試片製備

跳到主要內容區塊

試片製備

試片製備 Sample Preparation

試片製備 Sample Preparation

雙束型聚焦離子束I (Dual Beam-Focused Ion Beam, FEI Nova-200)

儀器中文全名	3101 雙束型聚焦離子束I
儀器中文簡稱	雙束型聚焦離子束I
儀器英文全名	3101 Dual Beam-Focused Ion Beam I
儀器英文簡稱	FIB1
儀器位置	儀器設備大樓B1檢測實驗室/ R214
儀器管理人	沈欣燕/賴修偉
TEL	06-2757575 ext. 31380#245(辦公室) 06-2757575 ext. 31380#215(辦公室)
E-mail	z10209002@ncku.edu.tw hiwett@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	1.定點縱剖面切割：利用粒子的物理碰撞來達到切割之目的，可切割之最小線寬約40nm。 2.選擇性的材料表面蒸鍍處理：以Ga離子束的能量分解有機金屬蒸氣，並在局部區域做金屬導體的沉積，除可提供沉積應用外，同時可保護被切割處附近結構之完整。目前可提供有鉑(Pt)和碳(C)兩種沉積層。 3.試片準備：可協助特殊材料TEM用試片之製作。 4.元素成份分析
廠牌/型號	廠牌：FEI美商飛昱科技股有限公司台灣分公司型號：Nova-200 NanoLab Compatible
條列說明重要規格	電子束規格：解析度 ≦ 1.5 nm @ 30 KV SE ≦ 2.5 nm @ 1 KV SE 加速電壓：0.2 ~ 30 KV 電子槍型態：熱場發射式電子槍 2.離子束規格：解析度：7 nm 加速電壓：0.2~30 KV 離電子槍型態：液態金屬鎵 3.載台：Axis 5-axis motorized 4.沉積氣體：Pt、C 5.TEM試片取出設備： a.In-situ lift-out system by W probe b.Ex-situ lift-out system by optical microscope X光能量分散光譜儀規格： Detector: ≧50 mm2 Silicon Drift Detector MnKα Resolution: ≦ 129 eV
條列說明使用規定	試片大小：平面，面積 ≦ ψ50 mm，高度 < 10 mm。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理： (1)真空中具揮發性或在電子束照射下易分解、釋出氣體分子之樣品。 (2)有機物、高分子、粉末材料、磁性物質。 (3)有礙真空維持或可能污染腔體之樣品。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

雙束型聚焦離子束II (Dual Beam-Focused Ion Beam, Helios G3 CX)

儀器中文全名	3105 雙束型聚焦離子束 II
儀器中文簡稱	雙束型聚焦離子束 II
儀器英文全名	3105 Dual Beam-Focused Ion Beam II
儀器英文簡稱	FIB II
儀器位置	B1/檢測分析實驗室（或實驗室名稱）
儀器管理人	王彥茹
TEL	06-2757575 ext. 31380#226(辦公室)
E-mail	yenjuwang@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	■ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	超高解析定點縱剖面切割：利用粒子的物理碰撞來達到切割之目的，可切割之最小線寬約20nm。特殊圖形製作選擇性的材料表面蒸鍍處理：以Ga離子束的能量分解有機金屬蒸氣，並在局部區域做金屬導體的沉積，除可提供沉積應用外，同時可保護被切割處附近結構之完整。目前可提供有鉑(Pt)和碳(C)兩種沉積層。 TEM試片準備：可製作橫截面或平面TEM試片。 EDS元素成份分析。
廠牌/型號	主體設備: 廠牌：Thermo Fisher Scientific 型號：Helios G3CX 附屬設備(x-ray能量分散儀規格): 廠牌：Oxford Instruments 型號：X’max 150mm²
條列說明重要規格	電子束規格: 解析度: 0.8 nm @ 15 kV; 1.4 nm @ 1 kV 加速電壓: 200V~30kV 電子槍型態: Elstar’s immersion mode 離子束規格: 解析度: 4 nm @ 30Kv 加速電壓: 500V~30kV 離子槍型態: Gallium Liquid Metal 載台: Axis 5-axis motorized 輔助沉積氣體: Pt、C 試片大小: Diameter ≦ 50 mm； height≦ 30 mm 腔體內試片取出設備: W probe x-ray能量分散儀規格: 偵測器: ≧150 mm², Silicon Drift Detector *MnKα 解析度: ≦129 eV
條列說明使用規定	代工注意事項：使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本中心有權拒絕理。試片處理不當而造成儀器污染或損壞時，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任，委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。請自備檔案燒錄光碟片。試片準備注意事項：試片大小：直徑≦ 50 mm；高度≦ 30 mm。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：真空中具揮發性或在電子束照射下易分解、釋出氣體分子的樣品(如:液態樣品、高分子、有機物等)，因有礙真空維持或可能污染腔體；具強磁性、磁性或易被電磁透鏡吸引的材料。樣品需導電，不導電之樣品需鍍碳或鍍金處理，中心僅提供鍍鉑(Pt)處理。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application 國科會(前瞻聚焦離子束系統，每月20日12:00開放學界下個月預約序號): https://vir.nstc.gov.tw/
技術手冊

雙束型聚焦離子束III (Dual Beam-Focused Ion Beam III)

