薄膜成長

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薄膜成長

薄膜成長 Deposition Furnace

薄膜成長 Deposition Furnace

電子束蒸鍍機-I (E-Beam Evaporator-I)

儀器中文全名	2102 電子束蒸鍍薄膜沉積系統-I
儀器中文簡稱	2102 電子束蒸鍍薄膜沉積系統-I
儀器英文全名	Electron Beam Evaporation Deposition System-I
儀器英文簡稱	2102 Electron Beam Evaporation Deposition System-I
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	王亭鈞
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#257
E-mail	z10711023@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	█ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	電子束蒸鍍薄膜沉積系統（E-Beam Evaporation System）利用高能電子束轟擊靶材，使其升華成氣相並沉積於基板上，形成均勻且高純度的薄膜。該技術適用於半導體、光學鍍膜及先進材料研究，具有高沉積速率、低污染及精確厚度控制等優勢，適合製備金屬、氧化物及多層膜結構，廣泛應用於微電子與奈米技術領域。
廠牌/型號	廠牌：富臨科技型號：FU- 12PEB-500
條列說明重要規格	電子束規格: 10 kW 載台尺寸: 12片4inch wafer /3片6inch wafer 材料種類:Ag、Au、Al、Ni、Cr、Ti
條列說明使用規定	可進光阻層自行操作材料可免費使用 (不提供貴金屬 Au/Pt) 貴金屬Au/Pt僅提供代工服務
預約系統	學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ 業界自操: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/ 業界代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/
技術手冊	[請另外提供電子檔]

電子束蒸鍍機-II (E-Beam Evaporator-II)

儀器中文全名	2103 電子束蒸鍍薄膜沉積系統 II
儀器中文簡稱	電子束蒸鍍薄膜沉積系統 II
儀器英文全名	2103 Electron Beam Evaporation Deposition System-II
儀器英文簡稱	Electron Beam Evaporation Deposition System-II
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	王亭鈞
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#257
E-mail	z10711023@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	█ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	電子束蒸鍍薄膜沉積系統（E-Beam Evaporation System）利用高能電子束轟擊靶材，使其升華成氣相並沉積於基板上，形成均勻且高純度的薄膜。該技術適用於半導體、光學鍍膜及先進材料研究，具有高沉積速率、低污染及精確厚度控制等優勢，適合製備金屬、氧化物及多層膜結構，廣泛應用於微電子與奈米技術領域。
廠牌/型號	廠牌：富臨科技型號：FU-EB-C12
條列說明重要規格	電子束規格: 6 kW 載台尺寸: 15片4inch wafer 材料種類: SiO₂、TiO₂、ITO、Al₂O₃
條列說明使用規定	可進光阻層自行操作材料可免費使用可加溫至300度可通氧氣
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

共濺鍍機 (Co-Sputter Deposition System)

儀器中文全名	2105 共濺鍍機
儀器中文簡稱	共濺鍍機
儀器英文全名	2105 Co-Sputter Deposition System
儀器英文簡稱	Co-Sputter
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	王亭鈞
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#257
E-mail	z10711023@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	█ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	若需利用傳統濺鍍系統沉積多元化合物或合金材料，往往必須重新調配材料壓製成多元靶材，不僅製備麻煩且對於欲使用之多元材料成份比例較不易掌控。共濺鍍系統之優點在於能同時利用多個靶材進行濺鍍製程，可針對個別材料進行參數調整，搭配旋轉載台裝置可獲得相當均勻之薄膜沉積，且其薄膜品質再現性佳，可加熱到500℃，目前可配合共濺鍍控制的電極為兩個DC電源(導電膜沉積)
廠牌/型號	廠牌：優貝克科技股份有限公司型號：(ULVAC)/Model ACS-4000-C3
條列說明重要規格	系統壓力 (Pa): 7.0×10^-5Pa 工作壓力 (Pa): 1.5×10^-1Pa 基板旋轉 (rpm): 3 to 10 rpm 濺鍍距離 (mm): 150 mm. 基板溫度: 500 °C 基板大小: 單片 4 inch wafer 靶材種類: 鋁, 銀 ,氧化銦錫, 鈦, 鎳, 鎢, 碳, 鈮
條列說明使用規定	只提供直流電源DC 由工程師協助更換靶材請提前兩天告知預計實驗日與靶材種類
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

原子層沉積系統 (Atomic Layer Deposition System, Picosun)

