儀器中文全名

3302 高解析場發射掃描穿透式電子顯微鏡

儀器中文簡稱

高解析場發射掃描穿透式電子顯微鏡

儀器英文全名

3302 High Resolution Transmission Electron Microscope

儀器英文簡稱

TEM 2100

儀器位置

B1檢測實驗室

儀器管理人

林家宇、羅啟仁

TEL

06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室)

E-mail

chiayu@gs.ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

□ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

■ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

此台電子顯微鏡電子發射源是場發射之燈絲，因此具有極高空間及能量解析度。除了一般成像及繞射功能外，可以做對比極佳之高解析原子影像。因為其附加許多設備，成為材料解晰最佳利器。如掃描裝置可以加電子束縮小至1nm以下，進行高解析之掃描明暗場像，可以做原子成分影像及原子級介面分析。X光能量分散儀 (EDX)可以進行化學成分分析。Gatan影像過濾器 (GIF) 可以進行電子能量損失圖譜，得到成分定量分析，並可以得到試片化學鍵結及電子結構等資訊；除此之外藉由GIF上可以進行電子能量過濾成像，得到精確之成分分布圖。

廠牌/型號

• 廠牌：JEOL
• 型號：JEM-2100F

條列說明

重要規格

• 加速電壓：200 KV
• 放大倍率：≦50X~1500 KX
• 解像度： Point Resoltion：≦0.19 nm； Line Resoltion：≦0.1 nm ；Spot size：0.5 nm
• 選區電子繞射 (SAED)、聚焦束繞射 (CBED) convergent angle：1.5~20 mrad
• 5.附屬設備：EDS、EELS (GIF)、STEM、Digital image system

條列說明

使用規定

• 固態樣品：

(1) 試片在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之樣品。

(2) 試片含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。

(3)具強磁性、磁性 (如鐵、鈷、鎳等)或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。

(4) 放電 (charging) 情形嚴重者。

1. 以研磨拋光或以FIB薄化的試片 (含有厚度小於60nm的區域)，或用有碳膜的金屬網 (M grid) 承載的奈米顆粒型試片。
2. 樣品需乾燥，在真空中無揮發性。
3. 使用者必需詳細說明試片之製作方式，若有可能造成真空腔的污染，本單位有權拒絕受理。若因試片處理不當而造成儀器污染或損壞時，須負責賠償，賠償費用由原廠評估再由中心會議決議後執行並暫停儀器之使用權。
4. 下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：
   1. 若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。
   2. 委託時務必事先電話聯絡，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。
   3. 代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。
   4. 請自行準備光碟片。
   5. 如需委託協助製片僅受理一般粉末樣品製備，收費計算方式為：3個以下樣品加收0.5小時代工費，4~6個樣品加收1小時代工費，超過6個樣品另行討論；如有特殊樣品製備另行討論及計算代工費用。
   6. 另購耗材費用：鍍碳銅/鎳網 100元/片；lacey 鍍碳銅網 200元/片。
   7. 液態樣品：
      1. 因代工樣品種類繁多，若因樣品因素無法成功分析影像者，仍需負擔耗材及封裝費用，但無須負擔觀測費用。
      2. 僅接受溶劑為水或PBS的樣品。
      3. 樣品製備費用：學界1個5500，業界一個8250。

預約系統

微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list

微奈米系統-代工:

https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application

技術手冊

[請另外提供電子檔]

儀器中文全名

3301穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機

儀器中文簡稱

穿透式電子顯微鏡之In-Situ奈米壓痕試驗機

儀器英文全名

3301 In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010

儀器英文簡稱

In-Situ Nano-Indentation System, TEM-2010

儀器位置

B1 檢測室

儀器管理人

林家宇

TEL

06-2757575 ext. 31380#248 (辦公室)、31383# 9 (實驗室)

E-mail

chiayu@gs.ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

□ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

■ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

TEM PicoIndenter則可在TEM下直接觀察負載─位移間資料與影像相互關係，例如相變化、差排滑移變化及破壞行為的發生等；且藉由設定負載大小、壓痕深度、受力─卸載之時間設定，可觀察奈米材料尺度之性質，如壓痕、壓縮、彎曲等特性，並擁有多種操作模式可以選擇，包含：閉迴路力量平衡控制系統、閉迴路位移控制系統及開迴路力量控制系統等。

廠牌/型號

• 廠牌：Hysitron
• 型號：PI95

條列說明

重要規格

• 力噪音背景RMS~0.2 µN
• 位移噪音背景RMS ~1 nm
• 最大載荷>1000 µN
• 最大位移5000 nm

條列說明

使用規定

• 樣品準備須知：請以FIB進行樣品前處理。
• 下列樣品，因容易對儀器造成損害，恕不受理：
  1. 試片在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之樣品。
  2. 試片含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。
  3. 具強磁性、磁性 (如鐵、鈷、鎳等) 或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。
  4. 放電 (charging) 情形嚴重者。
  5. 若含有上述成分不告知而導致儀器受損者，送測者須負起儀器修復責任。
  6. 委託時務必事先電話聯絡，實驗期間委託人必須在場，方便操作者跟委託人溝通。
  7. 代工指代為操作機台，中心無需負代工結果之責任。委託者確認代工單內容無誤後，除機台故障外，不得要求退費。
  8. 請自行準備已格式化的隨身碟。

