反應的主要機制,舉凡太陽能電池、發光元件、界面催化、光合作用、準粒子的形成等,均倚賴電荷或能量轉移來完成。瞬態吸收光譜可分析材料內部與介面的電荷轉移與能量弛豫的行為並探索其機制,是研究各類型光電元件中載子動力學上的重要技術。 |
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條列說明 使用規定 |
(1) 溶液樣品: 代測樣品溶液請稀釋為清澈透光,本中心會準備3.5 mL的石英皿為樣品承裝。有自行準備特殊載具者,請先與儀器管理員聯繫,以討論樣品座適合程度。 (2)薄膜樣品: 代測樣品為薄膜且基板可透光者,本中心會先以穿透式量測;代測樣品為薄膜且基板不透光者,則採用反射式量測。有自行準備特殊載具者,請先與儀器管理員聯繫,以討論樣品座合適程度。
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/ |
||||
技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
核磁共振儀 NMR
600MHZ 核磁共振儀(600MHz NMR)
儀器中文全名 |
600MHz核磁共振儀 |
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儀器中文簡稱 |
600核磁共振儀 |
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儀器英文全名 |
600MHz Nuclear Magnetic Resonance Spectrometer |
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儀器英文簡稱 |
600NMR |
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儀器位置 |
B1/106室 |
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儀器管理人 |
林碧雲 |
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TEL |
06-2757575-31375 |
||||
|
z7710011@email.ncku.edu.tw |
||||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
v 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
600MHz NMR目前搭配的室溫BBFO探頭,超導核磁共振儀是研究自旋角動量不為零的原子核所具有的磁矩,分子置於外加靜磁場下與電磁波脈衝產生磁作用時的熱力學與動力學行為,進而對分子進行分析。應用於化學結構鑑定、化學成分分析、熱力學及動力學探討等。主要檢測的項目包含一維氫譜、一維異核圖譜、二維實驗等。使用的軟體為Topspin3.5pl6版,可進行樣品檢測、作圖、圖譜輸出及數據分析等。應用範圍:化學、化工、生物、食品農業、藥學、材料、物理、環工等學門。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
1.主機(BRUKER AVANCE III HD) 2.磁鐵(600MHz) 3.電腦PC資料處理機(軟體Topspin3.5pl6) 4.探頭(BBFO) |
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條列說明 使用規定 |
服務項目及收費標準: 1.本室有提供一般氘-溶劑(CDCl3,D2O,DMSO)及NMR tube. 2.測試樣品量:氫(5-10mg),碳及二維圖譜需(20-30mg). (1)有計畫者氫譜每件250元(須加溶劑50元或試管100元),非計畫者氫譜每件1500元(須加溶劑200元或試管200元). (2)有計畫者碳譜或異核圖譜每件600元,非計畫者每件2500元. (3)有計畫者二維圖譜每件2000元,非計畫者每件3000元. (4)有計畫者長時間實驗每小時150元,非計畫者每小時600元. (5)有計畫者教育訓練每小時1100元,非計畫者每小時2200元. |
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/home/Index |
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技術手冊 |
CFC儀器設備技術手冊與訓練教材(附檔) |
700MHZ 高磁場超導核磁共振儀(AVIIIHD 700NMR)
儀器中文全名 |
700MHz高磁場超導核磁共振儀 |
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儀器中文簡稱 |
700MHz核磁共振儀 |
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儀器英文全名 |
700MHz high magnetic field superconducting nuclear magnetic resonance spectrometer |
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儀器英文簡稱 |
700MHz NMR |
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儀器位置 |
B103室 |
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儀器管理人 |
周詰鈞 |
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TEL |
06-2757575#31377 |
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|
z11103056@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
訊雜比(S/N): 氫核:≧7000:1(樣品 0.1% Ethylbenzene) 碳核:≧1250:1(樣品 ASTM) 線型(Lineshape): 氫核:≦ 8 / 16 Hz(0.11% / 0.55% non-spinning, 樣品 0.3% Chloroform) 配備Z方向磁場梯度之5mm之寬頻探頭 RT Broadband Probe 頻範圍:31P ~109Ag 自動調協裝置 梯度磁場
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/VI_SearchResult |
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技術手冊 |
