中心儀器

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中心儀器

類別列表

儀 器列表

微影 Lithography

電子束微影系統 (Electron Beam Lithography System)

儀器中文全名	1101 電子束微影系統
儀器中文簡稱	電子束微影系統
儀器英文全名	1101 Electron Beam Lithography
儀器英文簡稱	EBL
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	陳子欣
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#208
E-mail	tzuhsin@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	█ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	電子束微影系統（E-beam Lithography）主要用於高精度微結構製作，透過聚焦電子束在光阻材料上曝光，實現奈米級別的圖形轉移。此技術廣泛應用於半導體製程、微機電系統（MEMS）、奈米光電元件等領域。其高解析度和靈活性使其適合於小批量製造與原型開發，能實現精細圖形的定制加工。
廠牌/型號	廠牌：鴻碩企業有限公司代理；,ELIONIX INC(日本原廠) 型號：ELS-7500 EX
條列說明重要規格	電子束規格: 電子槍型態: ZrO/W thermal field emitter 電子束最小直徑: 2 nm φ（at 50 kV）加速電壓: 50 KV 電流: 1×10^-12～5×10^-8 A 繪圖方法:Vector scan 載台位移方式: Step & Repeat 樣本尺寸: 2~6”φ wafer/ mask or 1~2.5 cm破片曝光面積: X-direction: 100 mm × Y-direction: 110 mm 曝光區大小: 75~1200 μm
條列說明使用規定	不須光罩即可製作>10 nm之奈米圖案高解析度之電子顯微功能 (500,000X) 高精密度載台定位系統 (0.6 nm) (d)使用PC系統以及相容AutoCAD
預約系統	學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ 業界自操: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/ 業界代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/
技術手冊	技術手冊

旋轉塗佈儀(Spin Coater )

儀器中文全名	1106旋轉塗佈儀I
儀器中文簡稱	旋塗儀I
儀器英文全名	1106 Spin Coater I
儀器英文簡稱	SP I
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	楊士弘
TEL	(06) 2757575#31380#233
E-mail	z11110045@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	■ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	利用離心力將光阻均勻塗佈到試片。
廠牌/型號	廠牌：鑫拓實業股份有限公司型號：MSC-300D
條列說明重要規格	轉速設定範圍: 100~8000rpm 加速時間設定: 0.1 ~99.9秒加速度: 3000 rpm/s 減速時間設定: 0.1 ~99.9秒程式容量: 10 組 * 50 步驟試片在台尺吋: 破片 ~ 4” 晶片
條列說明使用規定	使用後請確實清潔
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

旋轉塗佈儀 II (Spin Coater II )

儀器中文全名	1107 旋轉塗佈儀II
儀器中文簡稱	旋塗儀II
儀器英文全名	1107 Spin Coater II
儀器英文簡稱	SP II
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	楊士弘
TEL	(06) 2757575#31380#233
E-mail	z11110045@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	■ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	利用離心力將光阻均勻塗佈到試片。
廠牌/型號	廠牌：Laurell 型號：Model WS-650Mz-23NPPB
條列說明重要規格	適用於10mm~50mm晶圓轉速：0-12000 rpm。加速度控制：加速度可設定為1~13000 (含)之參數，以控制所需的加速。加速時間設定: 0.1 ~99.9秒 5.可控制加速度並操作25組(含)以上可控制程式 /每一組程式中可設定51(含)段以上步驟。
條列說明使用規定	禁用SU8和AZ以及厚度>10um的光阻使用後請確實清潔
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

SUSS 雙面光罩對準機 (SUSS Double-Side Mask Aligner)

儀器中文全名	1109雙面光罩對準機SUSS
儀器中文簡稱	光罩對準機SUSS
儀器英文全名	1109 Double-Side Mask Aligner SUSS
儀器英文簡稱	Mask Aligner SUSS
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	楊士弘
TEL	(06) 2757575#31380#233
E-mail	z11110045@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	■ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	MA/BA6 是設計用於 150 mm 大小以下的晶圓。是新一代半自動光罩對準機。此系列具備人體工學設計、友好的使用者介面，並適用於學術研究和小批量生產。它為微機電系統、奈米機電系統及3D集成等領域樹立新標準。
廠牌/型號	廠牌：SUSS 型號：MA/BA6
條列說明重要規格	光源/光源強度: LED : intensity : broadband >50mW/cm2, uniformity <2.5% , I-line > 20mw/cm2 uniformity <2.5% 曝光模式: hard-, soft- and vacuum contact, proximity 光罩基材間距: 0-300 µm adjustable via software 晶圓尺寸: 2 inch, 4 inch, and 6inch 晶圓厚度: TSA (Top Side Align) 0.1 - 10 mm (top side alignment) BSA(Back side Align) 0.1 – 7 mm 對準精度: TSA +/- 0.5 µm (with 20x objectives), BSA +/- 1 µm, TSA IR +/- 2µm (with 10x objectives)
條列說明使用規定	禁用SU8以及厚度>10um的光阻非3/4/6吋完整wafer禁用vacuum contact 可用5吋或7寸光罩
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

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蝕刻 Etching

反應式離子蝕刻機 (Reactive Ion Etching)

儀器中文全名	1201 反應式離子蝕刻機
儀器中文簡稱	反應式離子蝕刻機
儀器英文全名	1201 Reactive Ion Etching
儀器英文簡稱	RIE
儀器位置	B1F/無塵室
儀器管理人	李佩珊
TEL	06-2757575 ext. 31380#243
E-mail	z11111034@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	■ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	本機台為乾式蝕刻又稱為電漿蝕刻，為非等向性蝕刻，以氣體為主要的蝕刻媒介，藉由電漿能量來驅動反應，包含物理性（Physical）與化學性（Chemical）蝕刻優點，使製程擁有極佳的非等向性優點，且藉由蝕刻氣體和材料的化學反應選擇來決定蝕刻的大小、範圍。
廠牌/型號	廠牌：慶康科技型號：OMNI-RIE
條列說明重要規格	氣體: CF4、SF6、O2、N2、Ar 試片尺寸: < 4” 蝕刻材料: Poly-Si, SiO2, SiNx RF最大功率: 500W 氣體最大流量: 100sccm
條列說明使用規定	蝕刻材料不可含有Cu 每次蝕刻時間最長不超過8min, 若超過請分段
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿) (Inductive Coupled Plasma Etching System)

儀器中文全名	1202奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿)
儀器中文簡稱	奈米深蝕刻系統
儀器英文全名	1202 Inductive Coupled Plasma Etching System, ICP
儀器英文簡稱	ICP
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	陳子欣
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#208
E-mail	tzuhsin@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	█ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	奈米深蝕刻系統主要用於高深寬比乾式蝕刻（Aspect Ratio ≧ 15:1）。該系統採用Bosch蝕刻技術，通過交替進行氟化物蝕刻和氧化物沉積來實現深度奈米蝕刻。首先，使用SF₆等氣體進行化學蝕刻，移除材料表層；然後，使用O₂或C₄F₈沉積保護層，防止側壁損傷。此過程交替進行，有效實現高深度蝕刻並保持垂直側壁結構，適用於精密微製程。
廠牌/型號	廠牌：ELIONIX 型號：EIS-700
條列說明重要規格	氣體：C4F8、SF6、O2、N2 試片尺寸：< 6” 蝕刻材料：Poly-Si, SiO2, SiNx RF 最大功率： 1KW(Source) / 300W(Stage)
條列說明使用規定	僅接受2”~6” wafer或2 cm x 2 cm破片。破片須以真空膠帶固定置於whole wafer上，破片未固定或者使用光阻固定者，一律禁止置入。 whole wafer 背面及邊緣須完全清潔始可置入，不可有任何光阻、膠合物等沾染物。試片務必要乾淨、乾燥且無任何particle，若有particle請先以N₂槍吹乾淨。於真空中具揮發性，或有礙真空維持及可能污染腔體之疑慮，嚴禁放入腔體中。阻擋層：PR Mask 及 Cr Mask。(注意：其他阻擋層皆需取得機台管理者同意後才可進行蝕刻)
預約系統	業界自操: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/ 業界代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/
技術手冊	技術手冊

感應耦合離子電漿離子蝕刻機(ICP RIE System, Fluorine Base)

儀器中文全名	1205 感應耦合電漿離子蝕刻機
儀器中文簡稱	感應耦合電漿離子蝕刻機
儀器英文全名	1205 ICP RIE System (Fluorine base)
儀器英文簡稱	ICP RIE System (Fluorine base)
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	陳子欣
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#208
E-mail	tzuhsin@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	█ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	感應耦合電漿離子蝕刻機採用氟氣基蝕刻製程，通過CHF₃、Ar、O₂等氣體在低壓環境下產生高密度電漿，實現高效且均勻的材料移除。該系統具備奈米尺度結構製作的高精度，廣泛應用於材料科學、電子電機及光電元件製程，為微奈米技術與高精密製造提供關鍵支持。
廠牌/型號	廠牌：SAMCO 型號：RIE-101iPH
條列說明重要規格	氣體：CHF3、Ar和O2 試片尺寸：破片 ~ up to 4” wafer 蝕刻材料：矽化物 RF 最大功率：1KW(Source) / 300W(Stage)
條列說明使用規定	僅接受2”~4” wafer或破片。破片須以真空膠帶固定置於載盤上，破片未固定或者使用光阻固定者，一律禁止置入。載盤背面及邊緣須完全清潔始可置入，不可有任何光阻、膠合物等沾染物。試片務必要乾淨、乾燥且無任何particle，若有particle請先以氮氣槍吹乾淨。於真空中具揮發性，或有礙真空維持及可能污染腔體之疑慮，嚴禁放入腔體中。金屬材料蝕刻需先知會機台管理者，取得同意後才可進行蝕刻。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

感應耦合式高密度離子電漿蝕刻機(ICP RIE System, Chlorine Base)

儀器中文全名	1208 感應耦合式高密度電漿蝕刻機
儀器中文簡稱	感應耦合式高密度電漿蝕刻機
儀器英文全名	1208 ICP RIE System (Chlorine base)
儀器英文簡稱	ICP RIE System (Chlorine base)
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	陳子欣
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#208
E-mail	tzuhsin@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	█ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	感應耦合式高密度電漿蝕刻系統是以氯氣電漿（chlorine-based）為基礎的蝕刻系統，主要使用的氣體為Cl2、BCl3、SiCl4、Ar、O2和CHF3，適合III-V及金屬材料蝕刻，III-V材料及金屬材料的蝕刻具有相當的難度，主因是常用的F離子與III-V材料及金屬材料反應後的生成物，其汽化溫度大於攝氏1000度，造成無法蝕刻的問題，而氯氣離子的加入則可以大大降低反應生成物的氣化溫度至攝氏300度以下，因此能達成III-V材料及金屬材的蝕刻。
廠牌/型號	廠牌：SAMCO 型號： RIE-400ip
條列說明重要規格	氣體：Cl₂、BCl₃、SiCl₄、Ar、O₂和CHF₃ 試片尺寸：破片 ~ up to 4” wafer 蝕刻材料：III-V及金屬材料 RF 最大功率：1KW(Source) / 600W(Stage)
條列說明使用規定	僅接受2”~4” wafer或破片。破片須以真空膠帶固定置於載盤上，破片未固定或者使用光阻固定者，一律禁止置入。載盤背面及邊緣須完全清潔始可置入，不可有任何光阻、膠合物等沾染物。試片務必要乾淨、乾燥且無任何particle，若有particle請先以氮氣槍吹乾淨。於真空中具揮發性，或有礙真空維持及可能污染腔體之疑慮，嚴禁放入腔體中。金屬材料蝕刻需先知會機台管理者，取得同意後才可進行蝕刻。
預約系統	學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ 業界自操: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/ 業界代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/
技術手冊	待提供

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薄膜成長 Deposition Furnace

電子束蒸鍍機-I (E-Beam Evaporator-I)

儀器中文全名	2102 電子束蒸鍍薄膜沉積系統-I
儀器中文簡稱	2102 電子束蒸鍍薄膜沉積系統-I
儀器英文全名	Electron Beam Evaporation Deposition System-I
儀器英文簡稱	2102 Electron Beam Evaporation Deposition System-I
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	王亭鈞
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#257
E-mail	z10711023@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	█ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	電子束蒸鍍薄膜沉積系統（E-Beam Evaporation System）利用高能電子束轟擊靶材，使其升華成氣相並沉積於基板上，形成均勻且高純度的薄膜。該技術適用於半導體、光學鍍膜及先進材料研究，具有高沉積速率、低污染及精確厚度控制等優勢，適合製備金屬、氧化物及多層膜結構，廣泛應用於微電子與奈米技術領域。
廠牌/型號	廠牌：富臨科技型號：FU- 12PEB-500
條列說明重要規格	電子束規格: 10 kW 載台尺寸: 12片4inch wafer /3片6inch wafer 材料種類:Ag、Au、Al、Ni、Cr、Ti
條列說明使用規定	可進光阻層自行操作材料可免費使用 (不提供貴金屬 Au/Pt) 貴金屬Au/Pt僅提供代工服務
預約系統	學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ 業界自操: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/ 業界代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/
技術手冊	[請另外提供電子檔]

