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微影 Lithography

微影 Lithography

電子束微影系統 (Electron Beam Lithography System)

儀器中文全名	1101 電子束微影系統
儀器中文簡稱	電子束微影系統
儀器英文全名	1101 Electron Beam Lithography
儀器英文簡稱	EBL
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	陳子欣
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#208
E-mail	tzuhsin@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	█ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	電子束微影系統（E-beam Lithography）主要用於高精度微結構製作，透過聚焦電子束在光阻材料上曝光，實現奈米級別的圖形轉移。此技術廣泛應用於半導體製程、微機電系統（MEMS）、奈米光電元件等領域。其高解析度和靈活性使其適合於小批量製造與原型開發，能實現精細圖形的定制加工。
廠牌/型號	廠牌：鴻碩企業有限公司代理；,ELIONIX INC(日本原廠) 型號：ELS-7500 EX
條列說明重要規格	電子束規格: 電子槍型態: ZrO/W thermal field emitter 電子束最小直徑: 2 nm φ（at 50 kV）加速電壓: 50 KV 電流: 1×10^-12～5×10^-8 A 繪圖方法:Vector scan 載台位移方式: Step & Repeat 樣本尺寸: 2~6”φ wafer/ mask or 1~2.5 cm破片曝光面積: X-direction: 100 mm × Y-direction: 110 mm 曝光區大小: 75~1200 μm
條列說明使用規定	不須光罩即可製作>10 nm之奈米圖案高解析度之電子顯微功能 (500,000X) 高精密度載台定位系統 (0.6 nm) (d)使用PC系統以及相容AutoCAD
預約系統	學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ 業界自操: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/ 業界代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/
技術手冊	技術手冊

旋轉塗佈儀 (Spin Coater )

儀器中文全名	1106旋轉塗佈儀I
儀器中文簡稱	旋塗儀I
儀器英文全名	1106 Spin Coater I
儀器英文簡稱	SP I
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	楊士弘
TEL	(06) 2757575#31380#233
E-mail	z11110045@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	■ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	利用離心力將光阻均勻塗佈到試片。
廠牌/型號	廠牌：鑫拓實業股份有限公司型號：MSC-300D
條列說明重要規格	轉速設定範圍: 100~8000rpm 加速時間設定: 0.1 ~99.9秒加速度: 3000 rpm/s 減速時間設定: 0.1 ~99.9秒程式容量: 10 組 * 50 步驟試片在台尺吋: 破片 ~ 4” 晶片
條列說明使用規定	使用後請確實清潔
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

旋轉塗佈儀 II (Spin Coater II )

儀器中文全名	1107 旋轉塗佈儀II
儀器中文簡稱	旋塗儀II
儀器英文全名	1107 Spin Coater II
儀器英文簡稱	SP II
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	楊士弘
TEL	(06) 2757575#31380#233
E-mail	z11110045@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	■ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	利用離心力將光阻均勻塗佈到試片。
廠牌/型號	廠牌：Laurell 型號：Model WS-650Mz-23NPPB
條列說明重要規格	適用於10mm~50mm晶圓轉速：0-12000 rpm。加速度控制：加速度可設定為1~13000 (含)之參數，以控制所需的加速。加速時間設定: 0.1 ~99.9秒 5.可控制加速度並操作25組(含)以上可控制程式 /每一組程式中可設定51(含)段以上步驟。
條列說明使用規定	禁用SU8和AZ以及厚度>10um的光阻使用後請確實清潔
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

SUSS 雙面光罩對準機 (SUSS Double-Side Mask Aligner)

儀器中文全名	1109雙面光罩對準機SUSS
儀器中文簡稱	光罩對準機SUSS
儀器英文全名	1109 Double-Side Mask Aligner SUSS
儀器英文簡稱	Mask Aligner SUSS
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	楊士弘
TEL	(06) 2757575#31380#233
E-mail	z11110045@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	■ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	MA/BA6 是設計用於 150 mm 大小以下的晶圓。是新一代半自動光罩對準機。此系列具備人體工學設計、友好的使用者介面，並適用於學術研究和小批量生產。它為微機電系統、奈米機電系統及3D集成等領域樹立新標準。
廠牌/型號	廠牌：SUSS 型號：MA/BA6
條列說明重要規格	光源/光源強度: LED : intensity : broadband >50mW/cm2, uniformity <2.5% , I-line > 20mw/cm2 uniformity <2.5% 曝光模式: hard-, soft- and vacuum contact, proximity 光罩基材間距: 0-300 µm adjustable via software 晶圓尺寸: 2 inch, 4 inch, and 6inch 晶圓厚度: TSA (Top Side Align) 0.1 - 10 mm (top side alignment) BSA(Back side Align) 0.1 – 7 mm 對準精度: TSA +/- 0.5 µm (with 20x objectives), BSA +/- 1 µm, TSA IR +/- 2µm (with 10x objectives)
條列說明使用規定	禁用SU8以及厚度>10um的光阻非3/4/6吋完整wafer禁用vacuum contact 可用5吋或7寸光罩
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

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