儀器中文全名	雙束型聚焦離子束 III
儀器中文簡稱	雙束型聚焦離子束 III
儀器英文全名	Dual Beam-Focused Ion Beam III
儀器英文簡稱	FIB III
儀器位置	B1/檢測分析實驗室
儀器管理人	羅啟仁/王彥茹
TEL	06-2757575 ext. 31383# 9
E-mail	z11211021@ncku.edu.tw yenjuwang@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	■ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	超高解析定點縱剖面切割：利用粒子的物理碰撞來達到切割之目的，可切割之最小線寬約20nm。磁性樣品分析。特殊圖形製作。選擇性的材料表面蒸鍍處理：以Ga離子束的能量分解有機金屬蒸氣，並在局部區域做金屬導體的沉積，除可提供沉積應用外，同時可保護被切割處附近結構之完整。目前可提供有鉑(Pt)和碳(C)兩種沉積層。 TEM試片準備：可製作橫截面或平面TEM試片。 EDS元素成份分析。
廠牌/型號	廠牌：ZEISS 型號：Crossbeam 550 FIB-SEM System
條列說明重要規格	電子束規格: 解析度: optimum WD: 0.7nm @ 15kV; 1.3 nm @ 1 kV 加速電壓: 20V~30kV 離子束規格: 解析度: 3nm @ 30kV; 120nm @ 1kV; 330nm @ 500V 加速電壓: 500V~30 kV 加速電壓: 1pA~100nA 離子槍型態: Gallium Liquid Metal 載台: Axis 6-axis motorized 輔助沉積氣體: Pt, C 試片大小: Diameter 80mm, height≦ 50mm (QuickLoader) Diameter 330mm, height≦ 270mm 腔體內試片取出設備: W probe 樣品傾斜角: -4~70度 x-ray能量分散儀規格型號：Ultim® Max 偵測器: ≧170mm², Silicon Drift Detector *MnKα 解析度:≦127eV 腔體內試片取出設備: W probe
條列說明使用規定	代工注意事項：使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本中心有權拒絕理。試片處理不當而造成儀器污染或損壞時，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。請自備檔案燒錄光碟片。試片準備注意事項：試片大小：平面面積≦ ψ80mm；高度≦ 5mm。下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：真空中具揮發性或在電子束照射下易分解、釋出氣體分子的樣品(如:液態樣品、高分子、有機物等)，因有礙真空維持或可能污染腔體。樣品需導電，不導電之樣品需經鍍碳或鍍金處理，中心僅提供鍍鉑(Pt)處理。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

鍍金機 (Sputter Coater)

儀器中文全名	鍍金機
儀器中文簡稱	鍍金機
儀器英文全名	Sputter Coater
儀器英文簡稱	Sputter Coater
儀器位置	B1檢測實驗室
儀器管理人	賴修偉
TEL	06-2757575313892
E-mail	hiwett@mail.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	¢ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	主要用於電子顯微鏡樣品前處理，可針對不導電與乾燥生物性之樣品表面鍍上白金(Pt)，增加樣品之導電性。
廠牌/型號	廠牌：JEOL 型號：JFC-1600
條列說明重要規格	工作電流:10、20、30、40 mA；工作時間:0~300 s
條列說明使用規定	試片大小：取樣直徑最大不超過25 mm、最大高度10 mm。請勿超出規定範圍。 25.0 mm (f) × 10 mm (H) specimen 樣品準備須知：使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本單位有權拒絕受理。若因試片處理不當而造成儀器污染或損壞時(試片含有毒性、腐蝕性、揮發性等之試件)，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。委託時務必事先電話聯絡，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊

三離子剖面拋光機 (Triple Ion-Beam Milling System)

儀器中文全名	三離子剖面拋光機
儀器中文簡稱	三離子剖面拋光機
儀器英文全名	Triple Ion-Beam Milling System
儀器英文簡稱	Triple Ion-Beam Milling System
儀器位置	B1 檢測室
儀器管理人	林家宇、沈欣燕
TEL	06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室)
E-mail	chiayu@gs.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	■ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	利用氬離子束進行拋光。無一般物理研磨拋光會造成的應力破壞。可避免軟性材料在研磨過程中出現的延展問題。 OM / SEM / EDS / WDS / EBSD 樣品前處理。三重聚焦離子束系統減少樣品製備的時間。拋光切蝕速率更快更準確，拋光後的基材上獲得更平坦，均勻性更高的表面，且能定點切中微小區域，快速製備出滿足高解析度電子顯微鏡拍攝條件及微區域成分分析的理想觀察試片。
廠牌/型號	廠牌：Leica 型號：EM TIC 3X
條列說明重要規格	Ion source：三支單體可獨立控制離子槍使用氣體：Ar 離子源功率 (Ion beam power)：1 to 10 keV。切割速率：up to 300μm/hr (100 Si at 10 keV, averaged value of 2 hrs) 剖面切割： (1) 最大樣品尺寸：50x50x10 mm。 (2) cross section plisher最大面積：4x1 mm。 (3) 移動距離：X ±5mm、Y ±1mm、Z ±6mm。平面拋光： (1) 最大樣品尺寸：dia. 38x12(H)mm。 (2) flat plish最大面積：dia. 25mm。 (3) 傾角：0-30°。 (4) 旋轉角度：±20°、±45°、±90°、±180°、±360°。 (5) 旋轉速度：4、6,、10 rpm。 (6) X移動距離：±12.5 mm。
條列說明使用規定	剖面切割： (1) 樣品尺寸限制: < 50 x 50 x 10mm (長x寬x厚)。 (2) 有孔材料建議先上膠保護。 (3) 試片表面需用大於1,000號之砂紙將試片表面磨平。平面拋光： (1) 樣品尺寸限制：< dia.38x12(H) mm。 (2) 樣品表面需研磨至0.3 µm。樣品不可具有毒性或腐蝕性。申請者須提供實驗參數。代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除台故障外，不得要求退費。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

瀏覽數:

加到我的最愛

分享

登入成功