無 |
固態核磁共振光譜儀(Soild State NMR)
儀器中文全名 |
固態核磁共振光譜儀 |
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儀器中文簡稱 |
固態核磁共振光譜儀 |
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儀器英文全名 |
Bruker Avance III HD Solid State NMR |
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儀器英文簡稱 |
Bruker Avance III HD Solid State NMR |
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儀器位置 |
儀設大樓一樓0115室(或實驗室名稱) |
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儀器管理人 |
孫淑宜 |
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TEL |
06-2757575*31412 |
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|
suncp@mail.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
▇ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
normal service: .13C,29Si,31P,27Al,23Na,119Sn,11B,2H,7Li、51V ‧special service: .2D |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
BRUKER AVANCE III HD Solid State NMR ‧CPMAS probe 7mm rotor 15N ~ 31P ‧CPMAS probe 4mm rotor 15N ~ 31P ‧Wide line probe 109Ag ~ 31P ‧Ultra Low temperature probe 63Cu,29Si,79Ga ‧VT unit BVT 3000 |
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條列說明 使用規定 |
請洽06-2757575*31412 |
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預約系統 |
[請附網頁連結] |
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技術手冊 |
500MHZ 超導核磁共振儀(AVNEO 500NMR)
儀器中文全名 |
超導核磁共振儀500MHz |
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儀器中文簡稱 |
超導核磁共振儀500MHz |
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儀器英文全名 |
Nuclear Magnetic Resonance 500MHz |
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儀器英文簡稱 |
NMR 500MHz |
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儀器位置 |
理學教學大樓 化學系36116室 |
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儀器管理人 |
甘宗倫 |
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TEL |
06-2757575#61365 |
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|
i3deagle@gmail.com |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
R 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
NMR的主要功能為化合物的結構鑑定及分析,可應用於有機化學、天然物分析,化學成分分析、反應機制探討,聚合物分析,定量分析等,並藉由常見的氫譜、碳譜、異核圖譜、二維實驗、擴散實驗、變溫實驗等進行相關的研究及探討。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
1.磁鐵:11.7 tesla 2.主機:BRUKER AVANCE NEO 3.軟體:Topshim 4.3.0 4.自動進樣系統:可放置24個樣品 5.探頭(iProbe): (1).Z方向磁場梯度之5mm寬頻(Broad Band)探頭。 (2).探頭溫度涵蓋範圍為-150℃~150℃。 (3).頻率涵蓋範圍為1H/19F/31P~199Hg/17O -109Ag。 (4).自動調諧裝置(Automatic Tuning and Matching) 。 (5).19F與1H分屬不同線圈。 (6).能執行磁場梯度實驗。 (7).性能規格: a. 1H S/N≧850 (0.1% EB; 200 Hz noise; LB=1 Hz)。 b. 19F(去耦合1H) S/N≧700 (TFT; 1ppm noise; LB=0.5 Hz)。 c. 13C(去耦合1H) S/N≧380 (10% EB,5 ppm noise; LB=0.1 Hz)。 d. 31P S/N≧250 (TPP; 5 ppm noise; LB= 5 Hz)。 e. 1H核的90°脈衝時間≦10 μsec。 f. 13C核的90°脈衝時間≦12 μsec。 g. 1H樣品不旋轉時線型(Lineshape)優於7/14 Hz (1% CHCl3)。
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條列說明 使用規定 |
因實驗種類繁多,實驗設定參數也複雜,加上樣品數量多,因此暫不對外開放使用者操作機台。可接受委託檢測,經國科會貴儀網站預約後,即可送測樣品。 |
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/home/ReserveService |
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技術手冊 |