電子束蒸鍍機-II (E-Beam Evaporator-II)

儀器中文全名	2103 電子束蒸鍍薄膜沉積系統 II
儀器中文簡稱	電子束蒸鍍薄膜沉積系統 II
儀器英文全名	2103 Electron Beam Evaporation Deposition System-II
儀器英文簡稱	Electron Beam Evaporation Deposition System-II
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	王亭鈞
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#257
E-mail	z10711023@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	█ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	電子束蒸鍍薄膜沉積系統（E-Beam Evaporation System）利用高能電子束轟擊靶材，使其升華成氣相並沉積於基板上，形成均勻且高純度的薄膜。該技術適用於半導體、光學鍍膜及先進材料研究，具有高沉積速率、低污染及精確厚度控制等優勢，適合製備金屬、氧化物及多層膜結構，廣泛應用於微電子與奈米技術領域。
廠牌/型號	廠牌：富臨科技型號：FU-EB-C12
條列說明重要規格	電子束規格: 6 kW 載台尺寸: 15片4inch wafer 材料種類: SiO₂、TiO₂、ITO、Al₂O₃
條列說明使用規定	可進光阻層自行操作材料可免費使用可加溫至300度可通氧氣
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

共濺鍍機 (Co-Sputter Deposition System)

儀器中文全名	2105 共濺鍍機
儀器中文簡稱	共濺鍍機
儀器英文全名	2105 Co-Sputter Deposition System
儀器英文簡稱	Co-Sputter
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	王亭鈞
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#257
E-mail	z10711023@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	█ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	若需利用傳統濺鍍系統沉積多元化合物或合金材料，往往必須重新調配材料壓製成多元靶材，不僅製備麻煩且對於欲使用之多元材料成份比例較不易掌控。共濺鍍系統之優點在於能同時利用多個靶材進行濺鍍製程，可針對個別材料進行參數調整，搭配旋轉載台裝置可獲得相當均勻之薄膜沉積，且其薄膜品質再現性佳，可加熱到500℃，目前可配合共濺鍍控制的電極為兩個DC電源(導電膜沉積)
廠牌/型號	廠牌：優貝克科技股份有限公司型號：(ULVAC)/Model ACS-4000-C3
條列說明重要規格	系統壓力 (Pa): 7.0×10^-5Pa 工作壓力 (Pa): 1.5×10^-1Pa 基板旋轉 (rpm): 3 to 10 rpm 濺鍍距離 (mm): 150 mm. 基板溫度: 500 °C 基板大小: 單片 4 inch wafer 靶材種類: 鋁, 銀 ,氧化銦錫, 鈦, 鎳, 鎢, 碳, 鈮
條列說明使用規定	只提供直流電源DC 由工程師協助更換靶材請提前兩天告知預計實驗日與靶材種類
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

原子層沉積系統(Atomic Layer Deposition System, Picosun)

儀器中文全名	2110 原子層沉積系統
儀器中文簡稱	原子層沉積系統
儀器英文全名	2110 Atomic Layer Deposition System, Picosun
儀器英文簡稱	ALD
儀器位置	B1F/無塵室
儀器管理人	李佩珊
TEL	06-2757575 ext. 31380#243
E-mail	z11111034@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	■ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	ALD利用前驅物與基板表面產生的自我侷限交互反應，當反應氣體與基板表面形成單層化學吸附後，反應氣體不再與表面反應，成長厚度精確性可控制在Å原子等級，且均勻性極佳。本系統為芬蘭Picosun公司之最新研發技術，可鍍製的材料有Al2O3、HfO2、SiO2及TiO2，亦包含電漿及Ozone系統，為全台灣最先進的原子層鍍膜設備之一。
廠牌/型號	廠牌：Picosun 型號：R-200 Advanced
條列說明重要規格	成長溫度：100℃~300℃ 可鍍製材料：Al₂O₃、HfO₂、SiO₂、TiO₂ 氧原子來源：H₂O、O₃、O₂ plasma
條列說明使用規定	試片尺寸：破片~8吋圓、厚度小於1.5公分樣品限制：不可具有粉末及高揮發性材料
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

導電膜原子層沉積系統(Conductive Film Atomic Layer Deposition)

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試片製備 Sample Preparation

雙束型聚焦離子束I (Dual Beam-Focused Ion Beam, FEI Nova-200)

儀器中文全名	3101 雙束型聚焦離子束I
儀器中文簡稱	雙束型聚焦離子束I
儀器英文全名	3101 Dual Beam-Focused Ion Beam I
儀器英文簡稱	FIB1
儀器位置	儀器設備大樓B1檢測實驗室/ R214
儀器管理人	沈欣燕/賴修偉
TEL	06-2757575 ext. 31380#245(辦公室) 06-2757575 ext. 31380#215(辦公室)
E-mail	z10209002@ncku.edu.tw hiwett@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	1.定點縱剖面切割：利用粒子的物理碰撞來達到切割之目的，可切割之最小線寬約40nm。 2.選擇性的材料表面蒸鍍處理：以Ga離子束的能量分解有機金屬蒸氣，並在局部區域做金屬導體的沉積，除可提供沉積應用外，同時可保護被切割處附近結構之完整。目前可提供有鉑(Pt)和碳(C)兩種沉積層。 3.試片準備：可協助特殊材料TEM用試片之製作。 4.元素成份分析
廠牌/型號	廠牌：FEI美商飛昱科技股有限公司台灣分公司型號：Nova-200 NanoLab Compatible
條列說明重要規格	電子束規格：解析度 ≦ 1.5 nm @ 30 KV SE ≦ 2.5 nm @ 1 KV SE 加速電壓：0.2 ~ 30 KV 電子槍型態：熱場發射式電子槍 2.離子束規格：解析度：7 nm 加速電壓：0.2~30 KV 離電子槍型態：液態金屬鎵 3.載台：Axis 5-axis motorized 4.沉積氣體：Pt、C 5.TEM試片取出設備： a.In-situ lift-out system by W probe b.Ex-situ lift-out system by optical microscope X光能量分散光譜儀規格： Detector: ≧50 mm2 Silicon Drift Detector MnKα Resolution: ≦ 129 eV
條列說明使用規定	試片大小：平面，面積 ≦ ψ50 mm，高度 < 10 mm。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理： (1)真空中具揮發性或在電子束照射下易分解、釋出氣體分子之樣品。 (2)有機物、高分子、粉末材料、磁性物質。 (3)有礙真空維持或可能污染腔體之樣品。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

雙束型聚焦離子束II (Dual Beam-Focused Ion Beam, Helios G3 CX)

儀器中文全名	3105 雙束型聚焦離子束 II
儀器中文簡稱	雙束型聚焦離子束 II
儀器英文全名	3105 Dual Beam-Focused Ion Beam II
儀器英文簡稱	FIB II
儀器位置	B1/檢測分析實驗室（或實驗室名稱）
儀器管理人	王彥茹
TEL	06-2757575 ext. 31380#226(辦公室)
E-mail	yenjuwang@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	■ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	超高解析定點縱剖面切割：利用粒子的物理碰撞來達到切割之目的，可切割之最小線寬約20nm。特殊圖形製作選擇性的材料表面蒸鍍處理：以Ga離子束的能量分解有機金屬蒸氣，並在局部區域做金屬導體的沉積，除可提供沉積應用外，同時可保護被切割處附近結構之完整。目前可提供有鉑(Pt)和碳(C)兩種沉積層。 TEM試片準備：可製作橫截面或平面TEM試片。 EDS元素成份分析。
廠牌/型號	主體設備: 廠牌：Thermo Fisher Scientific 型號：Helios G3CX 附屬設備(x-ray能量分散儀規格): 廠牌：Oxford Instruments 型號：X’max 150mm²
條列說明重要規格	電子束規格: 解析度: 0.8 nm @ 15 kV; 1.4 nm @ 1 kV 加速電壓: 200V~30kV 電子槍型態: Elstar’s immersion mode 離子束規格: 解析度: 4 nm @ 30Kv 加速電壓: 500V~30kV 離子槍型態: Gallium Liquid Metal 載台: Axis 5-axis motorized 輔助沉積氣體: Pt、C 試片大小: Diameter ≦ 50 mm； height≦ 30 mm 腔體內試片取出設備: W probe x-ray能量分散儀規格: 偵測器: ≧150 mm², Silicon Drift Detector *MnKα 解析度: ≦129 eV
條列說明使用規定	代工注意事項：使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本中心有權拒絕理。試片處理不當而造成儀器污染或損壞時，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任，委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。請自備檔案燒錄光碟片。試片準備注意事項：試片大小：直徑≦ 50 mm；高度≦ 30 mm。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：真空中具揮發性或在電子束照射下易分解、釋出氣體分子的樣品(如:液態樣品、高分子、有機物等)，因有礙真空維持或可能污染腔體；具強磁性、磁性或易被電磁透鏡吸引的材料。樣品需導電，不導電之樣品需鍍碳或鍍金處理，中心僅提供鍍鉑(Pt)處理。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application 國科會(前瞻聚焦離子束系統，每月20日12:00開放學界下個月預約序號): https://vir.nstc.gov.tw/
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精密離子拋光機(PIPS)

鍍金機(Sputter Coater)

儀器中文全名	鍍金機
儀器中文簡稱	鍍金機
儀器英文全名	Sputter Coater
儀器英文簡稱	Sputter Coater
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	賴修偉
TEL	06-2757575313892
E-mail	hiwett@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	¢ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	主要用於電子顯微鏡樣品前處理，可針對不導電與乾燥生物性之樣品表面鍍上白金(Pt)，增加樣品之導電性。
廠牌/型號	廠牌：JEOL 型號：JFC-1600
條列說明重要規格	工作電流:10、20、30、40 mA；工作時間:0~300 s
條列說明使用規定	試片大小：取樣直徑最大不超過25 mm、最大高度10 mm。請勿超出規定範圍。 25.0 mm (f) × 10 mm (H) specimen 樣品準備須知：使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本單位有權拒絕受理。若因試片處理不當而造成儀器污染或損壞時(試片含有毒性、腐蝕性、揮發性等之試件)，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。委託時務必事先電話聯絡，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
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奈米壓痕 Indentation

奈米壓痕試驗機 (Nano-Indentation System, MTS G200)

儀器中文全名	3301穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機
儀器中文簡稱	穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機
儀器英文全名	3301 In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010
儀器英文簡稱	In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010
儀器位置	B1 檢測室
儀器管理人	林家宇
TEL	06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室)
E-mail	chiayu@gs.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	■ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	TEM PicoIndenter則可在TEM下直接觀察負載─位移間資料與影像相互關係，例如相變化、差排滑移變化及破壞行為的發生等；且藉由設定負載大小、壓痕深度、受力─卸載之時間設定，可觀察奈米材料尺度之性質，如壓痕、壓縮、彎曲等特性，並擁有多種操作模式可以選擇，包含：閉迴路力量平衡控制系統、閉迴路位移控制系統及開迴路力量控制系統等。
廠牌/型號	廠牌：Hysitron 型號：PI95
條列說明重要規格	力噪音背景RMS~0.2 µN 位移噪音背景RMS ~1 nm 最大載荷>1000 µN 最大位移5000 nm
條列說明使用規定	樣品準備須知：請以FIB進行樣品前處理。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：試片在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之樣品。試片含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。具強磁性、磁性 (如鐵、鈷、鎳等) 或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。放電 (charging) 情形嚴重者。若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。委託時務必事先電話聯絡，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。請自行準備已格式化的隨身碟。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
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奈微拉伸試驗機 (Micro/Nano Tensile Tester)

儀器中文全名	2303 奈微拉伸試驗機
儀器中文簡稱	奈微拉伸試驗機
儀器英文全名	2303 Micro/Nano Tensile Tester
儀器英文簡稱	Micro/Nano Tensile Tester
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	簡秀真
TEL	(06)2757575#31389#9
E-mail	shioujen@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	■ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	奈微拉伸試驗機可以測量出位移與荷重圖、位移與荷重疲勞測試之材料特性功能。奈微拉伸試驗乃藉由力量設定，針對受測材料之特性以了解其抵抗能力和斷裂前材料之伸張情形。而彈性係數可由已知材料斷面積及單位長度值，再藉由位移與荷重圖以求得材料本身的剛性。對於不同材料通常比較其拉伸強度、彈性係數和伸長量等數據，其中位移與荷重圖、位移與荷重疲勞測試是材料特性極其重要的性質，因其不僅能得知材料本身的強度，也是材料性質最具代表性的項目。
廠牌/型號	廠牌：Kammrath & Weiss GmbH 型號：DDS32
條列說明重要規格	最大拉伸力：5000N 位移速度：<0.1 ~ 20um/sec 拉伸距離：50mm 試片尺寸：最大厚度：4mm/最大寬度：10mm/最長長度：40mm/最短長度：25mm 拉伸馬達：20W 位移量測計: Differential transformer(VLDT)
條列說明使用規定
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
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掃描探針 SPM/Electronic Property

