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薄膜成長
薄膜成長 Deposition Furnace
薄膜成長 Deposition Furnace
電子束蒸鍍機-I (E-Beam Evaporator-I)
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儀器中文全名 |
2102 電子束蒸鍍薄膜沉積系統-I |
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儀器中文簡稱 |
2102 電子束蒸鍍薄膜沉積系統-I |
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儀器英文全名 |
Electron Beam Evaporation Deposition System-I |
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儀器英文簡稱 |
2102 Electron Beam Evaporation Deposition System-I |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
王亭鈞 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#257 |
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z10711023@email.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
█ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
電子束蒸鍍薄膜沉積系統（E-Beam Evaporation System）利用高能電子束轟擊靶材，使其升華成氣相並沉積於基板上，形成均勻且高純度的薄膜。該技術適用於半導體、光學鍍膜及先進材料研究，具有高沉積速率、低污染及精確厚度控制等優勢，適合製備金屬、氧化物及多層膜結構，廣泛應用於微電子與奈米技術領域。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
學界自操&代工: https://vir.nstc.gov.tw/ |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
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電子束蒸鍍機-II (E-Beam Evaporator-II)
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儀器中文全名 |
2103 電子束蒸鍍薄膜沉積系統 II |
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儀器中文簡稱 |
電子束蒸鍍薄膜沉積系統 II |
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儀器英文全名 |
2103 Electron Beam Evaporation Deposition System-II |
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儀器英文簡稱 |
Electron Beam Evaporation Deposition System-II |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
王亭鈞 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#257 |
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z10711023@email.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
█ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
電子束蒸鍍薄膜沉積系統（E-Beam Evaporation System）利用高能電子束轟擊靶材，使其升華成氣相並沉積於基板上，形成均勻且高純度的薄膜。該技術適用於半導體、光學鍍膜及先進材料研究，具有高沉積速率、低污染及精確厚度控制等優勢，適合製備金屬、氧化物及多層膜結構，廣泛應用於微電子與奈米技術領域。 |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
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共濺鍍機 (Co-Sputter Deposition System)
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儀器中文全名 |
2105 共濺鍍機 |
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儀器中文簡稱 |
共濺鍍機 |
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儀器英文全名 |
2105 Co-Sputter Deposition System |
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儀器英文簡稱 |
Co-Sputter |
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儀器位置 |
B1F無塵室 |
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儀器管理人 |
王亭鈞 |
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TEL |
(06) 275-7575 ext. 31380#257 |
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z10711023@email.ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
█ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
若需利用傳統濺鍍系統沉積多元化合物或合金材料，往往必須重新調配材料壓製成多元靶材，不僅製備麻煩且對於欲使用之多元材料成份比例較不易掌控。共濺鍍系統之優點在於能同時利用多個靶材進行濺鍍製程，可針對個別材料進行參數調整，搭配旋轉載台裝置可獲得相當均勻之薄膜沉積，且其薄膜品質再現性佳，可加熱到500℃，目前可配合共濺鍍控制的電極為兩個DC電源(導電膜沉積) |
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廠牌/型號 |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
[請另外提供電子檔] |
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原子層沉積系統 (Atomic Layer Deposition System, Picosun)
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儀器中文全名 |
2110 原子層沉積系統 |
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儀器中文簡稱 |
原子層沉積系統 |
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儀器英文全名 |
2110 Atomic Layer Deposition System, Picosun |
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儀器英文簡稱 |
ALD |
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儀器位置 |
B1F/無塵室 |
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儀器管理人 |
李佩珊 |
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TEL |
06-2757575 ext. 31380#243 |
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z11111034@ncku.edu.tw |
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技術類別 (請勾選) |
□ 微影 |
□ 蝕刻 |
□ 後處理 |
■ 薄膜成長 |
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□ 試片製備 |
□ 奈米壓痕 |
□ 掃描探針 |
□ 掃描式電顯 |
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□ 穿透式電顯 |
□ 離子電子雙束系統 |
□ 光學顯微鏡 |
□ 光學檢測 |
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□ 晶體分析 |
□ 粒徑分析 |
□ 物理性質 |
□ 核磁共振儀 |
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□ 表面分析 |
□ 質譜儀 |
□ 進階服務 |
□ 其他 |
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應用/功能簡介 (100字內) |
ALD利用前驅物與基板表面產生的自我侷限交互反應，當反應氣體與基板表面形成單層化學吸附後，反應氣體不再與表面反應，成長厚度精確性可控制在Å原子等級，且均勻性極佳。本系統為芬蘭Picosun公司之最新研發技術，可鍍製的材料有Al2O3、HfO2、SiO2及TiO2，亦包含電漿及Ozone系統，為全台灣最先進的原子層鍍膜設備之一。 |
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廠牌/型號 |
廠牌：Picosun 型號：R-200 Advanced |
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條列說明 重要規格 |
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條列說明 使用規定 |
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預約系統 |
微奈米系統-自行操作: https://cfc2021.cfc.ncku.edu.tw/cmnst_e_system/index.php/facility/admin/available/list 微奈米系統-代工: |
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技術手冊 |
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