https://ctrmost-cfc.ncku.edu.tw/var/file/210/1210/img/4625/403181451.pdf |
表面分析 Surface Analysis
化學分析電子光譜儀(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis, ESCA XPS)
儀器中文全名 |
化學分析電子光譜儀 |
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儀器中文簡稱 |
化學分析電子光譜儀
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儀器英文全名 |
Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
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儀器英文簡稱 |
ESCA |
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儀器位置 |
自強校區 照坤精密儀器大樓0211室 |
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儀器管理人 |
李瑞欽 |
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TEL |
31411 |
||||
|
Z8011013@email.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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■ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
化學分析電子光譜儀(ESCA)是一種分析材料表面組織形態及化學結構的儀器,可適用於電機、機械、電子、材料、化學、化工等研究領域。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
XPS:光源為掃描式Al Kα單光化X 光 Argon Ion Gun,可用於清潔樣品表面和縱深分析。 電荷中和系統:中和樣品表面的電荷累積。 Transfer Vessel: 可於手套箱內將空氣敏感不穩定的樣品密封,觀察樣品的真實狀態。 |
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條列說明 使用規定 |
1.由於ESCA是對試樣表面非常靈敏的儀器,因此,保持試片表面的原狀與潔淨,對分析結果的正確與否非常重要。 2.樣品規格:ESCA面積小於2cm*2cm,厚度小於5mm。 3.樣品不得具有磁性、毒性、輻射性。 4.Depth profile以不超過1um為原則。 凡發表論文將儀器列共同作者或致謝中提起.享有預約優先與優待服務 (NSC Instrument Center NCKU PHI Versa Probe 4 |
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預約系統 |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
X光光電子能譜儀(X-Ray Photoelectron Spectronmeter)
儀器中文全名 |
X光電子能譜儀 |
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儀器中文簡稱 |
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儀器英文全名 |
X-ray Photoelectron SPECTROSCOPY |
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儀器英文簡稱 |
XPS |
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儀器位置 |
自強校區 照坤精密儀器大樓0211室 |
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儀器管理人 |
李瑞欽 |
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TEL |
31411 |
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Z8011013@email.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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■ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
X光電子能譜儀(XPS)是一種分析材料表面組織形態及化學結構的儀器,可適用於電機、機械、電子、材料、化學、化工等研究領域。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
XPS:光源為掃描式Al Kα單光化X 光 Argon Ion Gun,可用於清潔樣品表面和縱深分析。 電荷中和系統:中和樣品表面的電荷累積。 Transfer Vessel: 可於手套箱內將空氣敏感不穩定的樣品密封,觀察樣品的真實狀態。 |
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條列說明 使用規定 |
1.由於XPS是對試樣表面非常靈敏的儀器,因此,保持試片表面的原狀與潔淨,對分析結果的正確與否非常重要。 2.樣品規格:XPS面積小於2cm*2cm,厚度小於5mm。 3.樣品不得具有磁性、毒性、輻射性。 4.Depth profile以不超過1um為原則。 凡發表論文將儀器列共同作者或致謝中提起.享有預約優先與優待服務 (NSC Instrument Center NCKU PHI Versa Probe 4 |
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預約系統 |
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技術手冊 |
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接觸角量測儀(Contact Angle Meter)
儀器中文全名 |
4206 接觸角量測儀 |
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儀器中文簡稱 |
接觸角量測儀 |
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儀器英文全名 |