表面粗度儀 (Alpha-Step Profilometer)

儀器中文全名	2201 表面粗度儀
儀器中文簡稱	表面粗度儀
儀器英文全名	2201 Alpha-Step Profilometer
儀器英文簡稱	Alpha-Step
儀器位置	B1F/無塵室
儀器管理人	李佩珊
TEL	06-2757575 ext. 31380#243
E-mail	z11111034@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	■ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	表面粗度儀是用來量測物體的表面輪廓，藉由表面輪廓可知所製作的樣品之粗糙度。此機台利用鑽石所製作的尖頭探針，以探針掃描的運動軌跡橫過物體表面，以一導體感測器記錄了針尖的垂直運動變化訊號，來顯示待測物體的二維表面輪廓。
廠牌/型號	廠牌：辛耘企業/KLA-Tencor 型號：D300
條列說明重要規格	探針: 5μm 60deg. 探針掃描速度:0.01mm/s~0.1mm/s 載台大小:15cm diameter 最大掃描高度:100μm 最大掃描長度:30mm
條列說明使用規定	試片高低差不得超過800µm。生物膜(如蛋白質)、軟性基板、銅箔鋁箔、不鏽鋼材料(太硬材料)、高分子材料(太軟材料)不適合用此機台量測。樣品必須定型乾燥，請蝕刻完後必需先吹乾，避免樣品汙染附著於探針。量測參數請遵守最大Range設定值上限100µm，最大Stylus force設定值上限2mg。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

原子力顯微鏡 (Atonic Force Microscope, NTMDT-AFM)

儀器中文全名	2202 原子力顯微鏡
儀器中文簡稱	原子力顯微鏡
儀器英文全名	2202 Atomic Force Microscopes
儀器英文簡稱	AFMs
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	簡秀真
TEL	(06)2757575#31389#9
E-mail	shioujen@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	■ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	AFM 探針對樣品表面的狀況,針對不同操作模式下進行掃描,操作模式可分為:接觸式(contact mode)、非接觸式(non-contact mode)以及半接觸式(semi-contact mode)。通常會使用半接觸模式亦稱作輕敲模式(tapping mode),由於輕敲模式比非接觸模式的掃描距離更接近表面,掃描樣品距離約 2~10 nm,利用探針輕敲樣品表面所造成的凡得瓦力來進行回饋,同時會透過共振頻率的影響造成振幅的變化,來掃描出樣品起伏的高低。
廠牌/型號	廠牌：NT-MDT 型號：
條列說明重要規格	Vertical travel range of the stage in mm: 16 Horizontal travel range of the stage (XY) in mm: 5X5 Accuracy of reading (resolution) during sample positioning in microns: 5 Maximum positioning precision in microns: 5 Main resonance frequency range of vibroprotection unit in Hz: 1.5 ~ 2 Size of samples in mm: Up to 100 in diameter; up to 20 in thickness Maximum weight of samples in kg: 0.5 Overall dimensions of measurement module, Option 1 (length, width, height) in mm: 340 (410) x 340 x 430 Maximum weight of measurement module, Option 1 in kg: 20 Overall dimensions of measurement module,Option 2 without support (length, width, height) in mm: 460(530) x 380 x 490 Maximum weight of measurement module, Option 2 in kg Overall dimensions of electronic module (length,width, height) in mm: 450x250x500 Maximum weight of electronic module in kg: 8
條列說明使用規定
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊

多功能掃描探針顯微鏡 (Scanning Probe Microscope)

儀器中文全名	2204 多功能掃描探針顯微鏡
儀器中文簡稱	多功能掃描探針顯微鏡
儀器英文全名	2204 Scanning Probe Microscopes
儀器英文簡稱	SPMs
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	簡秀真
TEL	(06)2757575#31389#9
E-mail	shioujen@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	■ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	根據其成像原理和操作模式的差異，主要分為原子力顯微鏡（atomic force microscopes ，AFMs）、導電性原子力顯微鏡(Conductive AFM, C-AFM)、靜電力顯微鏡(Electrostatic Force Microscopy, EFM)、磁力顯微鏡(Magnetic Force Microscopy, MFM)、壓電力顯微鏡 (Piezoresponse Force Microscopy, PFM)、表面電位顯微鏡( Surface Potential Force Microscopy, KPFM)等，提供奈米材料表面形貌、表面粗糙度、尺度、電性、硬度、黏滯力等分析。
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：Dimension Icon
條列說明重要規格	X-Y Scan Range: 90 µm x 90 µm Z Range: 10 µm Vertical Noise Floor: < 30 pm RMS XY Position Noise (Closed Loop): ≤ 0.15 nm RMS Z Sensor Noise Level (Closed Loop): 35 pm RMS Integral Nonlinearity (X-Y-Z): < 0.5 % Sample Size/Holder: ≤ 210 mm diameter, ≤ 15 mm thick Motorized Position Stage (X-Y axis): 180 mm x 150 mm Microscope Optics: 5-megapixel digital camera; 180 µm to 1465 µm Controller: NanoScope VI
條列說明使用規定
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
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半導體元件測量平台 (Measurement Station for Electrical Characterization)

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掃描式電子顯微鏡 SEM

高解析熱場發射掃描式電子顯微鏡I (Scanning Electron Microscope II, JEOL JSM-7001F)

儀器中文全名	3202 高解析熱場發射掃描式電子顯微鏡
儀器中文簡稱	高解析熱場發射掃描式電子顯微鏡
儀器英文全名	3202 Scanning Electron Microscope, JEOL JSM-7001F
儀器英文簡稱	SEM_7001
儀器位置	B1/奈米檢測實驗室
儀器管理人	賴修偉
TEL	06-2757575313892
E-mail	hiwett@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	¢ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	本電腦化操作之高解析場發射掃描式電子顯微鏡，其特點為以熱場發射電子槍產生能量均ㄧ之電子束。能提供金屬材料及電子材料等，於高倍率下之二次電子影像 (SEI)與背反電子影像(BEI)之表面型態觀察。本機台同時配置有能量分散光譜儀(EDS)，可作元素成分之定性及半定量分析之工作。並附有背向散射電子繞射儀(EBSD)，可以藉由背向散射電子所產生的菊池圖形，計算出電子束所照射位置之晶體的方位，藉由自動化軟體的幫助，可以對試片進行 mapping的動作，進而得到掃描區域完整的方位資訊，並利用 OIM Analysis軟體對方位資訊進行處理，進而得到定量晶體取向分析結果，如：ODF(orientation distribution function)、PoleFigure、Inverse Pole Figure等。
廠牌/型號	廠牌：JEOL 型號：JSM-7001
條列說明重要規格	解析度：1.2 nm (30 KV)、1.5 nm (15 KV)、3 nm (1 KV) 放大倍率： 25x to x1,000,000x 加速電壓：0.5 kV to 30 kV 電流：~pA to 200 nA 電子槍形態：熱場發射式電子槍試片規格：直徑 25nm 高度10 nm 影像解析度：1280 × 960px 試片載台：試片移動的範圍如下 X axis：70nm Y axis：50nm Rotation：360° Z axis：3 to 41nm Tilt：-5 to +70°
條列說明使用規定	試片大小：目前本中心提供兩種不同直徑的試片底座，試片請自行做前處理的動作，取樣直徑最大不超過25 mm、最大高度10 mm。請依照規範製作，勿超出規定範圍。 12.5 mm (f) × 10(H) mm specimen 25.0 mm(f) × 10(H) mm specimen 樣品準備須知：樣品須導電，不導電之樣品須經鍍導電膜處理。樣品須乾燥，在真空中無揮發性。使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本單位有權拒絕受理。若因試片處理不當而造成儀器污染或損壞時，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：試片在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之樣品。試片含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。具強磁性、磁性(如鐵、鈷、鎳等)或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。委託時務必事先電話聯絡，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。檔案儲存：請自行準備光碟片。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊

桌上型掃描式電子顯微鏡(Tabletop SEM)

儀器中文全名	3204桌上型掃描式電子顯微鏡
儀器中文簡稱	桌上型電顯
儀器英文全名	3204 Tabletop Scanning Electron Microscope
儀器英文簡稱	Tabletop SEM
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	賴修偉
TEL	06-2757575313892
E-mail	hiwett@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	¢ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	二次電子影像觀察_利用電子束在試片上掃描進行影像觀察，能夠觀察材料表面微米級影像、成份對比影像等資訊，分別對於表面輪廓與原子序差異可得到良好的影像品質，可以取代光學顯微鏡，讓您更近距離弄清楚樣品由何組成。
廠牌/型號	廠牌：Hitachi 型號：TM1000
條列說明重要規格	放大20〜10,000x (2x, 4x 數位變焦) 加速電壓15 Kv 高靈敏度固態散射探測器標準觀測模式與 Charge-up 還原模式最大試樣尺寸70 mm 直徑, 最大試樣厚度 20 mm 前置盒式鎢燈絲電子槍自動啟動、對焦和亮度圖像格式 bmp、tif、jpg 資料顯示: 微米標記、微米值、日期和時間、圖像數位、評論渦輪泵30升/秒，並包括過流保護功能
條列說明使用規定	試片大小：高度不得高於8 mm，大小不得大於十元硬幣。試片限制，以下試片不得進入：試片在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之樣品。試片含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。具強磁性、磁性(如鐵、鈷、鎳等)或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。委託時務必事先電聯，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。檔案儲存：請自行準備光碟片。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊

分析型場發掃描式電子顯微鏡(Analyiacl Field Emission SEM)

儀器中文全名	分析型場發掃描式電子顯微鏡
儀器中文簡稱
儀器英文全名	Analytical field emission scanning electron microscope
儀器英文簡稱	AFE-SEM
儀器位置	2樓 / 0206
儀器管理人	劉彩芸
TEL	06-2757575#31373
E-mail	z10508127@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	▓ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	▓ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	▓ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	本儀器由掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)與能量散射光譜分析儀(EDS)所組成，能提供樣品在高/低加速電壓之掃描觀察，可獲得超高解析影像之能力，加速電壓15kV解析度為1nm。同時加裝EDS元素分析，以擷取高解析數位影像及成份定性、半定量等分析。
廠牌/型號	SEM 廠牌：ZEISS 型號：AURIGA		EDS 廠牌：BRUKER 型號：XFlash 5010
條列說明重要規格	熱場效燈絲(Schottky emitter) Acceleration Voltage：加速電壓為0.1 kV ~ 30 kV 二次電子像(SE)解析度：1.0 nm @ 15 kV. 1.9 nm @ 1 kV. 倍率範圍12 X to 1,000,000 X（SE Mode）五軸電腦馬達控制台 X 軸移動距離100 mm。Y 軸移動距離 100 mm 。Z 軸移動距離 50 mm。旋轉連續360°。T軸-10度至60度。 EDS偵測範圍B~Am。Resolution：125
條列說明使用規定	樣品直徑最大不超過50mm(最好在10mm以內為宜)，最大高度20mm 如有多個樣品，請以導電之金屬載片(最大不超過50mm)依序黏貼固定好，每個樣品觀察面要同高，底部要平整如為非金屬、粉體試件，請先做蒸鍍及固定處理試件需不含水分、磁性、揮發性物質本儀器拒絕受理含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件每月28日下午2:00開放下個月份使用時段(由國科會貴儀資訊管理系統預約) 若欲取消預約，請於使用日的三天前上網取消，否則需計基本使用費
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/Home/Index
技術手冊

多功能環境場發掃描式電子顯微鏡(Multi-Function Environmental Field Emission SEM with EDS/EBSD)

儀器中文全名	多功能環境場發掃描式電子顯微鏡
儀器中文簡稱
儀器英文全名	Multi-function environmental field emission scanning electron microscope with EDS and EBSD
儀器英文簡稱	EFE-SEM
儀器位置	2樓 / 0206
儀器管理人	劉彩芸
TEL	06-2757575#31373
E-mail	z10508127@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理		□ 薄膜成長
	▓ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針		▓ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡		□ 光學檢測
	▓ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質		□ 核磁共振儀
	▓ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務		□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	本儀器為結合HITACHI SU-5000熱場效型高解析場發射掃描式電子顯微鏡、EDAX能量散射光譜儀(EDS)及電子背向繞射儀(EBSD)，可做各式材料表面形貌觀察、快速元素定性、半定量及晶體結構分析等，是目前最先進之複合型電子顯微鏡之一，在應用上極為廣泛。
廠牌/型號	SEM 廠牌：HITACHI 型號：SU-5000		EDS 廠牌：EDAX 型號：ELITE		EBSD 廠牌：EDAX 型號：Velocity Plus
條列說明重要規格	熱場效燈絲(ZrO/W Schottky emission electron gun) 加速電壓：0.5KV to 30 KV 二次電子像 (SE) 解析度： Better than 1.2 nm at 30kV Better than 2.0 nm at 1KV EDS偵測範圍B~Am，Resolution：125 eV EBSD收集速度3000點/秒，解析度640×480
條列說明使用規定	SEM：樣品直徑最好在10mm以內，最大高度10mm內為宜如有多個樣品，請以導電之金屬載片(最大不超過50mm)依序黏貼固定好，每個樣品觀察面要同高，底部要平整若為非金屬、粉體樣品，請先做固定及鍍金等前處理本儀器為精密設備，為維護儀器之性能，拒絕受理含有水份、磁性、腐蝕性、低熔點(高分子)、易揮發性(含鑲埋)、污染性及傳染性之樣品 EBSD：樣品須為穩定之塊材(不得為粉體、高分子及鑲埋試件)，且須提供樣品已知相(phase) 樣品直徑限制在10mm以內，最大高度3mm內為宜，並請自行試片表面處理，至少於光學顯微下沒刮痕每月28日下午2:00開放下個月份使用時段(由國科會貴儀資訊管理系統預約) 若欲取消預約，請於使用日的三天前上網取消，否則需計基本使用費
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/Home/Index
技術手冊

