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  1. 首頁

試片製備

試片製備 Sample Preparation

試片製備 Sample Preparation

雙束型聚焦離子束I (Dual Beam-Focused Ion Beam, FEI Nova-200)

儀器中文全名

3101 雙束型聚焦離子束I


儀器中文簡稱

雙束型聚焦離子束I

儀器英文全名

3101 Dual Beam-Focused Ion Beam I

儀器英文簡稱

FIB1

儀器位置

儀器設備大樓B1檢測實驗室/ R214

儀器管理人

沈欣燕/賴修偉

TEL

06-2757575 ext. 31380#245(辦公室)

06-2757575 ext. 31380#215(辦公室)

E-mail

z10209002@ncku.edu.tw

hiwett@mail.ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

□ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

□ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

1.定點縱剖面切割：利用粒子的物理碰撞來達到切割之目的，可切割之最小線寬約40nm。

2.選擇性的材料表面蒸鍍處理：以Ga離子束的能量分解有機金屬蒸氣，並在局部區域做金屬導體的沉積，除可提供沉積應用外，同時可保護被切割處附近結構之完整。目前可提供有鉑(Pt)和碳(C)兩種沉積層。

3.試片準備：可協助特殊材料TEM用試片之製作。

4.元素成份分析

廠牌/型號
  • 廠牌：FEI美商飛昱科技股有限公司台灣分公司
  • 型號：Nova-200 NanoLab Compatible

條列說明

重要規格
  • 電子束規格：

  解析度 ≦ 1.5 nm @ 30 KV SE

  ≦ 2.5 nm @ 1 KV SE

  加速電壓：0.2 ~ 30 KV

  電子槍型態：熱場發射式電子槍

  • 2.離子束規格：

  解析度：7 nm

  加速電壓：0.2~30 KV

  離電子槍型態：液態金屬鎵

  • 3.載台：Axis 5-axis motorized
  • 4.沉積氣體：Pt、C
  • 5.TEM試片取出設備：

  a.In-situ lift-out system by W probe

  b.Ex-situ lift-out system by optical microscope

  • X光能量分散光譜儀規格：

  Detector: ≧50 mm2 Silicon Drift Detector

  MnKα Resolution: ≦ 129 eV

條列說明

使用規定
  • 試片大小：平面，面積 ≦ ψ50 mm，高度 < 10 mm。
  • 下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：

(1)真空中具揮發性或在電子束照射下易分解、釋出氣體分子之樣品。

(2)有機物、高分子、粉末材料、磁性物質。

(3)有礙真空維持或可能污染腔體之樣品。

預約系統

微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list

微奈米系統-代工:

https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application

技術手冊

[請另外提供電子檔]

雙束型聚焦離子束II (Dual Beam-Focused Ion Beam, Helios G3 CX)

儀器中文全名

3105 雙束型聚焦離子束 II

儀器中文簡稱

雙束型聚焦離子束 II

儀器英文全名

3105 Dual Beam-Focused Ion Beam II

儀器英文簡稱

FIB II

儀器位置

B1/檢測分析實驗室（或實驗室名稱）

儀器管理人

王彥茹

TEL

06-2757575 ext. 31380#226(辦公室)

E-mail

yenjuwang@mail.ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

□ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

□ 穿透式電顯

■ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)
  • 超高解析定點縱剖面切割：利用粒子的物理碰撞來達到切割之目的，可切割之最小線寬約20nm。
  • 特殊圖形製作
  • 選擇性的材料表面蒸鍍處理：以Ga離子束的能量分解有機金屬蒸氣，並在局部區域做金屬導體的沉積，除可提供沉積應用外，同時可保護被切割處附近結構之完整。目前可提供有鉑(Pt)和碳(C)兩種沉積層。
  • TEM試片準備：可製作橫截面或平面TEM試片。
  • EDS元素成份分析。

廠牌/型號
  • 主體設備:

廠牌：Thermo Fisher Scientific

型號：Helios G3CX

  • 附屬設備(x-ray能量分散儀規格):

廠牌：Oxford Instruments

型號：X’max 150mm2

條列說明

重要規格
  • 電子束規格:

  解析度: 0.8 nm @ 15 kV;  1.4 nm @ 1 kV

  加速電壓: 200V~30kV

  電子槍型態: Elstar’s immersion mode

  • 離子束規格:

  *解析度: 4 nm @ 30Kv

  *加速電壓: 500V~30kV

  *離子槍型態: Gallium Liquid Metal

  • 載台: Axis 5-axis motorized
  • 輔助沉積氣體: Pt、C
  • 試片大小: Diameter ≦ 50 mm； height≦ 30 mm
  • 腔體內試片取出設備: W probe
  • x-ray能量分散儀規格:

  *偵測器: ≧150 mm2, Silicon Drift Detector

  *MnKα 解析度: ≦129 eV

條列說明

使用規定
  • 代工注意事項：

  1. 使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本中心有權拒絕理。
  2. 試片處理不當而造成儀器污染或損壞時，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。
  3. 代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任，委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。
  4. 請自備檔案燒錄光碟片。
  5. 試片準備注意事項：

    1. 試片大小：直徑≦ 50 mm；高度≦ 30 mm。
    2. 下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：真空中具揮發性或在電子束照射下易分解、釋出氣體分子的樣品(如:液態樣品、高分子、有機物等)，因有礙真空維持或可能污染腔體；具強磁性、磁性或易被電磁透鏡吸引的材料。
    3. 樣品需導電，不導電之樣品需鍍碳或鍍金處理，中心僅提供鍍鉑(Pt)處理。

預約系統

微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list

微奈米系統-代工:

https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application

國科會(前瞻聚焦離子束系統，每月20日12:00開放學界下個月預約序號):   https://vir.nstc.gov.tw/

技術手冊

 

精密離子拋光機 (PIPS)

 

鍍金機 (Sputter Coater)

儀器中文全名

鍍金機

儀器中文簡稱

鍍金機

儀器英文全名

Sputter Coater

儀器英文簡稱

Sputter Coater

儀器位置

B1檢測實驗室

儀器管理人

賴修偉

TEL

06-2757575*31389*2

E-mail

hiwett@mail.ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

□ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

¢ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

□ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

主要用於電子顯微鏡樣品前處理，可針對不導電與乾燥生物性之樣品表面鍍上白金(Pt)，增加樣品之導電性。

廠牌/型號
  • 廠牌：JEOL
  • 型號：JFC-1600

條列說明

重要規格

工作電流:10、20、30、40 mA；工作時間:0~300 s

條列說明

使用規定
  • 試片大小：取樣直徑最大不超過25 mm、最大高度10 mm。請勿超出規定範圍。

    25.0 mm (f) × 10 mm (H) specimen

  • 樣品準備須知：
    1. 使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本單位有權拒絕受理。
    2. 若因試片處理不當而造成儀器污染或損壞時(試片含有毒性、腐蝕性、揮發性等之試件)，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。
    3. 若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。
    4. 委託時務必事先電話聯絡，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。
    5. 代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。

預約系統

微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list

微奈米系統-代工:

https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application

技術手冊

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