4206 Contact Angle Meter |
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儀器英文簡稱 |
CA |
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儀器位置 |
B1檢測實驗室 |
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儀器管理人 |
李芃葶 |
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TEL |
06-2757575 ext.31389 |
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|
ptli@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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■ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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M應用/功能簡介 (100字內) |
接觸角(Contact Angle,θ)為衡量材料親、疏水性的重要指標。 接觸角(θ)係指當一液體與固體接觸時,經由固、液、氣三項都接觸到的三相點沿著液/氣界面的切線方向所形成的夾角,也就是液體表面與固體表面之間的夾角。 接觸角為一種濕潤性的量度,數值為0-180度。當θ<30∘,稱超親水性表面;θ介於30-90∘,稱親水性表面;θ介於90-150∘,稱疏水性表面;當θ介於150-180∘,稱超疏水性表面。建立量測接觸角與表面能量測方法,將有助於研發材料性能提升。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
液體表面張力測 固體表面能計算 (Surface Energy)
容量2.0 ml 最小刻度 : 0.002 ml-Teflon 耐酸鹼材質
樣品最大尺寸 寬度 : 30cm 厚度 : 5.5cm 樣品定位: Z軸手動上昇下降(2.5cm) Y軸手動式移動定位 (行程 15cm)
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條列說明 使用規定 |
僅提供水滴角數據。 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
質譜儀 MS
元素分析儀(Elemental Analyzer)
儀器中文全名 |
元素分析儀 |
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儀器中文簡稱 |
元素分析儀 |
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儀器英文全名 |
Elemental Analyzer |
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儀器英文簡稱 |
Elemental Analyzer |
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儀器位置 |
儀設大樓一樓0106室(或實驗室名稱) |
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儀器管理人 |
孫淑宜 |
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TEL |
06-2757575*31412 |
|||
|
suncp@mail.ncku.edu.tw |
|||
技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
|
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
|
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
|
□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
▇ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
N、C、H、S、O、Cl
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
元素分析儀乃德國Elementar UNICUBE,此儀器可定量分析可燃燒無爆炸性之體樣品中C、H、 N、S、Cl之重量百分比。 送樣應注意事項 1.純化學品之分析,樣品需要精製使其接近百分之百之純度,並經乾燥處理。 2.在申請表上,請盡量提供有關送測樣品的資料。請務必告之樣品所含之成份及所含所有元素,完全不知為何物之樣本,請勿送測。 3.含F之樣品只限南部使用者。 |
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條列說明 使用規定 |
請洽06-2757575*31412 |
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預約系統 |
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技術手冊 |
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高解析感應偶和電漿質譜分析儀(ICP-MS)
儀器中文全名 |
高解析感應耦合電漿質譜分析儀 |
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儀器中文簡稱 |
高解析感應耦合電漿質譜分析儀 |
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儀器英文全名 |
Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometer |
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儀器英文簡稱 |
ICP-MS |
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儀器位置 |
儀器設備大樓1樓0105室 |
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儀器管理人 |
徐光毅 |
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TEL |