高解析射掃描電子顯微鏡 (High Resolution SEM)

儀器中文全名	高解析掃描電子顯微鏡
儀器中文簡稱	場發掃描電鏡
儀器英文全名	High Resolution Scanning Electron Microscope
儀器英文簡稱	HR-SEM
儀器位置	自強校區儀器設備大樓二樓 0208室
儀器管理人	施慧蓉
TEL	31376分機
E-mail	z7306007@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	■ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	顯微電鏡具有高解析的特點。本儀器為Hitachi SU8000，在高真空中操作（~10^-10 torr）可得到高解析的影像(15KV；1nm解析度)。本儀器配置EDS 可作B以上分析。本儀器亦提供成份分析，適用於材料、半導體、光電領域，對學術研究有很大的貢獻。
廠牌/型號	廠牌：Hitachi 型號：SU8000
條列說明重要規格	1.奈米樣品表面觀察。 2.微區異物分析及組成分析。 3.奈米樣品大小與各層寬度或厚度距離量測 4.二次電子解析度:15 Kv: 1.0nm。 5.有斜插式及高感度平插式EDS提供材料分析。根據樣品及需求來設定儀器分析，包括薄膜、奈米材料、敏感性材料都可以提供分析。
條列說明使用規定	1.磁性樣品不收，弱磁性樣品須經評估是否可以服務。 2.毒性、揮發性、具腐蝕性的樣品不接受服務。 3.第一次預約本儀器，請事先跟技術員聯絡，討論樣品的前處理，及樣品大小規定。及是否要提前鍍金，或不鍍金，以把握上機的時間。 4.非經本儀器管理員認證通過，不得預約自行操作。
預約系統	[請附網頁連結]
技術手冊	[請另外提供電子檔]

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穿透式電子顯微鏡 TEM

穿透式電子顯微鏡(TEM, JEOL JEM-2010)

儀器中文全名	3301 穿透式電子顯微鏡
儀器中文簡稱	穿透式電子顯微鏡
儀器英文全名	3301 Transmission Electron Microscope
儀器英文簡稱	TEM 2010
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	林家宇
TEL	06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室)
E-mail	chiayu@gs.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	■ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	此台電子顯微鏡電子發射源是熱激發之 LaB₆ ，具有較高電子束的優點。除一般放大成像，觀察一般試片形貌外，在操作明、暗場像及繞射圖譜相互之切換時，影像方位不變。明、暗場像可以分析材料結構及缺陷，例如結晶相分布、晶粒分布、多層鍍膜厚度、缺陷型態、缺陷位置、缺陷定量等；繞射圖譜可以判定材料成相，例如單晶、多晶及非晶質。若是在解析度內，也可做高解析原子影像。
廠牌/型號	廠牌：JEOL 型號：JEM-2010
條列說明重要規格	加速電壓：200 KV 放大倍率：≦50X~1500 KX 解像度：Point Resoltion：≦0.23 nm；Line Resoltion：≦0.14 nm 樣品傾斜角度：x 35 °、y 30 °
條列說明使用規定	試片大小：直徑3 mm，並以薄化穿孔。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：真空中具揮發性或在電子束照射下易分解、釋出氣體分子的樣品。強磁性、磁性或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料 (先行將試片做好並以真空抽乾試片)。未經正確處理或充分乾燥的粉末樣品。生物試片。其他特殊處理，請使用者自理。如需委託協助製片僅受理一般粉末樣品製備，收費計算方式為：3個以下樣品加收0.5小時代工費，4~6個樣品加收1小時代工費，超過6個樣品另行討論；如有特殊樣品製備另行討論及計算代工費用。另購耗材費用：鍍碳銅/鎳網 100元/片；lacey 鍍碳銅網 200元/片。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

高解析場發射穿透式電子顯微鏡(TEM, JEOL JEM-2100F)

儀器中文全名	3302 高解析場發射掃描穿透式電子顯微鏡
儀器中文簡稱	高解析場發射掃描穿透式電子顯微鏡
儀器英文全名	3302 High Resolution Transmission Electron Microscope
儀器英文簡稱	TEM 2100
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	林家宇、羅啟仁
TEL	06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室)
E-mail	chiayu@gs.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	■ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	此台電子顯微鏡電子發射源是場發射之燈絲，因此具有極高空間及能量解析度。除了一般成像及繞射功能外，可以做對比極佳之高解析原子影像。因為其附加許多設備，成為材料解晰最佳利器。如掃描裝置可以加電子束縮小至1nm以下，進行高解析之掃描明暗場像，可以做原子成分影像及原子級介面分析。X光能量分散儀 (EDX)可以進行化學成分分析。Gatan影像過濾器 (GIF) 可以進行電子能量損失圖譜，得到成分定量分析，並可以得到試片化學鍵結及電子結構等資訊；除此之外藉由GIF上可以進行電子能量過濾成像，得到精確之成分分布圖。
廠牌/型號	廠牌：JEOL 型號：JEM-2100F
條列說明重要規格	加速電壓：200 KV 放大倍率：≦50X~1500 KX 解像度： Point Resoltion：≦0.19 nm； Line Resoltion：≦0.1 nm ；Spot size：0.5 nm 選區電子繞射 (SAED)、聚焦束繞射 (CBED) convergent angle：1.5~20 mrad 5.附屬設備：EDS、EELS (GIF)、STEM、Digital image system
條列說明使用規定	固態樣品：以研磨拋光或以FIB薄化的試片 (含有厚度小於60nm的區域)，或用有碳膜的金屬網 (M grid) 承載的奈米顆粒型試片。樣品需乾燥，在真空中無揮發性。使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本單位有權拒絕受理。若因試片處理不當而造成儀器污染或損壞時，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理： (1) 試片在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之樣品。 (2) 試片含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。 (3)具強磁性、磁性 (如鐵、鈷、鎳等)或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。 (4) 放電 (charging) 情形嚴重者。若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。委託時務必事先電話聯絡，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。請自行準備光碟片。如需委託協助製片僅受理一般粉末樣品製備，收費計算方式為：3個以下樣品加收0.5小時代工費，4~6個樣品加收1小時代工費，超過6個樣品另行討論；如有特殊樣品製備另行討論及計算代工費用。另購耗材費用：鍍碳銅/鎳網 100元/片；lacey 鍍碳銅網 200元/片。液態樣品：因代工樣品種類繁多，若因樣品因素無法成功分析影像者，仍需負擔耗材及封裝費用，但無須負擔觀測費用。僅接受溶劑為水或PBS的樣品。樣品製備費用：學界1個5500，業界一個8250。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

In-Situ奈米壓痕試驗機(In-Situ Nano-Indentation System, TEM 2010)

儀器中文全名	3301穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機
儀器中文簡稱	穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機
儀器英文全名	3301 In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010
儀器英文簡稱	In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010
儀器位置	B1 檢測室
儀器管理人	林家宇
TEL	06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室)
E-mail	chiayu@gs.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	■ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	TEM PicoIndenter則可在TEM下直接觀察負載─位移間資料與影像相互關係，例如相變化、差排滑移變化及破壞行為的發生等；且藉由設定負載大小、壓痕深度、受力─卸載之時間設定，可觀察奈米材料尺度之性質，如壓痕、壓縮、彎曲等特性，並擁有多種操作模式可以選擇，包含：閉迴路力量平衡控制系統、閉迴路位移控制系統及開迴路力量控制系統等。
廠牌/型號	廠牌：Hysitron 型號：PI95
條列說明重要規格	力噪音背景RMS~0.2 µN 位移噪音背景RMS ~1 nm 最大載荷>1000 µN 最大位移5000 nm
條列說明使用規定	樣品準備須知：請以FIB進行樣品前處理。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：試片在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之樣品。試片含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。具強磁性、磁性 (如鐵、鈷、鎳等) 或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。放電 (charging) 情形嚴重者。若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。委託時務必事先電話聯絡，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。請自行準備已格式化的隨身碟。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

多功能低電壓穿透式電子顯微鏡(Multifunctional Low-Voltage TEM)

儀器中文全名	多功能低電壓穿透式電子顯微鏡
儀器中文簡稱	低電壓穿透式電子顯微鏡
儀器英文全名	Multifunctional Low-Voltage Transmission Electron Microscope
儀器英文簡稱	LV-TEM
儀器位置	B1/B110
儀器管理人	鄭宇軒
TEL	06-2757575 #31357
E-mail	z10809028@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	¢ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	多功能低電壓穿透式電子顯微鏡，為可操作於低加速電壓(40-120kV)之穿透式電子顯微鏡，除TEM影像外亦包含電子繞射拍攝、掃描穿透模式(STEM)影像拍攝與EDS化學分析之功能，適合易受電子損傷材料之形貌拍攝、結構與成份分析。
廠牌/型號	廠牌：JEOL 型號：JEM-1400Flash
條列說明重要規格	1.熱游離式六硼化鑭(LaB₆)燈絲。 2.120kV加速電壓，降低對材料影響(若有更低電壓需求可與管理員討論)。 3.可拍攝TEM明視野與暗視野影像。 4.可拍攝電子繞射圖(選區光圈範圍最小~250nm，電子束最小~30nm)。 5.可拍攝掃描穿透模式-環形明場與環型暗場影像(STEM-ABF/ADF)。 6.配有EDS偵測器，可執行點、線與面元素分析。
條列說明使用規定	1.本儀器採序號預約，預約成功後技術人員會與您協調實驗日期與時間。 2.樣本若含磁性物質(Fe, Co, Ni.. 等等)務必先與技術人員討論。 3.樣本若具揮發性、毒性或放射性等潛在危害性，務必先與技術人員討論。 4.本儀器常規操作電壓為120kV，若有更低電壓之需求可與技術人員討論。 5.本儀器解析能力弱於200kV機種，若需進行高解析影像、晶格影像、微區繞射或微區成份分析，建議事先與技術人員討論是否符合需求。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/home/Index
技術手冊

軟物質穿透式電子顯微鏡(Soft Matter TEM)

高解析穿透式電子顯微鏡-搭載球面像差修正器的掃描穿透式電鏡(High Resolution Transmission Electron Microscope- Cs Corrector STEM)

儀器中文全名	高解析穿透式電子顯微鏡-搭載球面像差修正器的掃描穿透式電鏡
儀器中文簡稱	高解析穿透式電子顯微鏡
儀器英文全名	High Resolution Transmission Electron Microscope- Cs Corrector STEM
儀器英文簡稱	JEM-2100F Cs STEM
儀器位置	B109室
儀器管理人	曾湜雯
TEL	+886-6-2757575 ext. 31366
E-mail	shihwen@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	■ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	明、暗視野像(BF/DF image) 選區電子繞射(SAED) 奈米束繞射(NBED) 收斂電子束繞射(CBED) 掃描式穿透式影像(STEM)、高角度環形暗場像 (HAADF) EDS能譜分析(點、線、面分析) 電子能量損失能譜分析
廠牌/型號	廠牌：JEOL 型號：JEM-2100F Cs STEM
條列說明重要規格	加速電壓(Accelerating Voltage): 200 kV 解析度(Resolution): Point Resolution≦0.23nm / Lattice Resolution≦0.10nm TEM模式下放大倍率(TEM mode magnification): X50~X1.5M STEM模式下放大倍率: X20K~X15M EDS: Energy resolution: Mn 127eV EELS: 0.8 eV
條列說明使用規定	於國科會系統網站，以[序號]方式預約，預約時間為每月28日中午12:30開放下個月校內、校外序號。成大貴儀實施[後補預約]制度，每月於國科會系統預約不到者，可至成大核心設施貴儀組網頁點選[使用者預約儀器後補登記]進行後補，詳細登記方式請至[使用者預約儀器後補登記]網址查詢。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/home/Index
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光學顯微鏡 Optical Microscopy

多光子激發掃描顯微鏡(Multiphoton Excitation Microscopy)

金相光學顯微鏡(Metallographic Microscopy)

光學顯微鏡(Optical Microscopy)

白光干涉儀(White Light Interferometer)

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光學檢測 Property Analysis/Detection

微拉曼及微光激發光譜儀(Micro-Ramam & Micro-PL Sperctrometer)

拉曼光譜儀/顯微鏡(Ramam Sperctrometer/Microscopy)

