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蝕刻

蝕刻 Etching

蝕刻 Etching

反應式離子蝕刻機 (Reactive Ion Etching)

儀器中文全名

1201 反應式離子蝕刻機

儀器中文簡稱

反應式離子蝕刻機

儀器英文全名

1201 Reactive Ion Etching

儀器英文簡稱

RIE

儀器位置

B1F/無塵室

儀器管理人

李佩珊

TEL

06-2757575 ext. 31380#243

E-mail

z11111034@ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

■ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

□ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

本機台為乾式蝕刻又稱為電漿蝕刻,為非等向性蝕刻,以氣體為主要的蝕刻媒介,藉由電漿能量來驅動反應,包含物理性(Physical)與化學性(Chemical)蝕刻優點,使製程擁有極佳的非等向性優點,且藉由蝕刻氣體和材料的化學反應選擇來決定蝕刻的大小、範圍。

廠牌/型號

廠牌:慶康科技

型號:OMNI-RIE

條列說明

重要規格

  • 氣體: CF4、SF6、O2、N2、Ar
  • 試片尺寸: < 4”
  • 蝕刻材料: Poly-Si, SiO2, SiNx
  • RF最大功率: 500W
  • 氣體最大流量: 100sccm

條列說明

使用規定

  • 蝕刻材料不可含有Cu
  • 每次蝕刻時間最長不超過8min, 若超過請分段

預約系統

微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list

微奈米系統-代工:

https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application

技術手冊

技術手冊

奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿) (Inductive Coupled Plasma Etching System)

儀器中文全名

1202奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿)

儀器中文簡稱

奈米深蝕刻系統

儀器英文全名

1202 Inductive Coupled Plasma Etching System, ICP

儀器英文簡稱

ICP

儀器位置

B1F無塵室

儀器管理人

陳子欣

TEL

(06) 275-7575 ext. 31380#208

E-mail

tzuhsin@mail.ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

█ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

□ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

奈米深蝕刻系統主要用於高深寬比乾式蝕刻(Aspect Ratio ≧ 15:1)。該系統採用Bosch蝕刻技術,通過交替進行氟化物蝕刻和氧化物沉積來實現深度奈米蝕刻。首先,使用SF等氣體進行化學蝕刻,移除材料表層;然後,使用O或CF沉積保護層,防止側壁損傷。此過程交替進行,有效實現高深度蝕刻並保持垂直側壁結構,適用於精密微製程。

廠牌/型號

  • 廠牌:ELIONIX
  • 型號:EIS-700

條列說明

重要規格

  • 氣體:C4F8、SF6、O2、N2
  • 試片尺寸:< 6”
  • 蝕刻材料:Poly-Si, SiO2, SiNx
  • RF 最大功率: 1KW(Source) / 300W(Stage)

條列說明

使用規定

  • 僅接受2”~6” wafer或2 cm x 2 cm破片。破片須以真空膠帶固定置於whole wafer上,破片未固定或者使用光阻固定者,一律禁止置入。
  • whole wafer 背面及邊緣須完全清潔始可置入,不可有任何光阻、膠合物等沾染物。
  • 試片務必要乾淨、乾燥且無任何particle,若有particle請先以N2槍吹乾淨。
  • 於真空中具揮發性,或有礙真空維持及可能污染腔體之疑慮,嚴禁放入腔體中。
  • 阻擋層:PR Mask 及 Cr Mask。(注意:其他阻擋層皆需取得機台管理者同意後才可進行蝕刻)

預約系統

業界自操: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/

業界代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/

技術手冊

技術手冊

感應耦合離子電漿離子蝕刻機 (ICP RIE System, Fluorine Base)

儀器中文全名

1205 感應耦合電漿離子蝕刻機

儀器中文簡稱

感應耦合電漿離子蝕刻機

儀器英文全名

1205 ICP RIE System (Fluorine base)

儀器英文簡稱

ICP RIE System (Fluorine base)

儀器位置

B1F無塵室

儀器管理人

陳子欣

TEL

(06) 275-7575 ext. 31380#208

E-mail

tzuhsin@mail.ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

█ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

□ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

感應耦合電漿離子蝕刻機採用氟氣基蝕刻製程,通過CHF、Ar、O等氣體在低壓環境下產生高密度電漿,實現高效且均勻的材料移除。該系統具備奈米尺度結構製作的高精度,廣泛應用於材料科學、電子電機及光電元件製程,為微奈米技術與高精密製造提供關鍵支持。

廠牌/型號

  • 廠牌:SAMCO
  • 型號:RIE-101iPH

條列說明

重要規格

  • 氣體:CHF3、Ar和O2
  • 試片尺寸:破片 ~ up to 4” wafer
  • 蝕刻材料:矽化物
  • RF 最大功率:1KW(Source) / 300W(Stage)

條列說明

使用規定

  • 僅接受2”~4” wafer或破片。破片須以真空膠帶固定置於載盤上,破片未固定或者使用光阻固定者,一律禁止置入。
  • 載盤背面及邊緣須完全清潔始可置入,不可有任何光阻、膠合物等沾染物。
  • 試片務必要乾淨、乾燥且無任何particle,若有particle請先以氮氣槍吹乾淨。
  • 於真空中具揮發性,或有礙真空維持及可能污染腔體之疑慮,嚴禁放入腔體中。
  • 金屬材料蝕刻需先知會機台管理者,取得同意後才可進行蝕刻。

預約系統

微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list

微奈米系統-代工:

https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application

技術手冊

技術手冊

感應耦合式高密度離子電漿蝕刻機 (ICP RIE System, Chlorine Base)

儀器中文全名

1208 感應耦合式高密度電漿蝕刻機

儀器中文簡稱

感應耦合式高密度電漿蝕刻機

儀器英文全名

1208 ICP RIE System (Chlorine base)

儀器英文簡稱

ICP RIE System (Chlorine base)

儀器位置

B1F無塵室

儀器管理人

陳子欣

TEL

(06) 275-7575 ext. 31380#208

E-mail

tzuhsin@mail.ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

█ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

□ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

    感應耦合式高密度電漿蝕刻系統是以氯氣電漿(chlorine-based)為基礎的蝕刻系統,主要使用的氣體為Cl2、BCl3、SiCl4、Ar、O2和CHF3,適合III-V及金屬材料蝕刻,III-V材料及金屬材料的蝕刻具有相當的難度,主因是常用的F離子與III-V材料及金屬材料反應後的生成物,其汽化溫度大於攝氏1000度,造成無法蝕刻的問題,而氯氣離子的加入則可以大大降低反應生成物的氣化溫度至攝氏300度以下,因此能達成III-V材料及金屬材的蝕刻。

廠牌/型號

  • 廠牌:SAMCO
  • 型號: RIE-400ip

條列說明

重要規格

  • 氣體:Cl2、BCl3、SiCl4、Ar、O2和CHF3
  • 試片尺寸:破片 ~ up to 4” wafer
  • 蝕刻材料:III-V及金屬材料
  • RF 最大功率:1KW(Source) / 600W(Stage)

條列說明

使用規定

  • 僅接受2”~4” wafer或破片。破片須以真空膠帶固定置於載盤上,破片未固定或者使用光阻固定者,一律禁止置入。
  • 載盤背面及邊緣須完全清潔始可置入,不可有任何光阻、膠合物等沾染物。
  • 試片務必要乾淨、乾燥且無任何particle,若有particle請先以氮氣槍吹乾淨。
  • 於真空中具揮發性,或有礙真空維持及可能污染腔體之疑慮,嚴禁放入腔體中。
  • 金屬材料蝕刻需先知會機台管理者,取得同意後才可進行蝕刻。

預約系統

學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/

業界自操: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/

業界代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/

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