晶體分析

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晶體分析

晶體分析 Lattice Microanalysis

晶體分析 Lattice Microanalysis

X光繞射儀 (X-Ray Diffractometer)

儀器中文全名	4301 X光繞射儀
儀器中文簡稱	X光繞射儀
儀器英文全名	4301 X-Ray Diffractometer
儀器英文簡稱	XRD
儀器位置	照坤精密儀器大樓B1/奈米檢測暨分析實驗室
儀器管理人	莊雅雯
TEL	06-2757575 #31383 #9
E-mail	10708150@gs.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	■ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	當入射X光打在樣品上會被原子平面反射，其入射光與反射光程差為波長的整數倍時，相鄰的結晶面散射波就會產生建設性干涉使X光波振幅倍增，意即當入射X光滿足上述之布拉格定律（2dsinθ=nλ）時，便會產生繞射現象，其中原子的平面之間距離為d、θ為X光入射角。由量測圖譜得θ和λ，可由布拉格定律公式2dsinθ=nλ，計算得到原子平面間距d。
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：D2 Phaser
條列說明重要規格	量測2θ範圍：3°-160° 最小刻度：0.002° 靶材種類：銅靶 [λ(Kα1) = 0.15405 nm] 操作電壓電流：30kV/10mA 偵測器：Lynxeye 全範圍準確度：0.02° 偵測範圍有效面積：14.4X16 mm² 適用之樣品型態：粉末、塊材、薄膜（約200 nm以上）
條列說明使用規定	塊材樣品尺寸限制 (size limit of bulk sample)：diameter < 3.5 cm，height < 0.5 cm 粉末樣品尺寸限制 (size limit of powder sample)：volume > 1cm^3 薄膜樣品厚度限制 (thickness limit of thin film sample)：thickness > 200nm 樣品不可具有毒性或腐蝕性 (sample can't be toxic or corrosive) 代工總時數計算(total OEM time; mins)：sample counts x (5 mins + 2 theta range/scan speed) 2 theta 解析度(resolution) > 0.002 deg. per step 代工量測條件填寫不完全將退件 (OEM won't be executed with incomplete testing condition) 申請單審核通過後需先至中心繳費 (Please pay the OEM fee before sample testing) 完成量測後會email寄送檔案與通知取件，請盡快拿回您的樣品，本中心不負保管責任。
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工:https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊

高強度多功能X光薄膜微區繞射儀 (Multipurpose High Intensity X-Ray Diffractometer)

儀器中文全名	高強度多功能X光薄膜微區繞射儀
儀器中文簡稱	高強度多功能X光薄膜微區繞射儀
儀器英文全名	Multipurpose High intensity X-Ray Thin-Film Micro Area Diffractometer
儀器英文簡稱	Multipurpose High intensity X-Ray Diffractometer (Thin-Film XRD)
儀器位置	2樓 / 0213室
儀器管理人	蘇柏榕
TEL	06-2757575分機31362
E-mail	z10704004@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	■ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	多晶薄膜低掠角繞射(GID)、一般繞射分析殘留應力(Residual stress)測定極圖組織(Pole figure texture) 單晶薄膜Rocking curve測定及模擬分析薄膜Reflectivity測定及模擬分析微區繞射分析高溫繞射分析
廠牌/型號	廠牌：布魯克(Bruker) 型號：Bruker D8 Discover
條列說明重要規格	簡單、直接、非破壞性之材料鑑定實驗裝置應用範疇包含對金屬材料、陶瓷、電子薄膜、鍍層、磊晶等XRD量測分析可進行薄膜低掠角繞射，磊晶樣品的高解析度量測添加濃度及厚度，薄膜材料或金屬材料的殘留應力，以及方向性組織研究的極圖測定，高解析度繞射亦可進行磊晶薄膜Rocking curve測定而確定其成長方向性的一致性，X光反射率量測薄膜厚度/密度及介面粗糙度使用布魯克公司新一代的旋轉式陽極 (6 kW Rotating Anode X-ray Generator) 使用最新的半導體高解析度偵測器 (Lynxeye-XET)，具有很好的能量解析度(~380eV，一般閃爍計數器為1600eV)，可藉由能窗的調整，以不使用單光器而達到去除因樣品中含鐵、鈷、鎳、錳等材料而產生高背景的狀況，同時偵測器亦可以由電腦設定變更其0D、1D的偵測模式，對於一台設備做多項研究時提供了最大的彈性。
條列說明使用規定	取樣尺寸建議事項：樣品準備：薄膜樣品，1cm1cm （膜厚：20~200 nm）（若是鉻錳鐵鈷材料，請標示）多晶薄膜低掠角繞射(Glancing Incident angle Diffraction)：樣品準備：2cm2cm，並需繞射角度(2Theta)，大於85°處有繞射尖峰（薄膜樣品之膜厚至少須200 nm）殘留應力(Residual stress)：薄膜樣品及金屬樣品極圖組織(Pole figure texture)：薄膜樣品及金屬樣品樣品準備：磊晶薄膜樣品，大於1cm1cm 本儀器以序號預約，於網路上取得預約序號者，請下載使用申請表，預約分析內容請於備註欄中註明（或採用此表），並將試片及申請表送交技術員接洽實驗事宜，始完成預約程序。每一序號樣品數量限制如下: 低掠角繞射、一般繞射分析: 一般測試條件為8個樣品，若是慢速掃瞄則為2個樣品。殘留應力(Residual stress)、極圖組織(Pole Figure)、高溫繞射分析: 2個樣品。微區繞射分析: 8個樣品。Rocking Curve、Reflectivity: 4個樣品。 Rocking curve：樣品準備：2cm2cm
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/VI_SearchResult?insName=XRD001900
技術手冊