儀器中文全名	4201 拉曼光譜儀/顯微鏡
儀器中文簡稱	顯微拉曼
儀器英文全名	4201 Microscopes Raman Spectrometer
儀器英文簡稱	Raman/OM
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	李芃葶
TEL	06-2757575 #31389
E-mail	ptli@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	■ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	利用拉曼散射現象將樣品進行分析，從而獲取樣品分子結構和振動特性的資訊。拉曼光譜應用雷射光進行測量，雷射入射光子與物質相互作用時，會產生頻率產生變化的散射光子，此變化稱拉曼位移，藉由量測此位移可以取得樣品的分子結構和振動特性。透過拉曼光譜技術，可以了解生物分子、材料和化學物質等的結構與性質。
廠牌/型號	廠牌：Renishaw 型號：inVia Raman microscope
條列說明重要規格	光源：雷射 514nm / 633nm / 785nm 頻率範圍：100~4000 cm^-1 具備不同深度與映像功能樣品型態：固態與液體光柵：1200 / 1800 gr/mm 最小雷射光斑直徑：≦1um
條列說明使用規定	不得量測具揮發性、有毒有機溶劑。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

傅立葉轉換紅外光光譜儀(Fourier Transform Infrared Sperctrometer)

儀器中文全名	4203 傅立葉轉換紅外光光譜儀
儀器中文簡稱	傅立葉轉換紅外光光譜儀
儀器英文全名	4203 Fourier Transform Infrared Spectrometer
儀器英文簡稱	FTIR
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	莊雅雯
TEL	06-2757575 #31383 #9
E-mail	10708150@gs.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	■ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	紅外線光譜學是研究某一化學分子或化學物種因吸收 (或發射)紅外線輻射而在某些振動模式下產生振動或振動—轉動能量的變化。藉助於紅外線光譜的分析，化合物的鑑定與含量得以決定。
廠牌/型號	廠牌：Thermo 型號：Nicloet
條列說明重要規格	光譜範圍：標準中紅外範圍 4000-400cm-1 測試方法：穿透式、反射式、ATR 快速掃瞄資料收集：每秒鐘至少可進行 50次掃瞄偵測器：DTGSKBr、MCT
條列說明使用規定	本中心提供油壓機、研缽及13 mm打錠模組。KBr可自備，中心另售KBr 25元/g。鍍層厚度<1 μm請勿送樣，超過本機台量測極限。掃描次數、解析度為影響量測時間主要因素，可以先參考您們所參考paper所使用的參數或與老師商量。完成量測後會email寄送檔案與通知取件，請盡快拿回您的樣品，本中心不負保管責任。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

紫外光-可見光-近紅外光光譜儀(UV/Visual/NIR Sperctrophotometer)

儀器中文全名	4204 紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀
儀器中文簡稱	紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀
儀器英文全名	4204 UV/Visible/NIR Spectrophotometer
儀器英文簡稱	UV/Visible/NIR Spectrophotometer
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	莊雅雯
TEL	06-2757575 #31383 #9
E-mail	10708150@gs.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	■ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	此儀器測量涵蓋了廣泛的波長範圍和樣本大小，能夠滿足各種分析需求，結合各種特殊的附件，如利用積分球測量物件的穿透率和反射率，並且可以測量低噪音水平的紫外區。大型玻璃、液晶電路板等光學電子材料亦可檢测。
廠牌/型號	廠牌：HITACHI 型號：U4100
條列說明重要規格	波長範圍：240~2600nm。樣品尺寸：Max.430 x 430 mm。檢知器：光電倍增管（UV/Vis）、恆溫冷卻式Pbs（NIR），60mm直徑積分球硫酸鋇鍍膜。波長最小刻劃：0.01 nm。波長精確度：NIR/Vis：±0.2nm；NIR：±1.0nm；附自動波長校正功能。燈源改變範圍：325至370nm可自動選擇。分光系统：棱镜-光栅。測光型式：吸光度（ABS）、穿透率（％T）、反射率（％R），Energy on reference side 【E(R)】/sample side【E(S)】。
條列說明使用規定	樣品尺寸限制 (sample size) 塊材：min. 2 cm x 2 cm／max. 43 cm x 43 cm 液體：min. 3 mL 粉末：min. 3 mL (volume, not weight) 量測波長範圍 (wavelength scanning range)：240-2600 nm。塊材樣品尺寸需能完整覆蓋測量窗口(≧ 2 cm x 2 cm)，照光面積為5*5 mm²。不接受腐蝕性或毒性樣品，液體樣品請自行回收廢液。(no toxic or corrosive sample) 代工量測條件填寫不完全將退件 (OEM won't be executed with incomplete testing condition) 完成量測後會email寄送檔案與通知取件，請盡快拿回您的樣品，本中心不負保管責任。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊

橢圓偏光儀(Ellipsometer)

儀器中文全名	4205 橢圓偏光儀
儀器中文簡稱	橢偏儀
儀器英文全名	4205 Ellipsometer
儀器英文簡稱	SE
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	李芃葶
TEL	06-2757575 ext.31389
E-mail	ptli@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	■ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	橢圓偏光儀為一種非破壞性且快速的光學檢測儀器，量測到的偏振光狀態變化，藉由後端模型建立及分析，可得知薄膜材料之厚度、折射率、消光係數、介電常數以及色度等相關資訊。
廠牌/型號	廠牌：J. A. Woollam Co., Inc. 型號：M-2000DI
條列說明重要規格	光源：193 nm~1689 nm (氘燈+鎢絲燈) 入射角：45˚- 90˚ 可量測厚度：10 nm – several μm 樣品大小：大於 1cm * 1cm 樣品總高度(基材+薄膜)：小於 1.8 cm
條列說明使用規定	樣品表面平整均勻。基板需為單拋，避免背向反射光。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
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晶體分析 Lattice Microanalysis

X光繞射儀(X-Ray Diffractometer)

儀器中文全名	4301 X光繞射儀
儀器中文簡稱	X光繞射儀
儀器英文全名	4301 X-Ray Diffractometer
儀器英文簡稱	XRD
儀器位置	照坤精密儀器大樓B1/奈米檢測暨分析實驗室
儀器管理人	莊雅雯
TEL	06-2757575 #31383 #9
E-mail	10708150@gs.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	■ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	當入射X光打在樣品上會被原子平面反射，其入射光與反射光程差為波長的整數倍時，相鄰的結晶面散射波就會產生建設性干涉使X光波振幅倍增，意即當入射X光滿足上述之布拉格定律（2dsinθ=nλ）時，便會產生繞射現象，其中原子的平面之間距離為d、θ為X光入射角。由量測圖譜得θ和λ，可由布拉格定律公式2dsinθ=nλ，計算得到原子平面間距d。
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：D2 Phaser
條列說明重要規格	量測2θ範圍：3°-160° 最小刻度：0.002° 靶材種類：銅靶 [λ(Kα1) = 0.15405 nm] 操作電壓電流：30kV/10mA 偵測器：Lynxeye 全範圍準確度：0.02° 偵測範圍有效面積：14.4X16 mm² 適用之樣品型態：粉末、塊材、薄膜（約200 nm以上）
條列說明使用規定	塊材樣品尺寸限制 (size limit of bulk sample)：diameter < 3.5 cm，height < 0.5 cm 粉末樣品尺寸限制 (size limit of powder sample)：volume > 1cm^3 薄膜樣品厚度限制 (thickness limit of thin film sample)：thickness > 200nm 樣品不可具有毒性或腐蝕性 (sample can't be toxic or corrosive) 代工總時數計算(total OEM time; mins)：sample counts x (5 mins + 2 theta range/scan speed) 2 theta 解析度(resolution) > 0.002 deg. per step 代工量測條件填寫不完全將退件 (OEM won't be executed with incomplete testing condition) 申請單審核通過後需先至中心繳費 (Please pay the OEM fee before sample testing) 完成量測後會email寄送檔案與通知取件，請盡快拿回您的樣品，本中心不負保管責任。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工:https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊

高強度多功能X光薄膜微區繞射儀(Multipurpose High Intensity X-Ray Diffractometer)

儀器中文全名	高強度多功能X光薄膜微區繞射儀
儀器中文簡稱	高強度多功能X光薄膜微區繞射儀
儀器英文全名	Multipurpose High intensity X-Ray Thin-Film Micro Area Diffractometer
儀器英文簡稱	Multipurpose High intensity X-Ray Diffractometer (Thin-Film XRD)
儀器位置	2樓 / 0213室
儀器管理人	蘇柏榕
TEL	06-2757575分機31362
E-mail	z10704004@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	■ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	多晶薄膜低掠角繞射(GID)、一般繞射分析殘留應力(Residual stress)測定極圖組織(Pole figure texture) 單晶薄膜Rocking curve測定及模擬分析薄膜Reflectivity測定及模擬分析微區繞射分析高溫繞射分析
廠牌/型號	廠牌：布魯克(Bruker) 型號：Bruker D8 Discover
條列說明重要規格	簡單、直接、非破壞性之材料鑑定實驗裝置應用範疇包含對金屬材料、陶瓷、電子薄膜、鍍層、磊晶等XRD量測分析可進行薄膜低掠角繞射，磊晶樣品的高解析度量測添加濃度及厚度，薄膜材料或金屬材料的殘留應力，以及方向性組織研究的極圖測定，高解析度繞射亦可進行磊晶薄膜Rocking curve測定而確定其成長方向性的一致性，X光反射率量測薄膜厚度/密度及介面粗糙度使用布魯克公司新一代的旋轉式陽極 (6 kW Rotating Anode X-ray Generator) 使用最新的半導體高解析度偵測器 (Lynxeye-XET)，具有很好的能量解析度(~380eV，一般閃爍計數器為1600eV)，可藉由能窗的調整，以不使用單光器而達到去除因樣品中含鐵、鈷、鎳、錳等材料而產生高背景的狀況，同時偵測器亦可以由電腦設定變更其0D、1D的偵測模式，對於一台設備做多項研究時提供了最大的彈性。
條列說明使用規定	取樣尺寸建議事項：多晶薄膜低掠角繞射(Glancing Incident angle Diffraction)：樣品準備：薄膜樣品，1cm1cm （膜厚：20~200 nm）（若是鉻錳鐵鈷材料，請標示）殘留應力(Residual stress)：薄膜樣品及金屬樣品樣品準備：2cm2cm，並需繞射角度(2Theta)，大於85°處有繞射尖峰（薄膜樣品之膜厚至少須200 nm）極圖組織(Pole figure texture)：薄膜樣品及金屬樣品樣品準備：2cm2cm Rocking curve：樣品準備：磊晶薄膜樣品，大於1cm1cm 本儀器以序號預約，於網路上取得預約序號者，請下載使用申請表，預約分析內容請於備註欄中註明（或採用此表），並將試片及申請表送交技術員接洽實驗事宜，始完成預約程序。每一序號樣品數量限制如下: 低掠角繞射、一般繞射分析: 一般測試條件為8個樣品，若是慢速掃瞄則為2個樣品。殘留應力(Residual stress)、極圖組織(Pole Figure)、高溫繞射分析: 2個樣品。微區繞射分析: 8個樣品。Rocking Curve、Reflectivity: 4個樣品。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/VI_SearchResult?insName=XRD001900
技術手冊

高溫二維X光廣角繞射儀(High Temperature 2D X-Ray Diffractometer)

儀器中文全名	高溫二維X-ray 廣角繞射儀(粉末X光二維繞射儀)
儀器中文簡稱
儀器英文全名	High Temperature 2D X-ray Diffractometer
儀器英文簡稱
儀器位置	照坤精密儀器大樓地下B105室
儀器管理人	李坤樹
TEL	(06)2757575#31363#214
E-mail	z9806042@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	▓ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	二維繞射XRD相較於傳統的一維數據技術，可同時收集多角度範圍內的繞射訊號，生成二維繞射圖譜。透過面積偵測器擴大探測範圍，提升數據收集效率與品質，同樣適用於粉末、固體及薄膜等各種樣品晶體結構研究。二維繞射圖譜能同時觀察各方向的繞射環或點，有助於分析晶體取向、織構及結構特性，為材料研究提供更多維度的結構資訊。
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：D8 Discover with GADDS
條列說明重要規格	主要儀器：高溫二維X-ray 廣角繞射儀(國科會儀器代碼：XRD005101) Goniometer：Theta / Theta Source：Ceramic Tube Type KFL Cu 2K Sample Holder：Centric Eulerian Cradle(Vertical) Detector：VANTEC-2000 附件儀器：低掠角薄膜X光繞射儀(國科會儀器代碼：XRD005102) 應用包括晶體結構分析、相組成鑑定、晶粒大小測定、應力分析、薄膜織構及薄膜介面研究等。廠牌：Bruker 型號：D8 Discover 1. Goniometer：Theta / 2Theta 2. Source：Ceramic Tube Type KFL Cu 2K 3. Sample Holder：Centric Eulerian Cradle(Horizontal) 4. Optic System ：Gobel Mirror(Parallel Beam)
條列說明使用規定	依照國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統規定預約。適用於粉末、固體及薄膜等各種樣品。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/
技術手冊	[請另外提供電子檔]