06-2757575 #31399 |
||||
|
Z11008108@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
||
□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
||
□ 表面分析 |
■ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
本儀器可提供樣品中各種微量元素濃度的分析服務,分析內容依委託單位需求可分為: 1.半定量分析:可提供元素及元素的濃度範圍。 2.定量分析:提供確切的分析數據。 3.樣品消化前處理:將固體樣品溶解或消化成液體樣品。 分析服務對象包括:材料科技研究;環境、食品及藥品研究;生物醫學、化學及工業產品分析等有關研究領域的元素分析服務。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
可測 69 個元素,偵測極限由 10 ppt ~ 102 ppm |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
高解析Orbitrap質譜儀串聯液相層析暨晶片電泳分析系統(CE/LC-MS)
儀器中文全名 |
高解析軌道阱質譜儀串聯液向層析系統 |
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儀器中文簡稱 |
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儀器英文全名 |
High-resolution Orbitrap mass spectrometry tandem liquid chromatography system |
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儀器英文簡稱 |
LC-HRMS |
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儀器位置 |
力行校區生科大樓11樓89B05室 |
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儀器管理人 |
李姵誼 |
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TEL |
06-2080681 |
||||
|
z11206051@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
|
□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
||
□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
4. LC-MS分析(大、小分子): 跑25min LC分離梯度,並連接質譜偵測 (Full-MS, DDA, or DIA)。(樣品需先純化並先與技術員討論管柱是否適用或是要自備管柱) 5. 蛋白質身分鑑定分析:以Nano LC-MS/MS 分析蛋白質。 |
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廠牌/型號 |
廠牌:Thermo Fisher Scientific 型號:Exactive Plus MS with Ultimate 3000 RSLCnano |
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條列說明 重要規格 |
高解析四極桿傅立葉轉換電場軌道質譜儀(High Resolution Q-Exactive Plus)
(1) 離子傳輸元件(Ion Optics): ►具有S-LENS 設計,有效提高傳輸效率 ►包括可獨立加熱式離子毛細管(Ion transfer tube) (2) 四極桿分析器: ►為HyperQuad mass filter ►Isolation width selection from 0.4 Da to full mass range (3) 真空系統(Vacuum System):包括渦輪幫浦(turbo pump)及旋轉幫浦(rotary pump),真空度可達 ≦ 1x10-9mbar。
儀器設計:同一模組內,具有兩種不同流速範圍之幫浦,奈升級幫浦NanoPump與毫升級幫浦MicroPump一組。具備自動進樣系統及管柱恆溫箱。經由串接加熱式電噴灑游離源(H-ESI)及奈升級電噴灑游離源(NSI)方式,導入質譜儀中,執行超高壓液相層析串聯質譜儀檢測功能。 (1) 可使用Xcalibur 軟體控制。 (2) 自動進樣系統AutoSampler 溫控範圍4-45℃。 (3) 管柱恆溫箱Column Compartment 溫控可達75℃。 (4) 奈升級幫浦NanoPump 耐高壓 >11,000psi。 (5) 毫升級幫浦MicroPump 耐高壓達8,500psi。
儀器設計: 加熱式電噴灑游離源(H-ESI):流速範圍可達1 µL/min至1 mL/min,加熱可達450℃。 奈升級電噴灑游離源(NSI):流速範圍可達10 nL/min至1,000 nL/min,在大氣壓力模式下操作。
(1) 具全質量掃描(Full Scan MS)。 (2) 二次全質譜質量掃描(Full Scan MS/MS)。 (3) 具選擇離子監控(target Selected Ion Monitoring,t-SIM)、數據依賴擷取法(DDA)、非數據依賴擷取法(DIA)、全離子碎片法(AIF)、平行反應監測法(Parallel Reaction Monitoring,PRM)等功能。 (4) 質量範圍(Mass Range):質量範圍設定m/z 50~6,000。 (5) 掃瞄速率(Scan Rate):≦12 Hz。 (6) 質量分辨率(Mass Resolution):最高可達280,000 FWHM 解析度。 (7) 極性切換(Polarity Switching):正負離子切換 <1 sec。 (8) 質量精確度(Mass Accuracy):質量外校誤差(external error)<3 ppm,質量內校誤差(internal error)<1 ppm。 (9) Multiplexing 技術可同時選擇最多10 個 Using Ion-Routing Multipole 10 precursors。 (10) 裂解技術:更高能量碰撞誘導解離(HCD)。 (11) 靈敏度(Sensitivity):注入30 fg 標準品(Buspirone) on column,SIM mode 靈敏度訊噪比(S/N)>100。 |
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條列說明 使用規定 |