儀器中文全名	2110 原子層沉積系統
儀器中文簡稱	原子層沉積系統
儀器英文全名	2110 Atomic Layer Deposition System, Picosun
儀器英文簡稱	ALD
儀器位置	B1F/無塵室
儀器管理人	李佩珊
TEL	06-2757575 ext. 31380#243
E-mail	z11111034@ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	■ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	ALD利用前驅物與基板表面產生的自我侷限交互反應，當反應氣體與基板表面形成單層化學吸附後，反應氣體不再與表面反應，成長厚度精確性可控制在Å原子等級，且均勻性極佳。本系統為芬蘭Picosun公司之最新研發技術，可鍍製的材料有Al2O3、HfO2、SiO2及TiO2，亦包含電漿及Ozone系統，為全台灣最先進的原子層鍍膜設備之一。
廠牌/型號	廠牌：Picosun 型號：R-200 Advanced
條列說明重要規格	成長溫度：100℃~300℃ 可鍍製材料：Al₂O₃、HfO₂、SiO₂、TiO₂ 氧原子來源：H₂O、O₃、O₂ plasma
條列說明使用規定	試片尺寸：破片~8吋圓、厚度小於1.5公分樣品限制：不可具有粉末及高揮發性材料
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	技術手冊

濺鍍機 (Sputter Deposition System)

儀器中文全名	2106 濺鍍機
儀器中文簡稱	濺鍍機
儀器英文全名	2106 Sputter Deposition System
儀器英文簡稱	Sputter
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	王亭鈞
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#257
E-mail	z10711023@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	█ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	濺鍍系統（Sputtering System）透過多個靶材同時進行磁控濺射，可在基板上沉積組成可調的複合薄膜。此技術適用於合金、氧化物及多層膜製備，能實現高均勻性與精確成分控制，並降低薄膜應力。廣泛應用於半導體、光電元件及先進材料開發，適合研究新型功能性薄膜與奈米結構材料，本系統配合一組直流(DC)與一組交流(RF)電源，可進行多樣性的薄膜鍍製。
廠牌/型號	廠牌：高敦科技股份有限公司型號：KD-SP+LL
條列說明重要規格	系統壓力: 6.0×10^-5torr 工作壓力: 10^-3torr 基板溫度: 500 °C 功率大小: 300 W 基板大小: 單片 6 inch wafer (最大) 靶材種類: SiO2、Al2O3、TiO2、ITO、TiN、Al、ZnO
條列說明使用規定	自行操作請自行準備靶材可自行更換靶材靶材規格: 3 inch + 一般銅背板禁用銅與錫
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

1&2吋化學氣相沉積石墨烯設備 (1 & 2-inch Graphene Chemical Vapor Deposition System)

儀器中文全名	2109 1&2吋化學氣相沉積石墨烯設備
儀器中文簡稱	1&2吋化學氣相沉積石墨烯設備
儀器英文全名	2109 1 & 2-inch Graphene Chemical Vapor Deposition System
儀器英文簡稱	1 & 2-inch Graphene CVD System
儀器位置	B1F無塵室
儀器管理人	王亭鈞
TEL	(06) 275-7575 ext. 31380#257
E-mail	z10711023@email.ncku.edu.tw
技術類別 (請勾選)	□ 微影	□ 蝕刻		□ 後處理	█ 薄膜成長
	□ 試片製備	□ 奈米壓痕		□ 掃描探針	□ 掃描式電顯
	□ 穿透式電顯	□ 離子電子雙束系統		□ 光學顯微鏡	□ 光學檢測
	□ 晶體分析	□ 粒徑分析		□ 物理性質	□ 核磁共振儀
	□ 表面分析	□ 質譜儀		□ 進階服務	□ 其他
應用/功能簡介 (100字內)	化學氣相沉積設備，具有1吋與2吋石英管，並提供H₂S,Ar, H2, CH4 and O2等反應氣體。可長時間使用於溫度1000℃ 以下的製程。主要應用於石墨烯及其他薄膜材料鍍膜，也可以當作高溫退火爐使用。
廠牌/型號	廠牌：世欣科技
條列說明重要規格	具1吋、2吋(石英爐管) 加熱器：加熱線耐溫1300℃，可長時間使用於溫度1100℃以下的製程。溫度不可超過1000℃，以免石英管軟化 (軟化點1120℃) 真空(minimum)：7E-2 Torr 流量計：Ar：2000sccm / CH₄：10 sccm / H₂：200 sccm / O₂：100 sccm/H₂S：200 sccm 控制模式：人機介面 (PLC控制 / 抽氣流程控制 / APC控制 / 流量計控制 / 溫度計控制 / 閥門控制)
條列說明使用規定	本系統以自行操作為主與工程師討論許可後，可用其他precursor進行CVD製程
預約系統	微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_OEM/OEM_application
技術手冊	[請另外提供電子檔]

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