單晶X光繞射儀(Single-Crystal X-Ray Diffractometer)

儀器中文全名	單晶X光繞射儀
儀器中文簡稱	單晶繞射儀
儀器英文全名	Single Crystal X-ray diffraction
儀器英文簡稱	SCXRD
儀器位置	B1F/B112
儀器管理人	洪慈蓮
TEL	31359
E-mail	z11205048@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	單晶X光繞射儀用於未知結構解析，常用於有機分子、金屬錯合物、有機金屬框架、無機材料、固態材料等各式晶體。獲得的結構資訊有最小晶胞尺寸、晶格型態、原子在空間中排列分布、原子間的鍵長、鍵角及熱擾動位移參數。
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：D8 Venture Ims 3.0 Mo
條列說明重要規格	Mo靶波長：0.71 Å 溫度範圍：80 ~ 400 K 壓力範圍：0 ~ 20 GPa (尖端量測服務) 樣品尺寸：0.05 ~ 1 mm
條列說明使用規定	樣品須為”單晶”，薄膜與粉末樣品都無法測量。晶體大小：有機化合物與有機金屬化合物：> 0.04×0.04×0.04 mm³ 無機化合物：> 0.02×0.02×0.02 mm³ 空氣敏感樣品請先來電洽詢
預約系統	國家科學及技術委員會-基礎研究核心設施預約服務管理系統
技術手冊

小角度X光散射儀(Small Angle X-Ray Scattering)

儀器中文全名	小角度X光散射儀
儀器中文簡稱	小角
儀器英文全名	Small Angle X-ray Scattering
儀器英文簡稱	SAXS, WAXS
儀器位置	B1F/B107
儀器管理人	洪慈蓮
TEL	31359
E-mail	z11205048@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	小角度X光散射儀是利用X光與電子的散射現象，可測量高分子材料、膠體系統、生化材料結構、陶瓷材料的結構分析，可提供材料的大小、形狀和內部結構的訊息。
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：NANOSTAR U SYSTEM
條列說明重要規格	1. SAXS with VANTEC-2000 for 1070 mm 2. SAXS with VANTEC-2000 for 670 mm 3. SAXS with VANTEC-2000 for 270 mm 4. WAXS with IP for 98 mm 5. WAXS with IP for 50 mm
條列說明使用規定	本儀器不分校內校外，一律公開開放使用，並依照國家科學及技術委員會相關管理規則辦理。本儀器檢測時，樣品置放處採用真空環境，因此將限制使用者在儀器使用前，對樣品的製備作適當的處理，以減少樣品污染儀器問題。樣品須無毒、無揮發性。欲操作升降溫實驗者，樣品大小須在10 mm x 7 mm (長x 寬)以內，厚度須在2 mm 以下。
預約系統	國家科學及技術委員會-基礎研究核心設施預約服務管理系統
技術手冊

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粒徑分析 Particle Size Analysis

動態光散射儀(Dynamic Light Scattering)

動態光散射儀(Zeta電位)(Dynamic Light Scattering-Zeta Potential)

奈米粒子追蹤分析儀(Nanoparticle Tracking Analysis)

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物理性質 Physical Properties

氦液化系統(Helium Liquefier System)

儀器中文全名	氦液化系統
儀器中文簡稱
儀器英文全名	Helium Liquefier System
儀器英文簡稱	HLS
儀器位置	國立成功大學成功校區物理系一館1樓3112室
儀器管理人	李民楷
TEL	31414
E-mail	anion3143@hotmail.com
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	■ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	氦液化系統是將氦氣液化成液態氦氦液化過程是將氦氣壓縮,經雜質吸附器進入液化機，首先經由液氮預冷，再由五個熱交換器及二個膨脹引擎壓縮工作逐漸降溫到達 6ｋ～18ｋ溫度，經由J-T閥門轉變成液態氦，此降溫過程須費3～4小時才能達到工作溫度。
廠牌/型號	廠牌：Linde 型號：CRYENICS MODEL L1610 Helium Liquefier
條列說明重要規格	氦液化機（Linde Model 1610 Helium Liquefier）氦氣壓縮機（Linde Model RS Helium Compressor）氦氣回收系統（Helium Recovery System）氦氣測漏儀（Portable Helium Leak Detector）氦氣純度測定儀（Portable Helium gas Analyzer）
條列說明使用規定	1.氦氣液化，供應液態氦。（需於三天前預約） 2.回收氦氣純度測定。 3.液氦桶提供交換運輸。（如自備桶須於前兩天灌1/5桶液氮預冷。）
預約系統	[https://vir.nstc.gov.tw/]
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物理性質量測系統儀(PPMS)

儀器中文全名	物理性質量測系統儀
儀器中文簡稱
儀器英文全名	Physical Property Measurement System 16T
儀器英文簡稱	PPMS
儀器位置	B1/B101（或實驗室名稱）
儀器管理人	李民楷
TEL	31414
E-mail	anion3143@hotmail.com
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	■ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	成大核心設施中心所購置的物理性質量測系統儀配有一顆磁場可達16Ｔ的超導磁鐵，樣本空間的直徑為2.54公分，於104年12月安裝測試完成，並於105年1月正式上線服務，成大核心設施中心除購買主體之外，尚購置了稀釋製冷系統，直流與交流磁化率量測套件，比熱套件，及熱傳輸套件。電性量測使用Keithly 6221及2182A並搭配我們自行開發的程式及探頭，並與物理性質量測系統儀連結做量測。我們可提供用戶在低溫高磁場環境下不同種類的物理性質量測。
廠牌/型號	廠牌：Quantum Design 型號：PPMS-16
條列說明重要規格	一、溫控參數 1.溫度變化範圍：1.8K~400K 2.變溫速率：0.1 ~ 6 K/min 3.溫度穩定性：±0.5% 4.溫度正確性：±1%或0.5K 二、磁場參數 1.最大磁場範圍：-160 kOe ~ 160 xkOe 2.磁場均勻性：1cm內的變化量為0.1% 3.充磁速率：10 Oe/sec ~ 220 Oe/sec 4.磁場解析度：0.33Oe 5.殘餘磁場：< 150 Oe 6.磁鐵形式：NbTi/NbSn3 Hybrid 三、稀釋製冷系統 1.溫度變化範圍：50 mK ~ 4K 2. 100mK時的製冷能力：0.25 uW (樣本端) 3.溫度穩定性：±0.2% 4.降溫時間(300K-100mK)：8小時以內 5.樣本空間：直徑22mm高35mm的圓柱空間四、直流磁強量測參數(VSM mode) 1.最大量測磁強：200 emu 2.靈敏度：1×10-⁶emu (量測時間小於10秒)、 3.可變震幅範圍：0.1 mm ~ 2 mm 五、交流磁化率量測參數 1.靈敏度：1×10^-8emu 2.交流場震幅範圍：0.005 Oe ~ 15 Oe 3.交流場頻率範圍：10 Hz ~ 10 kHz 六、比熱量測參數 1.溫度變化範圍：1.8 K ~ 400 K；50 mK ~ 4K 2.樣本大小：0.3 mg ~ 500mg (視量測溫度範圍與樣本性質) 3.比熱解析度：10nJ/K@2K 七、熱傳輸套件量測參數 1.熱傳導誤差：<5% 2.席貝克係數誤差：<5% 3.量測溫度範圍：1.8 K ~ 400 K 八、Keithly 6221 &2182A 1.直流電流輸出：100 fA ~ 100 mA 2.交流電流輸出：4 pA ~ 210 mA 3.最大頻率：100 kHz 4.最短脈衝寬度：5 μs 5.最大量測電阻：1 MOhm (另有二線式量測可量200 GOhm) 九、超低溫交流磁化率量測參數 1.溫度變化範圍：50 mK ~ 4K 2.可承受之最大靜態磁場：120 kOe 3.交流場震幅範圍：0.002 Oe ~ 4 Oe 4.交流場頻率範圍：10 Hz ~ 10 kHz 5.靈敏度：5×10^-8emu
條列說明使用規定	預約前：聯絡技術員討論封裝樣本事宜。至國科會預約成大核設中心之【SQUID001200】物理性質量測系統儀，印出預約單。填妥量測條件，將樣本及預約單親送/寄送給技術員。技術員收到樣本後安排量測時段。量測後：初次預約者，聯絡技術員詢問創立網路雲端硬碟之帳號密碼。數據檔案上傳至NAS雲端硬碟，量測完畢後技術員寄信通知。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/
技術手冊

超導量子干涉磁化儀(SQUID VSM)

儀器中文全名	超導量子干涉磁化儀
儀器中文簡稱
儀器英文全名	Superconducting Quantum Interference Device Vibrating Sample Magnetometer
儀器英文簡稱	SQUID VSM
儀器位置	B1/B101
儀器管理人	楊章君
TEL	06-2757575 # 31358
E-mail	yaona1225@gmail.com
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	■ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	SQUID MPMS3 是美國 Quantum Design 公司所生產的的磁性測量儀器，利用超導量子干涉技術，其具備極高的靈敏度，可精確測量微弱的磁性信號。成大核設中心之SQUID MPMS3備有高溫套件及氦三製冷機，能量測溫度範圍為0.42 K 至 1000 K，並能產生高達 ±7 Tesla 的磁場，用於研究材料在不同環境下的磁性行為。這款設備應用靈活，適合測量各種樣品，並廣泛用於物理、材料科學及化學等領域，為磁性材料和超導體的研究提供了重要支持。
廠牌/型號	廠牌：Quantum Design 型號：MPMS3
條列說明重要規格	一、溫控參數 1.溫度變化範圍：1.8K~400K 2.最大降溫速率：30K/min(300K降至10K溫度平衡約需15min)、 10K/min(10K降至1.8K溫度平衡約需10min) 3.溫度穩定性：±0.5% 4.溫度正確性：±1%或0.5K 二、磁場參數 1.最大磁場範圍：-70kOe~70kOe 2.磁場均勻性：4cm內的變化量為0.01% 3.充磁速率：4Oe/sec~700Oe/sec 4.磁場解析度：0.33Oe 5.殘餘磁場：<5Oe 三、直流磁強量測參數(VSM mode、DC mode) 1.最大量測磁強：10emu 2.靈敏度：<2500Oe: 1×10-8emu (量測時間小於10秒)、 >2500Oe: 8×10-8 emu (量測時間小於10秒) 3.可變震幅範圍：0.1mm~8mm 四、交流磁化率量測參數 1.靈敏度：5×10-8emu 2.交流場震幅範圍：0.005Oe~15Oe 3.交流場頻率範圍：0.1Hz~1kHz 五、高溫套件 1.溫度變化範圍：300K~1000K 2.溫度穩定性：2% 3.溫度正確性：±0.5K 4.靈敏度：<2500Oe: 1×10-6emu (量測時間小於10秒)、 >2500Oe: 8×10-6emu (量測時間小於10秒) 六、氦三製冷機 1.溫度變化範圍：0.42K~1.8K 2.量測期間的溫度穩定性 ±1% 3.溫度校準精度：2% 4.支援量測模式：DC量測
條列說明使用規定	預約前：聯絡技術員討論封裝樣本事宜。至國科會預約成大核設中心之【SQUID000200】超導量子干涉磁化儀，印出預約單。填妥量測條件，將樣本及預約單親送/寄送給技術員。技術員收到樣本後安排量測時段。量測後：初次預約者，技術員會寄信詢問創立網路雲端硬碟之帳號密碼。數據檔案上傳至NAS雲端硬碟，量測完畢後技術員寄信通知。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/
技術手冊

瞬態吸收光譜儀(Transient Absorption Sperctrometer)

儀器中文全名	瞬態吸收光譜儀
儀器中文簡稱
儀器英文全名	Transient Absorption Spectrometer
儀器英文簡稱	TAS
儀器位置	B1/檢測實驗室
儀器管理人	李民楷
TEL	06-2757575 # 31414
E-mail	anion3143@hotmail.com
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	■ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	瞬態吸收(Transient Absorption)光譜技術利用Pump-probe技術量測材料內部的載子時間動力學。利用高頻率的脈衝雷射激發(Pump)樣品產生瞬態，例如電子激發態、電荷轉移反應中間體或是自由基活化等，藉由探測(Probe)光源在不同波長的吸收與延遲時間(Delay time)，記錄其能量弛豫回到基態的過程。
廠牌/型號	廠牌：英國EDINBURGH (利泓科技代理) 型號：LP980
條列說明重要規格	時間模式利用單一的偵測器來量測特定單一波長下的瞬態吸收動力學，進一步掃描不同的波長，在不同的時間點取出特定的光譜變化。光譜模式利用感光耦合元件(Charge-coupled Device，CCD)偵測器去量測單一雷射脈衝下的全波長吸收光譜。電荷轉移與能量弛豫現象為許多物理與化學反應的主要機制，舉凡太陽能電池、發光元件、界面催化、光合作用、準粒子的形成等，均倚賴電荷或能量轉移來完成。瞬態吸收光譜可分析材料內部與介面的電荷轉移與能量弛豫的行為並探索其機制，是研究各類型光電元件中載子動力學上的重要技術。
條列說明使用規定	聯絡技術員討論封裝樣本事宜： (1) 溶液樣品：代測樣品溶液請稀釋為清澈透光，本中心會準備3.5 mL的石英皿為樣品承裝。有自行準備特殊載具者，請先與儀器管理員聯繫，以討論樣品座適合程度。 (2)薄膜樣品：代測樣品為薄膜且基板可透光者，本中心會先以穿透式量測；代測樣品為薄膜且基板不透光者，則採用反射式量測。有自行準備特殊載具者，請先與儀器管理員聯繫，以討論樣品座合適程度。至國科會預約成大核設中心之【OTHER003700】瞬態吸收光譜儀，印出預約單。填妥量測條件，將樣本及預約單親送/寄送給技術員。技術員收到樣本後安排量測時段。
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技術手冊	[請另外提供電子檔]