1.本儀器不分校內校外,一律公開開放使用,並依照國科會相關管理規則辦理。 2.本分析服務單位不接受放射性或生物感染性樣品。 3.可接受樣品之儲存狀態有:粉末狀態、水溶液狀態;可全溶於可揮發性buffer(如甲醇、乙腈、異丙醇、水)。 4.樣品中禁止含有界面活性劑、磷酸、硫酸、無機酸鹽類或非揮發性鹽類;若因送測樣品中含此類物種而造成機器損害,送測者須負相關賠償責任。(膠內酵素水解樣品最後需經C18 cartridge或是ZipTip去鹽,才可送至本分析單位進行分析。) 5.蛋白質、胜肽分子量測定或是蛋白質鑑定之樣品(膠體消化樣品、水溶性消化樣品)建議總量為5~100pmole。小分子測定之樣品需有1mg以上的樣品進行分析。 6.進行蛋白質鑑定之樣品,請註明樣品來源種類(例如:human、rattus...等)。 7.本實驗室一律以-20℃儲存送測樣品,如需其它特殊儲存方式請另行告知。 8.本分析服務單位不負責於運送過程中的損害。 9.自備管柱者,請先提供壓力、溫度及pH值適用範圍。 10.自行操作者,請自備上機用手套、內插管(或vial瓶)、瓶蓋,使用完應將儀器復歸,並自行處理圖譜。 11.自備LC:有長期或特殊需求而自備LC,儀器串聯需經專業風險評估,不得損壞或影響質譜儀或相關儀器運轉;如有損壞,應予賠償。 |
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
高解析氣相層析飛行質譜儀(HR-TOF-MS)
儀器中文全名 |
高解析氣相層析飛行質譜儀 |
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儀器中文簡稱 |
高解析氣相層析飛行質譜儀 |
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儀器英文全名 |
High Resolution TOF- Mass spectrometer |
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儀器英文簡稱 |
High Resolution TOF- Mass spectrometer |
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儀器位置 |
成功大學 自強校區 儀器設備大樓1F GC/MS實驗室 |
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儀器管理人 |
賴麗娜 |
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TEL |
06-2757575分機31378 |
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Z7805010@email.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
■ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
儀器購置年月:2018年10月 加入貴儀年月:2019年1月 儀器經費來源:國科會 廠牌及型號:日本 JEOL AccuTOF GCx-plus 及 SHIMADZU QP2020 功能簡介:
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廠牌/型號 |
廠牌:JEOL及SHIMADZU 型號:JEOLAccuTOF GCx-plus及SHIMADZU QP2020 |
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條列說明 重要規格 |
一、凡送至本中心之待測樣品(sample),若只要測質譜,希望能事先加以純化(purification) 。 二、送測樣品:請在申請單上儘量告知所有的資料,例如:溶點(melting point),沸點 (boiling point),分子量(MV)範圍。 三、GC-MS 之測定,請於送測樣品前,先找出最好的GC條件。 四、所需待測樣品之量極少,固態及液態者只需1 ㎎即夠使用,但若可能請多送一些樣品,以便有懷疑時,多做檢定。 |
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條列說明 使用規定 |
1.預約樣品時、不同測試項目請分開預約。2.每個序號樣品數量不要超過10個。 |
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預約系統 |
https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
進階服務 Advanced Services
臨場高解析穿透式電子顯微鏡-液態樣品:靜/動態觀察、加熱及電化學功能
物理性質量測系統-高壓量測(PPMS-Pressure Cell)
超導量子干涉磁化儀-高壓量測(SQUID-Pressure Cell)
單晶X光繞射儀-高壓量測(Single-Crystal X-Ray Diffractiometer-D-Pressure Cell)
掃描探針顯微鏡-掃描電化學(AFM-Base SECM)
其他 Others
晶圓切割機 (Wafer Cutting Machine)
儀器中文全名 |
1301晶圓切割機 |
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儀器中文簡稱 |
切割機 |
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儀器英文全名 |
1301 Wafer Cutting Machine |
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儀器英文簡稱 |
Wafer Cutter |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
楊士弘 |
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TEL |
(06) 2757575#31380#233 |
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z11110045@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
■ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
提供玻璃、石英及高分子三種厚板的選擇可進行試片、元件之切割,操作步驟相單簡便,首先只需更換刀片,作高度定位再設定參數校準切割線便可切割,需給予機台校準參考線以供精準對位。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |