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蝕刻
蝕刻 Etching
蝕刻 Etching
反應式離子蝕刻機 (Reactive Ion Etching)
儀器中文全名 |
1201 反應式離子蝕刻機 |
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儀器中文簡稱 |
反應式離子蝕刻機 |
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儀器英文全名 |
1201 Reactive Ion Etching |
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儀器英文簡稱 |
RIE |
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儀器位置 |
B1F/無塵室 |
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儀器管理人 |
李佩珊 |
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TEL |
06-2757575 ext. 31380#243 |
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z11111034@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
■ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
本機台為乾式蝕刻又稱為電漿蝕刻,為非等向性蝕刻,以氣體為主要的蝕刻媒介,藉由電漿能量來驅動反應,包含物理性(Physical)與化學性(Chemical)蝕刻優點,使製程擁有極佳的非等向性優點,且藉由蝕刻氣體和材料的化學反應選擇來決定蝕刻的大小、範圍。 |
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廠牌/型號 |
廠牌:慶康科技 型號:OMNI-RIE |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿) (Inductive Coupled Plasma Etching System)
儀器中文全名 |
1202奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿) |
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儀器中文簡稱 |
奈米深蝕刻系統 |
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儀器英文全名 |
1202 Inductive Coupled Plasma Etching System, ICP |
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儀器英文簡稱 |
ICP |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
陳子欣 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#208 |
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tzuhsin@mail.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
█ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
奈米深蝕刻系統主要用於高深寬比乾式蝕刻(Aspect Ratio ≧ 15:1)。該系統採用Bosch蝕刻技術,通過交替進行氟化物蝕刻和氧化物沉積來實現深度奈米蝕刻。首先,使用SF₆等氣體進行化學蝕刻,移除材料表層;然後,使用O₂或C₄F₈沉積保護層,防止側壁損傷。此過程交替進行,有效實現高深度蝕刻並保持垂直側壁結構,適用於精密微製程。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
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技術手冊 |
感應耦合離子電漿離子蝕刻機 (ICP RIE System, Fluorine Base)
儀器中文全名 |
1205 感應耦合電漿離子蝕刻機 |
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儀器中文簡稱 |
感應耦合電漿離子蝕刻機 |
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儀器英文全名 |
1205 ICP RIE System (Fluorine base) |
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儀器英文簡稱 |
ICP RIE System (Fluorine base) |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
陳子欣 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#208 |
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tzuhsin@mail.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
█ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
感應耦合電漿離子蝕刻機採用氟氣基蝕刻製程,通過CHF₃、Ar、O₂等氣體在低壓環境下產生高密度電漿,實現高效且均勻的材料移除。該系統具備奈米尺度結構製作的高精度,廣泛應用於材料科學、電子電機及光電元件製程,為微奈米技術與高精密製造提供關鍵支持。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
感應耦合式高密度離子電漿蝕刻機 (ICP RIE System, Chlorine Base)
儀器中文全名 |
1208 感應耦合式高密度電漿蝕刻機 |
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儀器中文簡稱 |
感應耦合式高密度電漿蝕刻機 |
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儀器英文全名 |
1208 ICP RIE System (Chlorine base) |
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儀器英文簡稱 |
ICP RIE System (Chlorine base) |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
陳子欣 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#208 |
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tzuhsin@mail.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
█ 蝕刻 |
□ 後處理 |
□ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
感應耦合式高密度電漿蝕刻系統是以氯氣電漿(chlorine-based)為基礎的蝕刻系統,主要使用的氣體為Cl2、BCl3、SiCl4、Ar、O2和CHF3,適合III-V及金屬材料蝕刻,III-V材料及金屬材料的蝕刻具有相當的難度,主因是常用的F離子與III-V材料及金屬材料反應後的生成物,其汽化溫度大於攝氏1000度,造成無法蝕刻的問題,而氯氣離子的加入則可以大大降低反應生成物的氣化溫度至攝氏300度以下,因此能達成III-V材料及金屬材的蝕刻。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
待提供 |