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核磁共振儀 NMR

600MHZ 核磁共振儀(600MHz NMR)

儀器中文全名	600MHz核磁共振儀
儀器中文簡稱	600核磁共振儀
儀器英文全名	600MHz Nuclear Magnetic Resonance Spectrometer
儀器英文簡稱	600NMR
儀器位置	B1/106室
儀器管理人	林碧雲
TEL	06-2757575-31375
E-mail	z7710011@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	v 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	600MHz NMR目前搭配的室溫BBFO探頭，超導核磁共振儀是研究自旋角動量不為零的原子核所具有的磁矩，分子置於外加靜磁場下與電磁波脈衝產生磁作用時的熱力學與動力學行為，進而對分子進行分析。應用於化學結構鑑定、化學成分分析、熱力學及動力學探討等。主要檢測的項目包含一維氫譜、一維異核圖譜、二維實驗等。使用的軟體為Topspin3.5pl6版，可進行樣品檢測、作圖、圖譜輸出及數據分析等。應用範圍:化學、化工、生物、食品農業、藥學、材料、物理、環工等學門。
廠牌/型號	廠牌：BRUKER 型號：AVANCE III HD
條列說明重要規格	1.主機(BRUKER AVANCE III HD) 2.磁鐵(600MHz) 3.電腦PC資料處理機(軟體Topspin3.5pl6) 4.探頭(BBFO)
條列說明使用規定	服務項目及收費標準： 1.本室有提供一般氘-溶劑(CDCl3,D2O,DMSO)及NMR tube. 2.測試樣品量:氫(5-10mg),碳及二維圖譜需(20-30mg). (1)有計畫者氫譜每件250元(須加溶劑50元或試管100元),非計畫者氫譜每件1500元(須加溶劑200元或試管200元). (2)有計畫者碳譜或異核圖譜每件600元,非計畫者每件2500元. (3)有計畫者二維圖譜每件2000元,非計畫者每件3000元. (4)有計畫者長時間實驗每小時150元,非計畫者每小時600元. (5)有計畫者教育訓練每小時1100元,非計畫者每小時2200元.
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/home/Index
技術手冊	CFC儀器設備技術手冊與訓練教材(附檔)

700MHZ 高磁場超導核磁共振儀(AVIIIHD 700NMR)

儀器中文全名	700MHz高磁場超導核磁共振儀
儀器中文簡稱	700MHz核磁共振儀
儀器英文全名	700MHz high magnetic field superconducting nuclear magnetic resonance spectrometer
儀器英文簡稱	700MHz NMR
儀器位置	B103室
儀器管理人	周詰鈞
TEL	06-2757575#31377
E-mail	z11103056@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	一維H核光譜：H光譜,同核解偶光譜,選擇性NOE光譜一維異核光譜：13C, 19F, 31P, 29Si, 17O, DEPT光譜二維同核光譜：COSY, NOESY, ROESY 二維異核光譜：HMQC, HSQC, HMBC 水峰抑制實驗(water supression) 變溫實驗
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：AVANCE III HD 700MHz
條列說明重要規格	三組數位式射頻頻道，可涵蓋有效頻寬 5 MHz，數位式四相位偵測，高效能前置放大器，含：頻率掃描系統／氫核前置放大器／寬頻前置放大器／氘核前置放大器探頭(Probe)：訊雜比(S/N)：氫核：≧7000：1（樣品 0.1% Ethylbenzene）碳核：≧1250：1（樣品 ASTM）線型（Lineshape）：氫核：≦ 8 / 16 Hz（0.11% / 0.55% non-spinning, 樣品 0.3% Chloroform）配備Z方向磁場梯度之5mm之寬頻探頭 RT Broadband Probe 頻範圍：31P ~109Ag 自動調協裝置梯度磁場電腦系統：Windows7 NMR操作軟體：Topspin
條列說明使用規定	請使用5mm NMR tube，須配置氘溶液0.5ml。委託測試時，相關資料，請詳細寫於申請表上，樣品濃度高可節省時間及費用。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/VI_SearchResult
技術手冊	無

固態核磁共振光譜儀(Soild State NMR)

儀器中文全名	固態核磁共振光譜儀
儀器中文簡稱	固態核磁共振光譜儀
儀器英文全名	Bruker Avance III HD Solid State NMR
儀器英文簡稱	Bruker Avance III HD Solid State NMR
儀器位置	儀設大樓一樓0115室（或實驗室名稱）
儀器管理人	孫淑宜
TEL	06-2757575*31412
E-mail	suncp@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	▇ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	normal service： .13C，29Si，31P，27Al，23Na，119Sn，11B，2H，7Li、51V ‧special service： .2D
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號Avance III HD Solid State NMR：
條列說明重要規格	BRUKER AVANCE III HD Solid State NMR ‧CPMAS probe 7mm rotor 15N ~ 31P ‧CPMAS probe 4mm rotor 15N ~ 31P ‧Wide line probe 109Ag ~ 31P ‧Ultra Low temperature probe 63Cu，29Si，79Ga ‧VT unit BVT 3000
條列說明使用規定	請洽06-2757575*31412
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/home/
技術手冊

500MHZ 超導核磁共振儀(AVNEO 500NMR)

儀器中文全名	超導核磁共振儀500MHz
儀器中文簡稱	超導核磁共振儀500MHz
儀器英文全名	Nuclear Magnetic Resonance 500MHz
儀器英文簡稱	NMR 500MHz
儀器位置	理學教學大樓化學系36116室
儀器管理人	甘宗倫
TEL	06-2757575#61365
E-mail	i3deagle@gmail.com
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	R 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	NMR的主要功能為化合物的結構鑑定及分析，可應用於有機化學、天然物分析，化學成分分析、反應機制探討，聚合物分析，定量分析等，並藉由常見的氫譜、碳譜、異核圖譜、二維實驗、擴散實驗、變溫實驗等進行相關的研究及探討。
廠牌/型號	廠牌：BRUKER 型號：AVANCE NEO
條列說明重要規格	1.磁鐵：11.7 tesla 2.主機：BRUKER AVANCE NEO 3.軟體：Topshim 4.3.0 4.自動進樣系統：可放置24個樣品 5.探頭(iProbe)： (1).Z方向磁場梯度之5mm寬頻(Broad Band)探頭。 (2).探頭溫度涵蓋範圍為-150℃~150℃。 (3).頻率涵蓋範圍為¹H/¹⁹F/³¹P~¹⁹⁹Hg/¹⁷O -¹⁰⁹Ag。 (4).自動調諧裝置(Automatic Tuning and Matching) 。 (5).¹⁹F與¹H分屬不同線圈。 (6).能執行磁場梯度實驗。 (7).性能規格： a. ¹H S/N≧850 (0.1% EB; 200 Hz noise; LB=1 Hz)。 b. ¹⁹F(去耦合¹H) S/N≧700 (TFT; 1ppm noise; LB=0.5 Hz)。 c. ¹³C(去耦合¹H) S/N≧380 (10% EB，5 ppm noise; LB=0.1 Hz)。 d. ³¹P S/N≧250 (TPP; 5 ppm noise; LB= 5 Hz)。 e. ¹H核的90°脈衝時間≦10 μsec。 f. ¹³C核的90°脈衝時間≦12 μsec。 g. ¹H樣品不旋轉時線型(Lineshape)優於7/14 Hz (1% CHCl₃)。
條列說明使用規定	因實驗種類繁多，實驗設定參數也複雜，加上樣品數量多，因此暫不對外開放使用者操作機台。可接受委託檢測，經國科會貴儀網站預約後，即可送測樣品。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/home/ReserveService
技術手冊	https://ctrmost-cfc.ncku.edu.tw/var/file/210/1210/img/4625/403181451.pdf

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表面分析 Surface Analysis

化學分析電子光譜儀(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis, ESCA XPS)

儀器中文全名	化學分析電子光譜儀
儀器中文簡稱	化學分析電子光譜儀
儀器英文全名	Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
儀器英文簡稱	ESCA
儀器位置	自強校區照坤精密儀器大樓0211室
儀器管理人	李瑞欽
TEL	31411
E-mail	Z8011013@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	■ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	化學分析電子光譜儀(ESCA)是一種分析材料表面組織形態及化學結構的儀器，可適用於電機、機械、電子、材料、化學、化工等研究領域。 ESCA的原理，簡單地說就是光電效應。當其有足夠能量的電磁波(X-Ray)照射在材料表面上，原子內的電子吸收了電磁波的能量，將可自原子內游離出來，稱為光電子。其動能為入射電磁波的能量，減去該電子在原子內的束縛能。不同元素的光電子，具有特定的動能，因而判定材料表面的元素成份。
廠牌/型號	廠牌：ULVAC-PHI 型號：PHI 5000Versa Probe
條列說明重要規格	XPS：光源為掃描式Al Kα單光化X 光 Argon Ion Gun，可用於清潔樣品表面和縱深分析。電荷中和系統：中和樣品表面的電荷累積。 Transfer Vessel: 可於手套箱內將空氣敏感不穩定的樣品密封，觀察樣品的真實狀態。
條列說明使用規定	1.由於ESCA是對試樣表面非常靈敏的儀器，因此，保持試片表面的原狀與潔淨，對分析結果的正確與否非常重要。例如手指接觸到試片表面，則可能會檢測出Cl、C、Na、O等外來的污染元素。 2.樣品規格：ESCA面積小於2cm*2cm，厚度小於5mm。 3.樣品不得具有磁性、毒性、輻射性。 4.Depth profile以不超過1um為原則。凡發表論文將儀器列共同作者或致謝中提起.享有預約優先與優待服務 (NSC Instrument Center NCKU PHI Versa Probe 4
預約系統	國家科學及技術委員會-基礎研究核心設施預約服務管理系統
技術手冊

X光光電子能譜儀(X-Ray Photoelectron Spectronmeter)

儀器中文全名	X光電子能譜儀
儀器中文簡稱
儀器英文全名	X-ray Photoelectron SPECTROSCOPY
儀器英文簡稱	XPS
儀器位置	自強校區照坤精密儀器大樓0211室
儀器管理人	李瑞欽
TEL	31411
E-mail	Z8011013@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	■ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	X光電子能譜儀(XPS)是一種分析材料表面組織形態及化學結構的儀器，可適用於電機、機械、電子、材料、化學、化工等研究領域。 XPS的原理，簡單地說就是光電效應。當其有足夠能量的電磁波(X-Ray)照射在材料表面上，原子內的電子吸收了電磁波的能量，將可自原子內游離出來，稱為光電子。其動能為入射電磁波的能量，減去該電子在原子內的束縛能。不同元素的光電子，具有特定的動能，因而判定材料表面的元素成份。
廠牌/型號	廠牌：ULVAC-PHI 型號：Versa probe IV
條列說明重要規格	XPS：光源為掃描式Al Kα單光化X 光 Argon Ion Gun，可用於清潔樣品表面和縱深分析。電荷中和系統：中和樣品表面的電荷累積。 Transfer Vessel: 可於手套箱內將空氣敏感不穩定的樣品密封，觀察樣品的真實狀態。
條列說明使用規定	1.由於XPS是對試樣表面非常靈敏的儀器，因此，保持試片表面的原狀與潔淨，對分析結果的正確與否非常重要。例如手指接觸到試片表面，則可能會檢測出Cl、C、Na、O等外來的污染元素。 2.樣品規格：XPS面積小於2cm*2cm，厚度小於5mm。 3.樣品不得具有磁性、毒性、輻射性。 4.Depth profile以不超過1um為原則。凡發表論文將儀器列共同作者或致謝中提起.享有預約優先與優待服務 (NSC Instrument Center NCKU PHI Versa Probe 4
預約系統	國家科學及技術委員會-基礎研究核心設施預約服務管理系統
技術手冊

接觸角量測儀(Contact Angle Meter)