預約系統

微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list

微奈米系統-代工:

https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application

技術手冊

[請另外提供電子檔]

儀器中文全名

多功能低電壓穿透式電子顯微鏡

儀器中文簡稱

低電壓穿透式電子顯微鏡

儀器英文全名

Multifunctional Low-Voltage Transmission Electron Microscope

儀器英文簡稱

LV-TEM

儀器位置

B1/B110

儀器管理人

鄭宇軒

TEL

06-2757575 #31357

E-mail

z10809028@ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

□ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

¢ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

多功能低電壓穿透式電子顯微鏡，為可操作於低加速電壓(40-120kV)之穿透式電子顯微鏡，除TEM影像外亦包含電子繞射拍攝、掃描穿透模式(STEM)影像拍攝與EDS化學分析之功能，適合易受電子損傷材料之形貌拍攝、結構與成份分析。

廠牌/型號

• 廠牌：JEOL
• 型號：JEM-1400Flash

條列說明

重要規格

1.熱游離式六硼化鑭(LaB₆)燈絲。

2.120kV加速電壓，降低對材料影響(若有更低電壓需求可與管理員討論)。

3.可拍攝TEM明視野與暗視野影像。

4.可拍攝電子繞射圖(選區光圈範圍最小~250nm，電子束最小~30nm)。

5.可拍攝掃描穿透模式-環形明場與環型暗場影像(STEM-ABF/ADF)。

6.配有EDS偵測器，可執行點、線與面元素分析。

條列說明

使用規定

1.本儀器採序號預約，預約成功後技術人員會與您協調實驗日期與時間。

2.樣本若含磁性物質(Fe, Co, Ni.. 等等)務必先與技術人員討論。

3.樣本若具揮發性、毒性或放射性等潛在危害性，務必先與技術人員討論。

4.本儀器常規操作電壓為120kV，若有更低電壓之需求可與技術人員討論。

5.本儀器解析能力弱於200kV機種，若需進行高解析影像、晶格影像、微區繞射或微區成份分析，建議事先與技術人員討論是否符合需求。

預約系統

https://vir.nstc.gov.tw/home/Index

技術手冊

儀器中文全名

高解析穿透式電子顯微鏡-搭載球面像差修正器的掃描穿透式電鏡

儀器中文簡稱

高解析穿透式電子顯微鏡

儀器英文全名

High Resolution Transmission Electron Microscope- Cs Corrector STEM

儀器英文簡稱

JEM-2100F Cs STEM

儀器位置

B109室

儀器管理人

曾湜雯

TEL

+886-6-2757575 ext. 31366 

E-mail

shihwen@mail.ncku.edu.tw

技術類別

(請勾選)

□ 微影

□ 蝕刻

□ 後處理

□ 薄膜成長

□ 試片製備

□ 奈米壓痕

□ 掃描探針

□ 掃描式電顯

■ 穿透式電顯

□ 離子電子雙束系統

□ 光學顯微鏡

□ 光學檢測

□ 晶體分析

□ 粒徑分析

□ 物理性質

□ 核磁共振儀

□ 表面分析

□ 質譜儀

□ 進階服務

□ 其他

應用/功能簡介

(100字內)

• 明、暗視野像(BF/DF image)
• 選區電子繞射(SAED)
• 奈米束繞射(NBED)
• 收斂電子束繞射(CBED)
• 掃描式穿透式影像(STEM)、高角度環形暗場像 (HAADF)
• EDS能譜分析(點、線、面分析)
• 電子能量損失能譜分析

廠牌/型號

• 廠牌：JEOL
• 型號：JEM-2100F Cs STEM

條列說明

重要規格

• 加速電壓(Accelerating Voltage): 200 kV
• 解析度(Resolution): Point Resolution≦0.23nm / Lattice Resolution≦0.10nm
• TEM模式下放大倍率(TEM mode magnification): X50~X1.5M
• STEM模式下放大倍率: X20K~X15M
• EDS: Energy resolution: Mn 127eV
• EELS: 0.8 eV

條列說明

使用規定

• 於國科會系統網站，以[序號]方式預約，預約時間為每月28日中午12:30開放下個月校內、校外序號。
• 成大貴儀實施[後補預約]制度，每月於國科會系統預約不到者，可至成大核心設施貴儀組網頁點選[使用者預約儀器後補登記]進行後補，詳細登記方式請至[使用者預約儀器後補登記]網址查詢。

預約系統

技術手冊