高溫二維X光廣角繞射儀 (High Temperature 2D X-Ray Diffractometer)

儀器中文全名	高溫二維X-ray 廣角繞射儀(粉末X光二維繞射儀)
儀器中文簡稱
儀器英文全名	High Temperature 2D X-ray Diffractometer
儀器英文簡稱
儀器位置	照坤精密儀器大樓地下B105室
儀器管理人	李坤樹
TEL	(06)2757575#31363#214
E-mail	z9806042@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	▓ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	二維繞射XRD相較於傳統的一維數據技術，可同時收集多角度範圍內的繞射訊號，生成二維繞射圖譜。透過面積偵測器擴大探測範圍，提升數據收集效率與品質，同樣適用於粉末、固體及薄膜等各種樣品晶體結構研究。二維繞射圖譜能同時觀察各方向的繞射環或點，有助於分析晶體取向、織構及結構特性，為材料研究提供更多維度的結構資訊。
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：D8 Discover with GADDS
條列說明重要規格	主要儀器：高溫二維X-ray 廣角繞射儀(國科會儀器代碼：XRD005101) 附件儀器：低掠角薄膜X光繞射儀(國科會儀器代碼：XRD005102) 應用包括晶體結構分析、相組成鑑定、晶粒大小測定、應力分析、薄膜織構及薄膜介面研究等。 1. Goniometer：Theta / 2Theta 2. Source：Ceramic Tube Type KFL Cu 2K 3. Sample Holder：Centric Eulerian Cradle(Horizontal) 4. Optic System ：Gobel Mirror(Parallel Beam) Goniometer：Theta / Theta Source：Ceramic Tube Type KFL Cu 2K Sample Holder：Centric Eulerian Cradle(Vertical) Detector：VANTEC-2000 廠牌：Bruker 型號：D8 Discover
條列說明使用規定	依照國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統規定預約。適用於粉末、固體及薄膜等各種樣品。
預約系統	https://vir.nstc.gov.tw/
技術手冊	[請另外提供電子檔]

單晶X光繞射儀 (Single-Crystal X-Ray Diffractometer)

儀器中文全名	單晶X光繞射儀
儀器中文簡稱	單晶繞射儀
儀器英文全名	Single Crystal X-ray diffraction
儀器英文簡稱	SCXRD
儀器位置	B1F/B112
儀器管理人	洪慈蓮
TEL	31359
E-mail	z11205048@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	單晶X光繞射儀用於未知結構解析，常用於有機分子、金屬錯合物、有機金屬框架、無機材料、固態材料等各式晶體。獲得的結構資訊有最小晶胞尺寸、晶格型態、原子在空間中排列分布、原子間的鍵長、鍵角及熱擾動位移參數。
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：D8 Venture Ims 3.0 Mo
條列說明重要規格	Mo靶波長：0.71 Å 溫度範圍：80 ~ 400 K 壓力範圍：0 ~ 20 GPa (尖端量測服務) 樣品尺寸：0.05 ~ 1 mm
條列說明使用規定	有機化合物與有機金屬化合物：> 0.04×0.04×0.04 mm³ 無機化合物：> 0.02×0.02×0.02 mm³ 樣品須為”單晶”，薄膜與粉末樣品都無法測量。晶體大小：空氣敏感樣品請先來電洽詢
預約系統	國家科學及技術委員會-基礎研究核心設施預約服務管理系統
技術手冊

小角度X光散射儀 (Small Angle X-Ray Scattering)

儀器中文全名	小角度X光散射儀
儀器中文簡稱	小角
儀器英文全名	Small Angle X-ray Scattering
儀器英文簡稱	SAXS, WAXS
儀器位置	B1F/B107
儀器管理人	洪慈蓮
TEL	31359
E-mail	z11205048@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	□ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	小角度X光散射儀是利用X光與電子的散射現象，可測量高分子材料、膠體系統、生化材料結構、陶瓷材料的結構分析，可提供材料的大小、形狀和內部結構的訊息。
廠牌/型號	廠牌：Bruker 型號：NANOSTAR U SYSTEM
條列說明重要規格	1. SAXS with VANTEC-2000 for 1070 mm 2. SAXS with VANTEC-2000 for 670 mm 3. SAXS with VANTEC-2000 for 270 mm 4. WAXS with IP for 98 mm 5. WAXS with IP for 50 mm
條列說明使用規定	本儀器不分校內校外，一律公開開放使用，並依照國家科學及技術委員會相關管理規則辦理。本儀器檢測時，樣品置放處採用真空環境，因此將限制使用者在儀器使用前，對樣品的製備作適當的處理，以減少樣品污染儀器問題。樣品須無毒、無揮發性。欲操作升降溫實驗者，樣品大小須在10 mm x 7 mm (長x 寬)以內，厚度須在2 mm 以下。
預約系統	國家科學及技術委員會-基礎研究核心設施預約服務管理系統
技術手冊

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