儀器中文全名	4206 接觸角量測儀
儀器中文簡稱	接觸角量測儀
儀器英文全名	4206 Contact Angle Meter
儀器英文簡稱	CA
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	李芃葶
TEL	06-2757575 ext.31389
E-mail	ptli@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	■ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
M應用/功能簡介 (100字內)	接觸角（Contact Angle,θ）為衡量材料親、疏水性的重要指標。接觸角（θ）係指當一液體與固體接觸時，經由固、液、氣三項都接觸到的三相點沿著液／氣界面的切線方向所形成的夾角，也就是液體表面與固體表面之間的夾角。接觸角為一種濕潤性的量度，數值為0-180度。當θ<30∘，稱超親水性表面；θ介於30-90∘，稱親水性表面；θ介於90-150∘，稱疏水性表面；當θ介於150-180∘，稱超疏水性表面。建立量測接觸角與表面能量測方法，將有助於研發材料性能提升。
廠牌/型號	廠牌：First Ten Angstroms（代理商:汎達科技）型號：FTA-1000B
條列說明重要規格	可進行接觸角量測液體表面張力測固體表面能計算 (Surface Energy) 接觸角量測範圍 : 0-180∘，讀取精度≦ 0.1∘ 表面張力量範圍 : 0-2000 mN/m，精度 ± 0.5% 手動定量滴定器 : 容量2.0 ml 最小刻度 : 0.002 ml-Teflon 耐酸鹼材質樣品測試載台 : 樣品最大尺寸寬度 : 30cm 厚度 : 5.5cm 樣品定位： Z軸手動上昇下降(2.5cm) Y軸手動式移動定位 (行程 15cm) 模組化設計，擴充性高 ( 不需要更換主機 )
條列說明使用規定	僅提供水滴角數據。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊

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質譜儀 MS

元素分析儀(Elemental Analyzer)

儀器中文全名	元素分析儀
儀器中文簡稱	元素分析儀
儀器英文全名	Elemental Analyzer
儀器英文簡稱	Elemental Analyzer
儀器位置	儀設大樓一樓0106室（或實驗室名稱）
儀器管理人	孫淑宜
TEL	06-2757575*31412
E-mail	suncp@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	▇ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	N、C、H、S、O、Cl
廠牌/型號	Elementar UNICUBE
條列說明重要規格	元素分析儀乃德國Elementar UNICUBE，此儀器可定量分析可燃燒無爆炸性之體樣品中Ｃ、Ｈ、Ｎ、S、Cl之重量百分比。送樣應注意事項 1．純化學品之分析，樣品需要精製使其接近百分之百之純度，並經乾燥處理。 2．在申請表上，請盡量提供有關送測樣品的資料。請務必告之樣品所含之成份及所含所有元素，完全不知為何物之樣本，請勿送測。 3．含F之樣品只限南部使用者。
條列說明使用規定	請洽06-2757575*31412
預約系統
技術手冊

高解析感應耦合電漿質譜分析儀(ICP-MS)

儀器中文全名	高解析感應耦合電漿質譜分析儀
儀器中文簡稱	高解析感應耦合電漿質譜分析儀
儀器英文全名	Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometer
儀器英文簡稱	ICP-MS
儀器位置	儀器設備大樓1樓0105室
儀器管理人	徐光毅
TEL	06-2757575 #31399
E-mail	Z11008108@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	■ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	本儀器可提供樣品中各種微量元素濃度的分析服務，分析內容依委託單位需求可分為： 1.半定量分析：可提供元素及元素的濃度範圍。 2.定量分析：提供確切的分析數據。 3.樣品消化前處理:將固體樣品溶解或消化成液體樣品。分析服務對象包括：材料科技研究；環境、食品及藥品研究；生物醫學、化學及工業產品分析等有關研究領域的元素分析服務。
廠牌/型號	廠牌：Thermo 型號：Element XR
條列說明重要規格	可測 69 個元素，偵測極限由 10 ppt ～ 102 ppm
條列說明使用規定	固態樣品需自行前處理或委託成大核心設施中心，將其溶解或消化為液體才能分析，委託進行前處理需額外支付費用;如自行前處理，請告知樣品溶液中的大致成分以利標準液的配製。分析樣品僅接受無機酸水溶液;無法承接含氫氟酸(HF)或純有機溶劑類樣品。國科會系統預約完成後，請將樣品(寄)送到實驗室，收樣後會盡快完成分析，一般約5個工作天完成，有急件需求請額外告知，會盡量配合。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw
技術手冊

高解析Orbitrap質譜儀串聯液相層析暨晶片電泳分析系統(CE/LC-MS)

儀器中文全名	高解析軌道阱質譜儀串聯液向層析系統
儀器中文簡稱
儀器英文全名	High-resolution Orbitrap mass spectrometry tandem liquid chromatography system
儀器英文簡稱	LC-HRMS
儀器位置	力行校區生科大樓11樓89B05室
儀器管理人	李姵誼
TEL	06-2080681
E-mail	z11206051@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	分子量測定：以質譜測定純化過的化合物分子量。單一成分高解析ESI-MS/MS：以質譜測定純化過的化合物分子量及二次質譜圖。額外選定離子ESI-MS/MS：以質譜測定指定離子的二次質譜圖。 4. LC-MS分析（大、小分子）：跑25min LC分離梯度，並連接質譜偵測 (Full-MS, DDA, or DIA)。（樣品需先純化並先與技術員討論管柱是否適用或是要自備管柱） 5. 蛋白質身分鑑定分析：以Nano LC-MS/MS 分析蛋白質。
廠牌/型號	廠牌：Thermo Fisher Scientific 型號：Exactive Plus MS with Ultimate 3000 RSLCnano
條列說明重要規格	高解析四極桿傅立葉轉換電場軌道質譜儀（High Resolution Q-Exactive Plus）儀器設計：同時包含四極桿式（Quadrupole）及傅立葉轉換電場軌道阱（Orbitrap）分析器。 (1) 離子傳輸元件（Ion Optics）： ►具有S-LENS 設計，有效提高傳輸效率 ►包括可獨立加熱式離子毛細管（Ion transfer tube） (2) 四極桿分析器： ►為HyperQuad mass filter ►Isolation width selection from 0.4 Da to full mass range (3) 真空系統（Vacuum System）：包括渦輪幫浦（turbo pump）及旋轉幫浦（rotary pump），真空度可達 ≦ 1x10^-9mbar。超高壓液相層析系統（UHPLC Systems）儀器設計：同一模組內，具有兩種不同流速範圍之幫浦，奈升級幫浦NanoPump與毫升級幫浦MicroPump一組。具備自動進樣系統及管柱恆溫箱。經由串接加熱式電噴灑游離源（H-ESI）及奈升級電噴灑游離源（NSI）方式，導入質譜儀中，執行超高壓液相層析串聯質譜儀檢測功能。 (1) 可使用Xcalibur 軟體控制。 (2) 自動進樣系統AutoSampler 溫控範圍4-45℃。 (3) 管柱恆溫箱Column Compartment 溫控可達75℃。 (4) 奈升級幫浦NanoPump 耐高壓 >11,000psi。 (5) 毫升級幫浦MicroPump 耐高壓達8,500psi。離子源（Ion Source）儀器設計：加熱式電噴灑游離源（H-ESI）：流速範圍可達1 µL/min至1 mL/min，加熱可達450℃。奈升級電噴灑游離源（NSI）：流速範圍可達10 nL/min至1,000 nL/min，在大氣壓力模式下操作。檢測器（Detector） (1) 具全質量掃描（Full Scan MS）。 (2) 二次全質譜質量掃描（Full Scan MS/MS）。 (3) 具選擇離子監控（target Selected Ion Monitoring，t-SIM）、數據依賴擷取法（DDA）、非數據依賴擷取法（DIA）、全離子碎片法（AIF）、平行反應監測法（Parallel Reaction Monitoring，PRM）等功能。 (4) 質量範圍（Mass Range）：質量範圍設定m/z 50~6,000。 (5) 掃瞄速率（Scan Rate）：≦12 Hz。 (6) 質量分辨率（Mass Resolution）：最高可達280,000 FWHM 解析度。 (7) 極性切換（Polarity Switching）：正負離子切換 <1 sec。 (8) 質量精確度（Mass Accuracy）：質量外校誤差（external error）<3 ppm，質量內校誤差（internal error）<1 ppm。 (9) Multiplexing 技術可同時選擇最多10 個 Using Ion-Routing Multipole 10 precursors。 (10) 裂解技術：更高能量碰撞誘導解離（HCD）。 (11) 靈敏度（Sensitivity）：注入30 fg 標準品（Buspirone） on column，SIM mode 靈敏度訊噪比（S/N）>100。
條列說明使用規定	1.本儀器不分校內校外，一律公開開放使用，並依照國科會相關管理規則辦理。 2.本分析服務單位不接受放射性或生物感染性樣品。 3.可接受樣品之儲存狀態有：粉末狀態、水溶液狀態；可全溶於可揮發性buffer（如甲醇、乙腈、異丙醇、水）。 4.樣品中禁止含有界面活性劑、磷酸、硫酸、無機酸鹽類或非揮發性鹽類；若因送測樣品中含此類物種而造成機器損害，送測者須負相關賠償責任。（膠內酵素水解樣品最後需經C18 cartridge或是ZipTip去鹽，才可送至本分析單位進行分析。） 5.蛋白質、胜肽分子量測定或是蛋白質鑑定之樣品（膠體消化樣品、水溶性消化樣品）建議總量為5~100pmole。小分子測定之樣品需有1mg以上的樣品進行分析。 6.進行蛋白質鑑定之樣品，請註明樣品來源種類（例如：human、rattus...等）。 7.本實驗室一律以-20℃儲存送測樣品，如需其它特殊儲存方式請另行告知。 8.本分析服務單位不負責於運送過程中的損害。 9.自備管柱者，請先提供壓力、溫度及pH值適用範圍。 10.自行操作者，請自備上機用手套、內插管（或vial瓶）、瓶蓋，使用完應將儀器復歸，並自行處理圖譜。 11.自備LC：有長期或特殊需求而自備LC，儀器串聯需經專業風險評估，不得損壞或影響質譜儀或相關儀器運轉；如有損壞，應予賠償。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/
技術手冊	[請另外提供電子檔]

高解析氣相層析飛行質譜儀(HR-TOF-MS)

儀器中文全名	高解析氣相層析飛行質譜儀
儀器中文簡稱	高解析氣相層析飛行質譜儀
儀器英文全名	High Resolution TOF- Mass spectrometer
儀器英文簡稱	High Resolution TOF- Mass spectrometer
儀器位置	成功大學自強校區儀器設備大樓1F GC/MS實驗室
儀器管理人	梁美蘭
TEL	06-2757575分機31378
E-mail	z9508215@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	■ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	儀器購置年月：2018年10月加入貴儀年月：2019年1月儀器經費來源：國科會廠牌及型號：日本 JEOL AccuTOF GCx-plus 及 SHIMADZU QP2020 功能簡介： EI，CI，FAB，FD Mode之一般解析度質譜測定。 EI，FAB Mode 高解析度質譜測定及組成演算。 EI，FAB，FD Mode之負離子質譜測定。
廠牌/型號	廠牌：JEOL及SHIMADZU 型號：JEOLAccuTOF GCx-plus及SHIMADZU QP2020
條列說明重要規格	一、凡送至本中心之待測樣品(sample)，若只要測質譜，希望能事先加以純化(purification) 。二、送測樣品：請在申請單上儘量告知所有的資料，例如：溶點(melting point)，沸點 (boiling point)，分子量(MV)範圍。三、GC-MS 之測定，請於送測樣品前，先找出最好的GC條件。四、所需待測樣品之量極少，固態及液態者只需1 ㎎即夠使用，但若可能請多送一些樣品，以便有懷疑時，多做檢定。
條列說明使用規定	1.預約樣品時、不同測試項目請分開預約。2.每個序號樣品數量不要超過10個。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/
技術手冊	[請另外提供電子檔]

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進階服務 Advanced Services

臨場高解析穿透式電子顯微鏡-液態樣品：靜/動態觀察、加熱及電化學功能

物理性質量測系統-高壓量測(PPMS-Pressure Cell)

超導量子干涉磁化儀-高壓量測(SQUID-Pressure Cell)

單晶X光繞射儀-高壓量測(Single-Crystal X-Ray Diffractiometer-D-Pressure Cell)

掃描探針顯微鏡-掃描電化學(AFM-Base SECM)

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其他 Others

晶圓切割機 (Wafer Cutting Machine)

儀器中文全名	1301晶圓切割機
儀器中文簡稱	切割機
儀器英文全名	1301 Wafer Cutting Machine
儀器英文簡稱	Wafer Cutter
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	楊士弘
TEL	(06) 2757575#31380#233
E-mail	z11110045@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻	■ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕	□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統	□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析	□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀	□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	提供玻璃、石英及高分子三種厚板的選擇可進行試片、元件之切割，操作步驟相單簡便，首先只需更換刀片，作高度定位再設定參數校準切割線便可切割，需給予機台校準參考線以供精準對位。
廠牌/型號	廠牌：Disco 型號：DAD-321
條列說明重要規格	試片尺寸: ~160*160mm 旋轉軸旋轉數: 30000rpm 膠膜厚度: 0.125mm
條列說明使用規定	不可切割藍寶石基板
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
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